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日本半導(dǎo)體廠商搶攻車(chē)用SiC半導(dǎo)體市場(chǎng),目標(biāo)2025年擴(kuò)產(chǎn)5-10倍

2021-12-07 來(lái)源:中電網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 日本半導(dǎo)體 SiC

據(jù)日經(jīng)新聞近日?qǐng)?bào)道稱(chēng),為了搶攻電動(dòng)車(chē)(EV)市場(chǎng)商機(jī),多家日本廠商正在積極增產(chǎn)車(chē)用第三代半導(dǎo)體——碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體,其中東芝(Toshiba)被傳出正式計(jì)劃將車(chē)用碳化硅器件產(chǎn)量擴(kuò)增至10 倍。

日經(jīng)新聞稱(chēng),目前各家日本廠商擴(kuò)產(chǎn)的產(chǎn)品主要為用來(lái)供應(yīng)/控制電力的“功率半導(dǎo)體”產(chǎn)品,不過(guò)使用的材料不是現(xiàn)行主流的硅(Si)、而是采用了碳化硅。碳化硅功率半導(dǎo)體使用于電動(dòng)車(chē)逆變器上的話,耗電力可縮減5~8%,可提升續(xù)航距離,目前特斯拉(Tesla)和中國(guó)車(chē)廠已開(kāi)始在部分車(chē)型上使用SiC功率半導(dǎo)體。

報(bào)導(dǎo)指出,因看好來(lái)自電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的需求有急速擴(kuò)大的趨勢(shì),東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝電子元件及儲(chǔ)存裝置(Toshiba Electronic Devices & Storage)”計(jì)劃在2023年度將旗下姬路半導(dǎo)體工廠的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)量擴(kuò)增至2020年度的3倍、之后計(jì)劃在2025年度進(jìn)一步擴(kuò)增至10倍,目標(biāo)最遲在2030年度取得全球一成以上市占率。

羅姆也將投資500億日?qǐng)A、目標(biāo)在2025年之前將碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高至現(xiàn)行的5倍以上。羅姆位于福岡縣筑后市的工廠內(nèi)已蓋好碳化硅新廠房、目標(biāo)2022年啟用。中國(guó)吉利的電動(dòng)車(chē)也已決定采用羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,而羅姆目標(biāo)在早期內(nèi)將全球市占率自現(xiàn)行的近兩成提高至三成。

此外,富士電機(jī)考慮將碳化硅功率半導(dǎo)體開(kāi)始生產(chǎn)的時(shí)間自原先計(jì)劃(2025年)提前半年到1年。