華虹半導體有限公司宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數(shù)字電源、數(shù)字電機驅(qū)動、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應用。

      緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢，華虹半導體最新推出了90納米BCD工藝平臺，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導通電阻，達到業(yè)界先進水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢，該工藝平臺亦提供1.5V CMOS選項，具有更高的邏輯門密度，可有效縮減芯片面積。結(jié)合較少的生產(chǎn)掩模數(shù)，能為客戶提供性價比更優(yōu)的芯片代工方案。同時，該平臺可提供多種器件集成，并配套豐富的數(shù)字單元庫和OTP及MTP嵌入式存儲器選項，增強了設計的集成度和靈活度。在該平臺上，華虹半導體還將繼續(xù)投入研發(fā)資源，提供更豐富的器件類型，并將LDMOS擴展至40V及以上電壓段，覆蓋更廣泛的應用需求。

      此外，華虹半導體持續(xù)8英寸生產(chǎn)線的研發(fā)創(chuàng)新，優(yōu)化升級現(xiàn)有滿足車規(guī)要求的180納米BCD技術(shù)，在相同的擊穿電壓下，導通電阻平均降低約25%，技術(shù)性能顯著提升，達到業(yè)界先進水平。公司將進一步將180納米BCD技術(shù)中的LDMOS的最高電壓由40V擴展至100V，并提供更多電壓段的設計選項，滿足工業(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域需求。同時，集成嵌入式閃存模塊的110納米BCD工藝平臺，可達到車規(guī)級應用要求，實現(xiàn)了高智能化控制與電源管理集成的單芯片解決方案。