據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，三大原廠開(kāi)始提高先進(jìn)制程的投片，繼存儲(chǔ)器合約價(jià)翻揚(yáng)后，公司資金投入開(kāi)始增加，產(chǎn)能提升將集中在今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現(xiàn)佳，加上需求持續(xù)看增，故生產(chǎn)順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產(chǎn)能來(lái)看，至年底HBM將占先進(jìn)制程比重35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(X)與DDR5產(chǎn)品。

以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，TrendForce集邦咨詢表示，今年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在今年下半年出貨。目前SK海力士（SK hynix）依舊是主要供應(yīng)商，與美光（Micron）均采用1beta nm制程，兩家業(yè)者現(xiàn)已正式出貨給英偉達(dá)（NVIDIA）；三星（Samsung）則采用1alpha nm制程，預(yù)期今年第二季完成驗(yàn)證，于年中開(kāi)始交付。

預(yù)期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加，將消耗更多先進(jìn)制程產(chǎn)能

除了HBM需求占比持續(xù)增加，PC、服務(wù)器、智能手機(jī)三大應(yīng)用單機(jī)搭載容量增長(zhǎng)，故對(duì)于先進(jìn)制程的消耗量也逐季提升，其中又以服務(wù)器的容量提升最高，主要受惠于單機(jī)搭載容量1.75TB的AI服務(wù)器所帶動(dòng)。而隨著Intel、AMD新平臺(tái)Sapphire Rapids、Genoa量產(chǎn)后，其存儲(chǔ)器規(guī)格僅能采用DDR5，預(yù)期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。

與此同時(shí)，由于HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬存儲(chǔ)器需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場(chǎng)預(yù)期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響，原廠產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃也較謹(jǐn)慎。整體而言，在HBM投片比重?cái)U(kuò)大的情況下，將使得先進(jìn)制程產(chǎn)出有限，下半年產(chǎn)能配置將是供給是否充足的關(guān)鍵。


受到HBM產(chǎn)能排擠，若先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張不足，DRAM產(chǎn)品恐面臨供不應(yīng)求

目前新廠規(guī)劃如下，三星現(xiàn)有廠房2024年底產(chǎn)能大致滿載，新廠房P4L規(guī)劃于2025年完工，同時(shí)Line15廠區(qū)將進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換，由1Ynm轉(zhuǎn)換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產(chǎn)能預(yù)計(jì)擴(kuò)大，M15X同樣亦規(guī)劃于2025年完工，并于明年底量產(chǎn)。美光臺(tái)灣地區(qū)廠區(qū)將于明年恢復(fù)至滿載，后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張將以美國(guó)廠為主，Boise廠區(qū)預(yù)期于2025年完工并陸續(xù)移機(jī)，并計(jì)劃于2026年量產(chǎn)。

TrendForce集邦咨詢表示，盡管三大原廠的新廠將于2025年完工，但部分廠房后續(xù)的量產(chǎn)時(shí)程尚未有明確規(guī)劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續(xù)擴(kuò)大采購(gòu)機(jī)臺(tái)，這也進(jìn)一步推動(dòng)三大原廠堅(jiān)守存儲(chǔ)器價(jià)格今年漲勢(shì)。除此之外，由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規(guī)格為HBM3e 192/384GB，預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來(lái)HBM4研發(fā)，若投資沒(méi)有明顯擴(kuò)大，因各家產(chǎn)能規(guī)劃皆以HBM為優(yōu)先，在產(chǎn)能排擠的效應(yīng)之下，DRAM產(chǎn)品恐有供應(yīng)不及的可能性。


2024年，存儲(chǔ)行業(yè)步入上行周期

眼下存儲(chǔ)芯片最核心的三大應(yīng)用市場(chǎng)，即手機(jī)、PC和服務(wù)器，已基本突破了“黑暗期”。同時(shí)，以智能汽車、AI為代表的新興市場(chǎng)的興起，將在未來(lái)推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的需求進(jìn)一步增加。

從行業(yè)角度看，根據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，不論是DRAM還是NAND Flash，2024年的整體存儲(chǔ)合約均價(jià)有望呈現(xiàn)逐季上漲態(tài)勢(shì)，同時(shí)通過(guò)觀察以三星、SK海力士為代表的頭部存儲(chǔ)廠商近期業(yè)績(jī)的環(huán)比改善變化，存儲(chǔ)行業(yè)有望在2024年步入上行周期。

有業(yè)內(nèi)人士表示，去年三、四季度是存儲(chǔ)大廠減產(chǎn)限制供應(yīng)所帶動(dòng)的漲價(jià)；而如今漲價(jià)主要是因?yàn)樾滦枨笤黾铀鶐?dòng)的，接下來(lái)延續(xù)漲價(jià)沒(méi)有懸念。

