中商情報(bào)網(wǎng)訊：低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)（LPCVD）把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入LPCVD設(shè)備的反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)（PECVD）在沉積室利用輝光放電，使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，沉積半導(dǎo)體薄膜材料。

市場(chǎng)規(guī)模

根據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017-2019年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模分別為125億美元、145億美元和155億美元，2020年擴(kuò)大至約172億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為11.2%。

數(shù)據(jù)來(lái)源：Maximize Market Research、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

1.薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)需求穩(wěn)步增長(zhǎng)

 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)一方面長(zhǎng)期受益于全球半導(dǎo)體需求增加與產(chǎn)線產(chǎn)能的擴(kuò)充，另一方面受益于技術(shù)演進(jìn)帶來(lái)的增長(zhǎng)機(jī)遇，包括制程進(jìn)步、多重曝光與 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù)。根據(jù)SEMI 于2020 年6 月發(fā)布的《全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》，2020 年全球新建晶圓廠 21 座，包括中國(guó)大陸的 9 座、臺(tái)灣的 5 座；2021 年全球預(yù)計(jì)開(kāi)工 18個(gè)晶圓廠，其中包括中國(guó)大陸10 座、臺(tái)灣3 座。

根據(jù)中國(guó)國(guó)際招投標(biāo)網(wǎng)公布的信息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、上海華力、華虹無(wú)錫、上海積塔、中芯紹興、合肥晶合等中國(guó)本土晶圓廠正在加大設(shè)備采購(gòu)力度。中國(guó)本土晶圓廠建廠的熱潮將一同引領(lǐng)中國(guó)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的需求增長(zhǎng)。

2.芯片工藝進(jìn)步及結(jié)構(gòu)復(fù)雜化提高薄膜設(shè)備需求

 在薄膜性能方面，先進(jìn)制程的前段工藝對(duì)薄膜均勻性、顆粒數(shù)量控制、金屬污染控制的要求逐步提高。在設(shè)備種類方面，臺(tái)階覆蓋能力強(qiáng)、薄膜厚度控制精準(zhǔn)的ALD 設(shè)備，高深寬比溝槽孔洞填充能力強(qiáng)，沉積速度快的SACVD 等新設(shè)備被引入產(chǎn)線。在新薄膜材料方面，更強(qiáng)絕緣性能（低k）的材料，與低k 材料配套使用的新型阻擋層材料以及光刻工序中新的光掩膜工藝硬掩模層材料得到應(yīng)用。

3.先進(jìn)產(chǎn)線對(duì)薄膜設(shè)備需求量陡增

隨著產(chǎn)線的逐漸升級(jí)，晶圓廠對(duì)薄膜沉積設(shè)備數(shù)量和性能的需求將繼續(xù)隨之提升，在實(shí)現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，對(duì)薄膜沉積設(shè)備的需求量也將相應(yīng)增加。

盡管全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)有較強(qiáng)的周期性，但中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨前所未有的發(fā)展機(jī)遇，國(guó)家戰(zhàn)略聚焦，巨大市場(chǎng)支撐，產(chǎn)業(yè)鏈良性互動(dòng)，產(chǎn)業(yè)資本日漸發(fā)力，大陸及國(guó)際資本投資的晶圓廠數(shù)量不斷增加，制程更加先進(jìn)，中國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)將保持高成長(zhǎng)性，未來(lái)中國(guó)市場(chǎng)的重要性將進(jìn)一步提高。