摘要：2021年第三季度全球主要晶圓代工廠持續(xù)滿載，晶圓代工廠營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)下新高，毛利率保持高水平。CINNO Research預(yù)測(cè)，2021年全球晶圓代工市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模預(yù)計(jì)為1,057億美元，較2019年增長(zhǎng)28%。

在全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高漲的背景下，2021年第三季度全球主要晶圓代工廠營(yíng)業(yè)收入紛紛創(chuàng)下新高，根據(jù)CINNO Research數(shù)據(jù)顯示，前十大晶圓代工廠營(yíng)收總額約為272億美元，環(huán)比提升約10%，營(yíng)收環(huán)比平均增幅約為11%。

同時(shí)，受益于5G和高性能計(jì)算機(jī)相關(guān)應(yīng)用推動(dòng)對(duì)先進(jìn)制程的需求，2021年第三季度全球主要晶圓代工廠毛利率進(jìn)一步提升。臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)50%及以上的毛利率目標(biāo)，并仍高于其他晶圓代工廠商。同時(shí)，中芯國(guó)際與華虹宏力的毛利率落后于聯(lián)電，主要因素是制造規(guī)模與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。2021年全球半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)處于上游產(chǎn)能緊缺，下游供給不足的形勢(shì)中，未來(lái)隨著漲價(jià)和擴(kuò)產(chǎn)，晶圓代工企業(yè)在毛利率有望持續(xù)提升。

具體全球前十大晶圓代工廠第三季度經(jīng)營(yíng)情況如下：

   No.1：臺(tái)積電(TSMC)營(yíng)業(yè)收入增至約148.9億美元，位居第一。5G相關(guān)和高性能計(jì)算HPC等應(yīng)用推動(dòng)先進(jìn)制程(7nm及以下)營(yíng)收占比提升至52%，環(huán)比增加約3個(gè)百分點(diǎn)，進(jìn)一步擴(kuò)展臺(tái)積電盈利空間。同時(shí)，應(yīng)用分類方面，智能手機(jī)占比約為44%，仍為臺(tái)積電最大營(yíng)收來(lái)源，IoT營(yíng)收季增23%，為臺(tái)積電營(yíng)收增長(zhǎng)最快平臺(tái)；

   No.2：三星(Samsung)晶圓代工營(yíng)業(yè)收入增至約46.5億美元，居于第二。第三季度，三星調(diào)整晶圓價(jià)格，為其位于韓國(guó)平澤S5擴(kuò)建提供資金。同時(shí)，三星預(yù)計(jì)明年上半年量產(chǎn)3nm GAA 工藝，為其晶圓代工業(yè)務(wù)保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)；

   No.3：聯(lián)華電子(UMC)營(yíng)收增至約20.1億美元，排名第三。第三季度聯(lián)電12英寸晶圓產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化帶動(dòng)出貨量增加。同時(shí)，其混合ASP提升進(jìn)一步拉升聯(lián)電季度營(yíng)收。其中，制程方面，22/28nm 制程營(yíng)收占比最大，約為19%，下游應(yīng)用方面，通訊營(yíng)收占比最高，約為47%；

   No.4：格芯(Global Foundries)營(yíng)收增至約17億美元，排名第四。RFSOI，F(xiàn)inFET，SiGe，SiPh等為格芯技術(shù)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品。2021年格芯與多家業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)簽訂多項(xiàng)長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，保證盈利水平。同時(shí)，除了德累斯頓和新加坡的擴(kuò)張外，格芯或與美國(guó)政府、客戶合作，擴(kuò)大位于紐約馬耳他的最先進(jìn)的制造工廠和總部 Fab 8 工廠；

   No.5：中芯國(guó)際(SMIC)營(yíng)收增至約14.2億美元，排名第五。第三季度，中芯國(guó)際產(chǎn)能利用率約為100.3%，同比增長(zhǎng)約2.5個(gè)百分點(diǎn)，季度出貨片數(shù)同比增加19%。同時(shí)，F(xiàn)inFET/28nm營(yíng)收占比約為18%，環(huán)比提升約4個(gè)百分點(diǎn)，助于營(yíng)收水平提升；

   No.6：華虹集團(tuán)(Hua Hong)營(yíng)收增至約8億美元，排名第六。從營(yíng)收環(huán)比增幅來(lái)看，華虹集團(tuán)環(huán)比提升約23%，增幅第一。第三季度華虹宏力產(chǎn)能利用率繼續(xù)提升，其中受益于產(chǎn)品組合地不斷優(yōu)化，華虹宏力產(chǎn)能利用率增至110.9%，受益于無(wú)錫12寸產(chǎn)能釋放，其12寸產(chǎn)能利用率從 21Q2的104.1%增長(zhǎng)到108.7%；

   No.7：力積電(PSMC)營(yíng)收增至約6.2億美元，排名第七。第三季度，存儲(chǔ)器與邏輯電路分別占比約為45%與55%，其中先進(jìn)制程對(duì)存儲(chǔ)器營(yíng)收貢獻(xiàn)較多，成熟制程工藝對(duì)邏輯電路營(yíng)收貢獻(xiàn)較大。同時(shí)，力積電12英寸產(chǎn)線采用鋁制程，相較于銅制程具有一定成本優(yōu)勢(shì)；

   No.8：世界先進(jìn)(VIS)營(yíng)收增至約4.3億美元，排名第八，營(yíng)收環(huán)比提升約18%，增幅第二，第三季度世界先進(jìn)營(yíng)收主要來(lái)自晶圓代工價(jià)格上漲，產(chǎn)品組合優(yōu)化，同時(shí)，世界先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張，小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC出貨持續(xù)增加；

   No.9：高塔(Tower Jazz)半導(dǎo)體營(yíng)收增至約3.9億美元，排名第九，第三季度0.18-0.11um營(yíng)收占比約為60%，環(huán)比降下1個(gè)百分點(diǎn)，65nm營(yíng)收占比約為21%，環(huán)比提升約3個(gè)百分點(diǎn)，同時(shí)，智能機(jī)占比約為26%，環(huán)比提升1個(gè)百分點(diǎn)，車用占比約為12%，環(huán)比持平；

   No.10：東部高科(DB HiTek)營(yíng)收增至約2.7億美元，排名第十，受益于全球晶圓供需關(guān)系緊張，其富川與陰城工廠產(chǎn)能滿載，帶動(dòng)營(yíng)收進(jìn)一步升高，同時(shí)，東部高科將進(jìn)一步開發(fā)基于下一代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體。

 

按照廠商所屬地域別統(tǒng)計(jì)，2021年第三季度在全球前十大晶圓代工廠中，中國(guó)臺(tái)灣廠商營(yíng)收占比約為65%，環(huán)比下降約1個(gè)百分點(diǎn)，中國(guó)大陸廠商營(yíng)收占比約為8%，環(huán)比持平，韓國(guó)廠商營(yíng)收占比約為19%，環(huán)比提升約1個(gè)百分點(diǎn)，整體看來(lái)，全球晶圓代工市場(chǎng)區(qū)域分布結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)力度激增的影響下，2022年國(guó)內(nèi)晶圓廠將進(jìn)入密集投片期，但由于臺(tái)積電領(lǐng)跑先進(jìn)制程并具有定價(jià)權(quán)，明年依然為中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)晶圓廠獨(dú)大的競(jìng)爭(zhēng)格局。

CINNO Research預(yù)測(cè)，2021年全球晶圓代工市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模預(yù)計(jì)為1,057億美元，較2019年增長(zhǎng)28%。