長(zhǎng)存三期(武漢)集成電路公司成立,注冊(cè)資本達(dá)207億元
關(guān)鍵詞: 長(zhǎng)存三期(武漢)公司成立 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 湖北國(guó)資 集成電路產(chǎn)業(yè) 3D NAND閃存
9月8日,企查查APP及天眼查工商信息共同顯示,長(zhǎng)存三期(武漢)集成電路有限責(zé)任公司已正式成立,注冊(cè)資本高達(dá)207.2億元人民幣。據(jù)公開(kāi)資料,長(zhǎng)存三期(武漢)集成電路有限責(zé)任公司的法定代表人為陳南翔,他同時(shí)也是長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司的董事長(zhǎng)。新公司的經(jīng)營(yíng)范圍廣泛,涵蓋了集成電路制造、銷售、設(shè)計(jì),以及集成電路芯片及產(chǎn)品的制造與銷售等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
股權(quán)結(jié)構(gòu)方面,長(zhǎng)存三期(武漢)集成電路有限責(zé)任公司由長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司與湖北長(zhǎng)晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股。其中,湖北長(zhǎng)晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司為湖北國(guó)資旗下企業(yè),這一背景為新公司提供了堅(jiān)實(shí)的資本與政策支持。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲(chǔ)器解決方案的領(lǐng)軍企業(yè),自2016年7月成立以來(lái),便在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域取得了顯著成就。公司不僅提供了包括3D NAND閃存、嵌入式存儲(chǔ)、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤在內(nèi)的多樣化產(chǎn)品,還在2021年成功推出了唯一零售存儲(chǔ)品牌“致態(tài)”。特別是在2020年4月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功,其中X2-6070型號(hào)作為首款第三代QLC閃存,更是憑借發(fā)布時(shí)業(yè)界最高的I/O速度、最高的存儲(chǔ)密度和最高的單顆容量,贏得了市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。
此次長(zhǎng)存三期(武漢)集成電路有限責(zé)任公司的成立,無(wú)疑將進(jìn)一步鞏固和提升長(zhǎng)江存儲(chǔ)在集成電路產(chǎn)業(yè)中的地位。目前,新公司的具體投資項(xiàng)目、技術(shù)路線及產(chǎn)能規(guī)劃等細(xì)節(jié)尚未公開(kāi)披露。
責(zé)編:Luffy
