近日，中央網(wǎng)信辦、市場(chǎng)監(jiān)管總局、工業(yè)和信息化部聯(lián)合印發(fā)《信息化標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)行動(dòng)計(jì)劃（2024—2027年）》（以下簡(jiǎn)稱《行動(dòng)計(jì)劃》）

《行動(dòng)計(jì)劃》提到，要推進(jìn)關(guān)鍵信息技術(shù)、數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施、數(shù)據(jù)資源、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、信息惠民、數(shù)字文化及數(shù)字化綠色化協(xié)同發(fā)展等8個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)研制，并且圍繞上述領(lǐng)域作出了22項(xiàng)工作部署。

例如在關(guān)鍵信息技術(shù)領(lǐng)域，《行動(dòng)計(jì)劃》指出，要強(qiáng)化通用技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研制。加快基礎(chǔ)軟件標(biāo)準(zhǔn)研制，完善服務(wù)器、桌面、移動(dòng)等通用操作系統(tǒng)及工業(yè)操作系統(tǒng)、新型操作系統(tǒng)等操作系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)，研制關(guān)系型、圖形等數(shù)據(jù)庫(kù)標(biāo)準(zhǔn)，推進(jìn)新型應(yīng)用服務(wù)器、消息、緩存、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等中間件標(biāo)準(zhǔn)制定。

同時(shí)圍繞集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域，加大先進(jìn)計(jì)算芯片、新型存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)攻關(guān)，推進(jìn)人工智能芯片、車用芯片、消費(fèi)電子用芯片等應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)研制。《行動(dòng)計(jì)劃》還指出，要布局新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)。完善人工智能標(biāo)準(zhǔn)，強(qiáng)化通用性、基礎(chǔ)性、倫理、安全、隱私等標(biāo)準(zhǔn)研制。加快推進(jìn)大模型、生成式人工智能標(biāo)準(zhǔn)研制。


存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)加速回暖

隨著手機(jī)、PC及服務(wù)器等行業(yè)市場(chǎng)需求的逐漸復(fù)蘇，加上存儲(chǔ)原廠產(chǎn)能削減措施的逐步實(shí)施，部分大類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已觸底反彈，步入上升通道。

漲價(jià)潮令上游存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)加速回暖。


三星電子：利潤(rùn)暴增931.3%，創(chuàng)歷史最高

在行業(yè)復(fù)蘇的背景下，三星電子憑借其在內(nèi)存芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的暴漲，為行業(yè)帶來(lái)強(qiáng)烈的震動(dòng)。

4月5日，三星電子表示，隨著芯片價(jià)格反彈，預(yù)計(jì)第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將增長(zhǎng)931%。（三星將于4月30日公布包含詳細(xì)的完整財(cái)報(bào)）

從三星此次公布的財(cái)務(wù)預(yù)報(bào)來(lái)看，當(dāng)季營(yíng)收約為71萬(wàn)億韓元，同比上漲11.4%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)大幅上漲至6.6萬(wàn)億韓元，同比暴增931.3%。

近幾個(gè)季度以來(lái)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格的持續(xù)上漲起到了積極作用。早在去年四季度，三星就開(kāi)始率先對(duì)其存儲(chǔ)芯片進(jìn)行了漲價(jià)。據(jù)此前消息顯示，三星在去年四季度對(duì)NAND Flash芯片報(bào)價(jià)上調(diào)10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季漲價(jià)20%，漲價(jià)幅度遠(yuǎn)超乎業(yè)界預(yù)期。

在漲價(jià)的同時(shí)，三星還對(duì)于NAND Flash和DRAM進(jìn)行了增產(chǎn)。

NAND方面，三星電子正在提升其位于中國(guó)西安NAND Flash閃存廠的產(chǎn)能利用率，目前已恢復(fù)到了70%左右。自2023年二季度減產(chǎn)之后，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是隨著2023年四季度市場(chǎng)需求的回暖，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率也開(kāi)始逐步回升。

DRAM方面，三星電子的目標(biāo)是到2024年第四季度晶圓產(chǎn)量達(dá)到200萬(wàn)片，比去年的數(shù)字增長(zhǎng)41%。三星現(xiàn)在的目標(biāo)是通過(guò)提高生產(chǎn)水平來(lái)挽回?fù)p失的利潤(rùn)，預(yù)計(jì)未來(lái)需求將會(huì)增加。

三星電子憑借其先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和龐大的產(chǎn)能規(guī)模，成功抓住了市場(chǎng)機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)的快速增長(zhǎng)。其中，內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的銷售額和利潤(rùn)的大幅增長(zhǎng)，成為推動(dòng)公司整體業(yè)績(jī)提升的重要力量。

