臺(tái)積電之前曾說(shuō)2納米、1.6納米都無(wú)需2納米EUV光刻機(jī)，不過(guò)日前臺(tái)積電突然改口了，將采購(gòu)2納米EUV光刻機(jī)，這意味著臺(tái)積電在開(kāi)發(fā)2納米、1.6納米工藝的過(guò)程中已遭遇了巨大的困難。

臺(tái)積電之前的說(shuō)法是以現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)就可以量產(chǎn)2納米、1.6納米，這樣可以降低成本，畢竟2納米EUV光刻機(jī)實(shí)在太貴了，它的說(shuō)法曾鼓舞了全球芯片行業(yè)，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新可以進(jìn)一步挖掘EUV光刻機(jī)的潛力。

第一代EUV光刻機(jī)售價(jià)達(dá)到1.2億美元，而2納米EUV光刻機(jī)售價(jià)達(dá)到3.8億美元，2納米EUV光刻機(jī)的昂貴價(jià)格，嚇退了臺(tái)積電，因此臺(tái)積電試圖以現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米工藝，以降低成本。

臺(tái)積電已擁有100多臺(tái)第一代EUV光刻機(jī)，這些設(shè)備已用于生產(chǎn)7納米、5納米以及去年量產(chǎn)的3納米工藝，如果2納米工藝需要采用2納米光刻機(jī)，那么就意味著擁有的100多臺(tái)第一代EUV光刻機(jī)很快就要被拋棄，臺(tái)積電顯然不甘心。

然而如今臺(tái)積電改變了說(shuō)法，就意味著臺(tái)積電終究無(wú)法通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新，來(lái)利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米，將不得不大舉采購(gòu)2納米EUV光刻機(jī)，付出巨額的投資，這讓臺(tái)積電頗為無(wú)奈。

臺(tái)積電在開(kāi)發(fā)3納米工藝的時(shí)候，其實(shí)就已發(fā)現(xiàn)第一代EUV光刻機(jī)面臨局限，臺(tái)積電去年量產(chǎn)的3納米工藝良率僅有55%左右，遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法達(dá)到之前5納米、7納米的九成以上的良率，臺(tái)積電目前正在進(jìn)一步改良3納米工藝，希望今年能達(dá)到九成以上的良率。

臺(tái)積電當(dāng)下的3納米工藝其實(shí)已放棄了一些性能，它繼續(xù)沿用了原來(lái)的FinFET工藝，而三星則已激進(jìn)地采用了GAA工藝，F(xiàn)inFET工藝的性能不如GAA工藝，不過(guò)GAA工藝難度更大，也導(dǎo)致三星的3納米工藝良率低至兩成，但是沿用FinFET工藝的后果就是生產(chǎn)的蘋(píng)果A17處理器性能僅提升一成，這與此前5納米可以提升三成性能差距很大，說(shuō)明FinFET工藝確實(shí)不適合3納米以下工藝。

如此情況下，臺(tái)積電在2納米工藝上勢(shì)必要引入GAA工藝，進(jìn)一步加大工藝的開(kāi)發(fā)難度，繼續(xù)用第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米工藝的困難會(huì)更大；對(duì)比之下，Intel已大舉采購(gòu)2納米EUV光刻機(jī)，并預(yù)期明年就能量產(chǎn)2納米工藝。

臺(tái)積電則希望在2026年量產(chǎn)2納米工藝，如今它發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有的第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米工藝存在巨大的難度，恐怕只能加快采購(gòu)2納米EUV光刻機(jī)了，不過(guò)ASML今年量產(chǎn)的10臺(tái)2納米EUV光刻機(jī)已預(yù)定給Intel了，臺(tái)積電的產(chǎn)能規(guī)模極大，明年的2納米光刻機(jī)就得搶了。

臺(tái)積電的遭遇說(shuō)明人類技術(shù)有局限，特別是芯片工藝在納米工藝時(shí)代都已完全依賴設(shè)備，采用舊設(shè)備生產(chǎn)先進(jìn)工藝難度太高了，強(qiáng)如臺(tái)積電都無(wú)法克服機(jī)器的極限，這對(duì)于中國(guó)的芯片企業(yè)希望利用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)生產(chǎn)5納米工藝無(wú)疑是一大教訓(xùn)，機(jī)器的技術(shù)進(jìn)步實(shí)在太重要了。