7月12日，SK海力士官方給出消息稱，開始啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片。按照官方的說法，公司的第四代10nm（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移動端 DRAM（動態(tài)隨機存儲器）產(chǎn)品已經(jīng)在今年7月初開始量產(chǎn)。

SK海力士預(yù)計從下半年開始向智能手機廠商供應(yīng)采用1a納米級技術(shù)的移動端DRAM。

10nm級DRAM產(chǎn)品開始，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點都以標注字母的方式起名，第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm，SK海力士預(yù)計從今年下半年開始就可以向智能手機制造廠商供應(yīng)1a nm級工藝技術(shù)的移動端DRAM產(chǎn)品。這次比較特別的是，SK海力士通過部分采用了EUV（極紫外）技術(shù)，完成了對其穩(wěn)定性的驗證，首次使用EUV光刻設(shè)備進行量產(chǎn)。

SK海力士期待新技術(shù)能帶來生產(chǎn)力的提升，并進一步提升成本競爭力。該公司預(yù)計，與之前的1z nm節(jié)點相比，1anm 技術(shù)將使相同尺寸的晶圓生產(chǎn)的DRAM芯片數(shù)量增加25%。SK海力士預(yù)計，隨著全球DRAM需求的增加，1anm DRAM也可能有助于緩解全球市場的供需狀況。

SK海力士將從明年初開始將1a nm級工藝技術(shù)應(yīng)用于旗下的DDR5產(chǎn)品。在未來，三星和美光都將啟用EUV光刻設(shè)備生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，但美光會更晚一些，按計劃要等到2024年。

去年SK海力士宣布斥資90億美元（約合600億元）收購Intel閃存部門，合并之后有望成為僅次于三星的第二大閃存巨頭，六大原廠將減少為五家。