在日前舉行的年度股東大會(huì)上，三星預(yù)計(jì)2024年旗下存儲(chǔ)半導(dǎo)體部門銷售額有望恢復(fù)至2022年的水平，同時(shí)還定下了更高的目標(biāo)——要在兩到三年內(nèi)，重新奪回全球芯片市場(chǎng)第一的位置。

除了芯片周期的回暖，三星還可能在近期迎來(lái)更多好消息。

上個(gè)月，英偉達(dá)CEO黃仁勛暗示，英偉達(dá)有意采購(gòu)三星的HBM芯片。有韓媒爆料稱，英偉達(dá)最快將從9月開(kāi)始大量購(gòu)買三星電子的12層HBM3E。倘若消息落實(shí)，這將為三星電子未來(lái)的業(yè)績(jī)進(jìn)一步增長(zhǎng)帶來(lái)潛在動(dòng)力。


美光科技：HBM在2024年銷售一空

3月20日，美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光公布了截至2024年2月29日的2024財(cái)年第二季財(cái)報(bào)，美光第二財(cái)季受益于DRAM和NAND Flash需求及價(jià)格同步上升，該季營(yíng)收58億美元，同比大漲58%，環(huán)比增長(zhǎng)23%。

從具體產(chǎn)品劃分收入構(gòu)成來(lái)看，美光第二財(cái)季DRAM收入環(huán)比增長(zhǎng)21%至42億美元，占總收入的71%。這主要得益于該季DRAM平均價(jià)格上漲了10%，出貨量也有個(gè)位數(shù)百分比的增長(zhǎng)；第二財(cái)季NAND收入環(huán)比增長(zhǎng)了27%至16億美元，占美光總收入的27%。

根據(jù)此前美光公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，其第二財(cái)季DRAM平均價(jià)格上漲了10%；NAND Flash的平均價(jià)格漲幅超過(guò)了30%。

同時(shí)財(cái)報(bào)也顯示，產(chǎn)品漲價(jià)帶動(dòng)了美光的整體毛利率提升了19個(gè)百分點(diǎn)。據(jù)悉，美光在該季營(yíng)收、毛利率、凈利均大超預(yù)期，并成功結(jié)束連續(xù)五個(gè)季度的虧損，扭虧為盈。

從各應(yīng)用領(lǐng)域收入來(lái)看，來(lái)自數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的營(yíng)收增長(zhǎng)是最為迅猛，環(huán)比增長(zhǎng)超過(guò)一倍。這主要得益于AI服務(wù)器的需求正在推動(dòng)HBM、DDR5和數(shù)據(jù)中心SSD的快速增長(zhǎng)。這進(jìn)而也導(dǎo)致了先進(jìn)的DRAM和NAND的供應(yīng)處于供不應(yīng)求當(dāng)中，對(duì)所有存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)終端市場(chǎng)的定價(jià)產(chǎn)生了積極的連鎖反應(yīng)。

美光在財(cái)報(bào)中強(qiáng)調(diào)：“我們的HBM在2024年銷售一空，2025年的絕大多數(shù)供應(yīng)已經(jīng)分配完畢。我們繼續(xù)預(yù)計(jì)HBM比特份額將在2025年的某個(gè)時(shí)候與我們的整體DRAM比特份額相等?！?/span>

美光預(yù)計(jì)，接下來(lái)每個(gè)季度的芯片價(jià)格都會(huì)上漲，重申2025財(cái)年將實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的收入，云收入也將呈現(xiàn)季度翻倍增長(zhǎng)，同時(shí)客戶的庫(kù)存已經(jīng)減少，急需補(bǔ)充新品。

不過(guò)需要指出的是，2024財(cái)年，美光的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)動(dòng)力主要還是來(lái)自于DRAM和NAND Flash的價(jià)格上漲及需求的增長(zhǎng)。而HBM所能夠?yàn)槊拦鈳?lái)的營(yíng)收貢獻(xiàn)仍比較有限。

美光最新業(yè)績(jī)以及業(yè)績(jī)展望數(shù)據(jù)表明，美光已經(jīng)熬過(guò)整個(gè)芯片行業(yè)周期的最糟糕時(shí)期，并且重新走向盈利模式，AI熱潮帶來(lái)的存儲(chǔ)需求激增可謂核心驅(qū)動(dòng)力。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在業(yè)績(jī)會(huì)議上向投資者承諾，2024年將標(biāo)志著存儲(chǔ)行業(yè)大幅反彈，2025年則將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的銷售額水平。但這也意味著美光需要加大產(chǎn)能制造足夠數(shù)量的HBM存儲(chǔ)，這需要與英偉達(dá)等AI芯片廠商緊密合作，幫助數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商們加快AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)步伐以及開(kāi)發(fā)更多的人工智能軟件。


SK海力士：率先扭虧為盈

SK海力士是存儲(chǔ)巨頭中率先實(shí)現(xiàn)全公司單季度扭虧的公司。

據(jù)財(cái)報(bào)顯示，SK海力士2023財(cái)年第四季度結(jié)合并收入為11.306萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為0.346萬(wàn)億韓元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。SK海力士?jī)H時(shí)隔一年就擺脫了從2022年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損。