此前韓國(guó)公布今年3月份芯片出口額年增35.7%，達(dá)到117億美元，創(chuàng)下2022年3月以來(lái)的最佳單月表現(xiàn)。這一數(shù)據(jù)也顯示出，目前半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷低谷之后，已經(jīng)開(kāi)始逐步反彈。

TrendForce集邦咨詢的統(tǒng)計(jì)顯示，今年一季度DRAM芯片價(jià)格較前一季度增加約20%，而NAND Flash芯片價(jià)格漲幅在23%-28%之間。展望第二季度，TrendForce預(yù)估DRAM合約價(jià)季漲幅將為3%-8%；預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13%-18%。

調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole也表示，2024年DRAM市場(chǎng)“前景光明”，這是因?yàn)楣S利用率較低，制造商庫(kù)存已經(jīng)正?；?，供需平衡已經(jīng)建立。

數(shù)據(jù)中心對(duì)人工智能加速器的需求持續(xù)增長(zhǎng)，也推動(dòng)了對(duì)HBM的需求增加，HBM的平均售價(jià)約為DRAM整體平均售價(jià)的六倍。數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器是DRAM需求最大的市場(chǎng)，約占2023年DRAM出貨量的50%。隨著HBM和CXL等新技術(shù)的建立，對(duì)數(shù)據(jù)中心的需求預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng)。此外，受COVID-19大流行期間購(gòu)買替換PC的需求以及支持生成式AI的新型智能手機(jī)的需求的推動(dòng)，消費(fèi)設(shè)備對(duì)DRAM的需求也在增加。

Yole預(yù)計(jì)NAND市場(chǎng)將在2024年復(fù)蘇。隨著個(gè)人電腦和高端智能手機(jī)融入新一代人工智能技術(shù)，消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求將會(huì)增加，數(shù)據(jù)中心對(duì)固態(tài)硬盤的需求預(yù)計(jì)也會(huì)增加。制造商的過(guò)剩庫(kù)存將通過(guò)利用率管理得到消除，市場(chǎng)將出現(xiàn)輕微供應(yīng)不足的情況，預(yù)計(jì)2024年全年產(chǎn)品價(jià)格將上漲。受此影響，下半年行業(yè)整體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率或?qū)⑥D(zhuǎn)正。

可見(jiàn)，存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來(lái)了第二個(gè)春天。


三大巨頭壟斷市場(chǎng)

國(guó)產(chǎn)替代任重而道遠(yuǎn)

在經(jīng)歷了2023年最低谷之后，2024年的存儲(chǔ)芯片迎來(lái)了曙光，事實(shí)上這個(gè)反轉(zhuǎn)在2023年4季度就開(kāi)始了，那一個(gè)季度，DRAM、NAND就漲了15-20%左右。

而2024年一季度，也漲了10-15%左右，于是各大存儲(chǔ)芯片廠，一季度業(yè)績(jī)大增。

比如三星，其業(yè)績(jī)預(yù)告，一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將增長(zhǎng)931%，為何增長(zhǎng)這么多，原因就是存儲(chǔ)芯片價(jià)格大漲。

再看SK海力士，一季度營(yíng)收12.4296萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)了144.3%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.886萬(wàn)億韓元（151.8036億元人民幣），而去年同期是虧損3.4023萬(wàn)億韓元。

再看美光，第一財(cái)報(bào)（截止于2月29日），營(yíng)收58億美元，同比大漲58%，環(huán)比增長(zhǎng)23%。

而這三大廠，合計(jì)拿下了全球80%以上的DRAM+NAND市場(chǎng)的份額，基本上代表的就是整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)了。所以說(shuō)，存儲(chǔ)芯片在經(jīng)歷了一年多慘烈的下滑之后， 終于恢復(fù)上漲，活過(guò)來(lái)了，而預(yù)計(jì)接下來(lái)還會(huì)繼續(xù)漲，2024年內(nèi)有望再漲30%-50%。

而這一波上漲，韓國(guó)肯定是最興奮的，因?yàn)轫n國(guó)三星、SK海力士這兩大廠商就拿下了全球60%以上的份額，一旦存儲(chǔ)芯片上漲，自然賺的最多。韓國(guó)之后才是美國(guó)、日本……

而中國(guó)自然是最受傷的，因?yàn)橹袊?guó)的存儲(chǔ)芯片自給率不足10%，90%以上要靠進(jìn)口，每年進(jìn)口存儲(chǔ)芯片的金額超過(guò)1000億美元。

只要存儲(chǔ)芯片漲40%，每年就要多付出400億美元的進(jìn)口金額，這就是近3000億，要是漲50%，60%呢？自然付的就更多，受傷更嚴(yán)重了，所以國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片要加油，目前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)份額只有5%左右，還有巨大的提升空間。