兆易創(chuàng)新今日宣布，首款自有品牌4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列現(xiàn)已量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)、流片，到封測、驗(yàn)證的全面國產(chǎn)化，助力國產(chǎn)自主供應(yīng)生態(tài)圈的發(fā)展構(gòu)建。

兆易創(chuàng)新副總裁、DRAM事業(yè)部總經(jīng)理胡洪表示，首款自有品牌DRAM產(chǎn)品標(biāo)志著兆易創(chuàng)新正式入局DRAM這一主流存儲市場；未來公司將加速DRAM產(chǎn)品線布局，陸續(xù)推出DDR3、DDR4等接口的不同容量的系列產(chǎn)品。

去年以來，5G、消費(fèi)電子、AI、物聯(lián)網(wǎng)等市場快速發(fā)展，疊加疫情下居家辦公、遠(yuǎn)距學(xué)習(xí)模式，存儲需求大幅拉高，推動存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長。存儲大廠美光CEO也看好產(chǎn)業(yè)存儲需求，指出NAND和DRAM供給面緊俏態(tài)勢將延續(xù)至2022年。

供需缺口拉大下，存儲芯片一路上漲。其中，DRAM Flash Q2報(bào)價漲幅已進(jìn)入全年峰值，從4月至6月累計(jì)漲幅將達(dá)到20~25%。另有業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，Q3 NAND Flash合同市場價漲幅甚至有望超過DRAM。

IC Insights預(yù)計(jì)，全球存儲芯片市場將持續(xù)4年高景氣度，2020-2025年全球存儲芯片市場年復(fù)合增長率將達(dá)10.6％。其中，DRAM和NAND閃存會是2021年增長最快的兩個細(xì)分領(lǐng)域。

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，存儲芯片市場集中度較高，市場中DRAM產(chǎn)品占比約53%，NAND則約為42%。中國存儲芯片市場規(guī)模超3000億元，DRAM和NAND合計(jì)占比達(dá)98%。

然而，存儲器行業(yè)目前主要被海外公司壟斷，大陸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)較晚，因此作為全球存儲最大市場，自給率幾乎為零，國產(chǎn)化勢在必行。

NAND方面，國內(nèi)廠商已有布局。國金證券6月3日指出，SLC 是進(jìn)入MLC、TLC 及 3D的必經(jīng)之路，國內(nèi)廠商具備本土化優(yōu)勢，可以穩(wěn)步占據(jù)供應(yīng)鏈關(guān)鍵位置。

DRAM領(lǐng)域，國內(nèi)廠商也已開啟加速追趕，主要廠商包括兆易創(chuàng)新、福建晉華、合肥長鑫、紫光南京等。其中，國金證券上述研報(bào)指出，兆易創(chuàng)新首款自研DRAM主要面向IPC、TV等消費(fèi)類利基市場，由于工藝制程先進(jìn)，產(chǎn)品具備強(qiáng)勁市場競爭力，收獲期在望。

此外，業(yè)內(nèi)分析人士表示，我國已出臺一系列產(chǎn)業(yè)政策推動國產(chǎn)存儲器發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化比例提升持續(xù)加速。