據(jù)內(nèi)存控制器和PHY IP供應(yīng)商Synopsys介紹，下一代PC DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)（區(qū)別于GDDR6）將在今年內(nèi)完成初始草案，正式的1.0版本規(guī)范或于2025年第二季度內(nèi)完成。DDR6內(nèi)存將從8800MT/s起步，最高可達(dá)DDR6-17660，并且可在未來(lái)擴(kuò)展至DDR6-21333。

當(dāng)前DDR5的JEDEC最高速度是DDR5-8400，DDR6-17600帶寬將是它的兩倍。若是同DDR4的初始速度DDR-2133相比，DDR6-21333的帶寬將是前者的10倍。JEDEC暫時(shí)還沒(méi)有確定DDR6將采用PAM還是NRZ信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)。

除DDR6之外還有LPDDR6的消息。針對(duì)手機(jī)和輕薄計(jì)算設(shè)備的LPDDR6將從LPDDR6-10677起跳，最高可達(dá)LPDDR6-14400。

LPDDR6將具有2個(gè)12位子通道，并引入多項(xiàng)提升安全和能效表現(xiàn)的新功能。

AMD ZEN6架構(gòu)每個(gè)CCD可提供多達(dá)32個(gè)核心：ZEN 4c和ZEN 5c架構(gòu)的每個(gè)CCD可提供最多16個(gè)核心，而根據(jù)最新的爆料，未來(lái)ZEN6架構(gòu)（有可能是ZEN 6c）的CCD可塞入多達(dá)32個(gè)核心。

目前還不清楚32核心的ZEN6 CCD將使用單個(gè)CCX包含全部32核心（所有核心共享L3緩存），還是像Zen 4c那樣分為兩個(gè)CCX（CCX內(nèi)核心共享L3緩存）。更多的核心數(shù)量將受到數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算客戶的歡迎，當(dāng)然個(gè)人電腦用戶也有機(jī)會(huì)從中受益。


DDR內(nèi)存將繼續(xù)上漲

在集邦咨詢發(fā)布的最新分析報(bào)告中，預(yù)測(cè)了2024年DDR內(nèi)存市場(chǎng)的整體經(jīng)濟(jì)走勢(shì)，其中指出，該市場(chǎng)在第一季度將呈現(xiàn)約20%的增長(zhǎng)幅度。報(bào)告進(jìn)一步預(yù)計(jì)，進(jìn)入第二季度時(shí)，盡管市場(chǎng)仍將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，但增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將回落至3%至8%的區(qū)間。

此輪價(jià)格上漲主要?dú)w因于兩個(gè)核心因素：一是本年度對(duì)內(nèi)存需求的減弱；二是自去年第四季度起，供應(yīng)鏈已實(shí)施連續(xù)且顯著的價(jià)格上調(diào)，因此缺乏持續(xù)上漲的動(dòng)力。

細(xì)分到不同產(chǎn)品領(lǐng)域，報(bào)告顯示個(gè)人計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)品，在第一季度價(jià)格增幅介于15%-20%，包括DDR4和DDR5兩種規(guī)格在內(nèi)的所有產(chǎn)品線都受到了影響，無(wú)一例外。

盡管人工智能（AI）個(gè)人電腦概念當(dāng)前受到市場(chǎng)的熱烈關(guān)注，但由于該行業(yè)仍處于起步階段，短期內(nèi)的市場(chǎng)前景仍需進(jìn)一步觀察，這同樣影響了對(duì)于高性能DDR5內(nèi)存的需求動(dòng)力。

在服務(wù)器領(lǐng)域，內(nèi)存價(jià)格亦出現(xiàn)了15%-20%的上漲。移動(dòng)設(shè)備端的漲幅更是顯著，達(dá)到了18%-23%。

此外，消費(fèi)電子類(lèi)產(chǎn)品也經(jīng)歷了10%-15%的價(jià)格上漲，其中DDR3型號(hào)的產(chǎn)品漲勢(shì)更為溫和，介于8%-13%，而DDR4型號(hào)則符合整體的10%-15%的漲幅范圍。

顯卡所用的顯存價(jià)格亦有顯著上升，漲幅為13%-18%，特別是針對(duì)2GB GDDR6規(guī)格的需求表現(xiàn)強(qiáng)勁。然而，由于制造商們逐步轉(zhuǎn)向更高利潤(rùn)率的HBM產(chǎn)品線，對(duì)GDDR產(chǎn)品的投資與規(guī)劃顯示出一種保守態(tài)度。

在進(jìn)入第二季度之際，預(yù)期將見(jiàn)到各業(yè)務(wù)領(lǐng)域內(nèi)價(jià)格的上升，增長(zhǎng)幅度預(yù)計(jì)介于3至8%之間。然而，值得注意的是，移動(dòng)端DDR4內(nèi)存的價(jià)格增幅將超出這一平均水平，其預(yù)期的增長(zhǎng)率為5%至10%。


中國(guó)臺(tái)灣內(nèi)存制造商希望 DDR4 能助力 2024 年增長(zhǎng)

預(yù)計(jì)DDR4今年將進(jìn)入生命周期的成熟階段，從而帶來(lái)銷(xiāo)量和價(jià)格的上漲。因此，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，中國(guó)臺(tái)灣的內(nèi)存制造商和無(wú)晶圓廠公司正更加重視這一市場(chǎng)。市場(chǎng)擔(dān)心韓國(guó)制造商在重新集中生產(chǎn)精力時(shí)會(huì)停產(chǎn)過(guò)時(shí)的 DDR3 產(chǎn)品。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，DDR3 向 DDR4 的轉(zhuǎn)變已經(jīng)開(kāi)始，中國(guó)臺(tái)灣內(nèi)存制造商將從 2024 年開(kāi)始優(yōu)先考慮 DDR4 以提高收入。出貨量和平均銷(xiāo)售價(jià)格 (ASP) 的結(jié)合將有助于他們今年的增長(zhǎng)。

消息人士稱(chēng)，雖然 DRAM 合同價(jià)格穩(wěn)步上漲，但 2024 年上半年利基市場(chǎng) DDR3 的價(jià)格漲幅仍然相當(dāng)溫和。

南亞科技、華邦電子、晶晨半導(dǎo)體（ESMT）等中國(guó)臺(tái)灣內(nèi)存公司在 2024 年第一季度仍處于虧損狀態(tài)。

2024 年第一季度，利基內(nèi)存 IC 設(shè)計(jì)公司 ESMT 虧損約 5796 萬(wàn)新臺(tái)幣（179 萬(wàn)美元）。與上一季度的 5.9 億新臺(tái)幣虧損和去年同期的 3.7 億新臺(tái)幣虧損相比，這是一個(gè)很大的改善。

ESMT也意識(shí)到，2024年中國(guó)臺(tái)灣廠商將從DDR4獲得新的發(fā)展前景，因?yàn)槿蛑饕獌?nèi)存供應(yīng)商主要集中在DDR5或HBM內(nèi)存上。內(nèi)存產(chǎn)品每?jī)傻饺昃蜁?huì)更新一次。

目前，DDR4 已接近 DDR3 階段的過(guò)渡，預(yù)計(jì)將推動(dòng)價(jià)格和銷(xiāo)量的上漲。據(jù) ESMT 預(yù)測(cè)，出貨量將大幅攀升，芯片平均售價(jià)也將上漲。