順應(yīng)高性能DRAM需求的增長(zhǎng)趨勢(shì)，SK海力士將順利進(jìn)行用于AI的存儲(chǔ)器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，同時(shí)將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時(shí)供應(yīng)于服務(wù)器和移動(dòng)端市場(chǎng)。

對(duì)于市況復(fù)蘇相對(duì)緩慢的NAND閃存，SK海力士2023年主要集中于投資和費(fèi)用的效率化。后續(xù)，SK海力士決定通過(guò)以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴(kuò)大銷售，改善盈利并加強(qiáng)內(nèi)部管理。

除此之外，從鎧俠、西部數(shù)據(jù)以及存儲(chǔ)器終端廠商發(fā)布的最新財(cái)報(bào)中也可以看出，各大廠商業(yè)績(jī)均迎來(lái)較好表現(xiàn)。

存儲(chǔ)企業(yè)迎來(lái)收獲期？

按照Gartner的數(shù)據(jù)，2023年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為5330億美元，同比下滑了11%，是最近3年以來(lái)，最低的一次。

而其中存儲(chǔ)芯片跌的最慘，NAND閃存跌了37.5%，DRAM內(nèi)存跌了38.5%，整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，預(yù)計(jì)跌了38%左右。

為此，三星、SK海力士、美光這三大存儲(chǔ)芯片廠商，在2023年全年，虧損值超過(guò)1500億元，將過(guò)去1-2年的利潤(rùn)，可能都虧完了。

不過(guò)，在2023年的4季度，因?yàn)槭袌?chǎng)需求恢復(fù)，手機(jī)、PC、電子產(chǎn)品，服務(wù)器等的出貨量開(kāi)始增長(zhǎng)，全球DRAM（內(nèi)存）和NAND閃存的價(jià)格均實(shí)現(xiàn)了3%至8%的上漲。

很明顯，存儲(chǔ)芯片的低谷已經(jīng)過(guò)去了， 接下來(lái)存儲(chǔ)芯片，又要進(jìn)入漲價(jià)收獲期了。

機(jī)構(gòu)認(rèn)為，2024年，DRAM和NAND閃存的需求將在各類AI應(yīng)用中持續(xù)增長(zhǎng)，包括智能手機(jī)、服務(wù)器和筆記本電腦，特別是服務(wù)器的增長(zhǎng)，將大大促進(jìn)DRAM產(chǎn)品的增長(zhǎng)。

具體來(lái)看，Gartner預(yù)測(cè)半導(dǎo)體內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)到66.6%，細(xì)分的話，其中DRAM的增長(zhǎng)率將達(dá)到88.0%，NAND閃存的增長(zhǎng)則為49.6%。

這個(gè)增長(zhǎng)，從兩個(gè)方面來(lái)體現(xiàn)，一是價(jià)格上漲，機(jī)構(gòu)認(rèn)為隨著供求關(guān)系恢復(fù)，價(jià)格會(huì)上漲，價(jià)格最終可能會(huì)上漲40-60%，甚至最高可能達(dá)到65%的漲幅。

二是銷量會(huì)增長(zhǎng)，因?yàn)樾枨笤黾?，大家的出貨是也?huì)增加，價(jià)格上漲，銷量增長(zhǎng)，最終總規(guī)模則實(shí)現(xiàn)真正大幅度上漲。

而在這樣的瘋狂之下，大賺特賺的，估計(jì)也就是2023年大虧特虧的這三大存儲(chǔ)芯片廠商了。


存儲(chǔ)芯片的發(fā)展前景

市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)：根據(jù)中研網(wǎng)發(fā)布的《2024年存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展前景分析》，預(yù)測(cè)2024年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至5513億元。這表明存儲(chǔ)芯片行業(yè)具有強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭，市場(chǎng)潛力巨大。

應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展：存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、手機(jī)、平板等電子設(shè)備中，同時(shí)也逐漸滲透到智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)、智能家居等新興領(lǐng)域。隨著這些領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲(chǔ)芯片的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。

服務(wù)器市場(chǎng)帶動(dòng)增長(zhǎng)：根據(jù)TrendForce的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，服務(wù)器DRAM市場(chǎng)對(duì)增長(zhǎng)起到更大作用。特別是AI服務(wù)器對(duì)大容量、高速的內(nèi)存支持需求增加，將進(jìn)一步推動(dòng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的發(fā)展。

競(jìng)爭(zhēng)格局變化：隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，競(jìng)爭(zhēng)格局也在發(fā)生變化。國(guó)內(nèi)外廠商紛紛加大研發(fā)投入，推出更高性能、更低成本的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，以搶占市場(chǎng)份額。