美國唯一一家專門生產(chǎn)傳感器、電源和高壓半導體的制造商Polar Semiconductor（“Polar”或“公司”）宣布計劃擴建其布盧明頓工廠，明尼蘇達州的制造工廠，并涉足創(chuàng)新技術，為新客戶和市場提供服務。

Polar 預計在未來兩年內投資約 5.25 億美元用于擴建該設施，但須獲得適當?shù)呐鷾室约奥?lián)邦、州和地方的激勵措施。Polar 已與商務部簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄，根據(jù)該備忘錄，作為美國芯片和科學法案的一部分，Polar 將獲得 1.2 億美元的擬議直接資金，以及明尼蘇達州的 7500 萬美元投資。

此外，Polar 還簽訂了一份最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，Niobrara Capital 和 Prysm Capital 將牽頭進行 1.75 億美元的股權投資，使 Polar 能夠轉型為美國獨資的商業(yè)代工廠。Polar 計劃申請財政部的投資稅收抵免，預計最高可達合格資本支出的 25%。


通過這些投資，Polar 期望：

將美國目前200mm半導體晶圓產(chǎn)能翻倍，產(chǎn)量從每月約20,000片晶圓增加到每月近40,000片晶圓；

通過新的自動化和人工智能功能擴展和現(xiàn)代化其設施，通過規(guī)模經(jīng)濟提高全球競爭力；

以尖端半導體產(chǎn)品更好地服務美國汽車、航天與國防、光電、MEMS、醫(yī)療器械等領域客戶；

創(chuàng)造 160 多個新就業(yè)崗位，進一步加強 Polar 對社區(qū)的支持。

Polar Semiconductor 總裁兼首席運營官 Surya Iyer 表示：“我們非常高興地宣布對明尼蘇達州半導體制造的這項歷史性投資。我們擴大的制造設施將使我們能夠提高產(chǎn)能并涉足創(chuàng)新技術，以服務新客戶和市場。Polar 及其員工感謝美國商務部和明尼蘇達州對美國半導體制造業(yè)未來的承諾，并贊賞與明尼蘇達州就業(yè)和經(jīng)濟發(fā)展部 (“DEED”) CHIPS 項目辦公室的密切合作以及明尼蘇達州布盧明頓市參與整個過程。

Polar 還很高興地歡迎 Niobrara Capital 和 Prysm Capital 的重大股權投資，這將使該公司成為美國公司，并感謝我們的長期合作伙伴 Sanken Electric 和 Allegro MicroSystems 的持續(xù)支持。”


美國對芯片產(chǎn)業(yè)提供巨額補貼

在剛剛過去的4月，臺積電、三星、美光接連獲得美國政府資金補貼。據(jù)不完全統(tǒng)計，已經(jīng)有7家半導體企業(yè)獲得美國政府資金補貼。

美國《芯片與科學法案》于2022年8月頒布，計劃撥款超過527億美元資金，用于扶持美國半導體研發(fā)、制造和勞動力發(fā)展。其中390億美元作為直接撥款，補貼給半導體生產(chǎn)廠商。

業(yè)內人士接受《中國電子報》記者采訪時表示，美方對本土芯片產(chǎn)業(yè)提供巨額補貼和稅收優(yōu)惠，部分條款逼迫企業(yè)棄中就美，具有明顯的歧視性，嚴重違背了市場規(guī)律和國際經(jīng)貿規(guī)則，將對全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈造成扭曲。


美光獲61.4億美元補貼

當?shù)貢r間4月25日，美國最大的計算機存儲芯片制造商美光科技宣布，將從美國聯(lián)邦政府獲得61.4億美元的直接資金，用于在紐約建設兩座DRAM晶圓廠，在愛達荷州新建一家DRAM晶圓廠。除61億美元的政府撥款外，美光也有資格獲得美國財政部的投資稅收抵免，這將為合格的資本投資提供25%的抵免。此外紐約州政府也將提供價值55億美元的激勵措施。


三星獲64億美元補貼

當?shù)貢r間4月15日，美國商務部宣布，將向三星提供64億美元的直接補貼，支持該公司在得克薩斯州建設計算機芯片制造和研發(fā)產(chǎn)業(yè)集群。此外三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預期能夠覆蓋合規(guī)資本支出的25%。

據(jù)悉，三星將對其位于得州奧斯汀的原有晶圓廠進行擴建，同時在奧斯汀東北方向的泰勒市新建兩座專注于大規(guī)模生產(chǎn)4nm和2nm工藝制程芯片的晶圓廠、一座研發(fā)工廠和一座先進封裝設施。

臺積電獲66億美元補貼

當?shù)貢r間4月8日，美國商務部宣布，將向臺積電（TSMC）發(fā)放66億美元的直接資金補貼，并提供50億美元的低息政府貸款，用于支持臺積電在亞利桑那州新建設三座新的尖端芯片廠。

臺積電透露，依進度規(guī)劃，亞利桑那州首座晶圓廠將于2025年上半年開始生產(chǎn)4納米制程芯片，第二座廠除了采用3納米技術，還將于2028年生產(chǎn)采用下一世代納米片（Nanosheet）晶體管結構的2納米制程芯片。至于第三座晶圓廠，預計將在21世紀20年代末（2029年至2030年）采用2納米或更先進的制程技術進行芯片生產(chǎn)。


英特爾獲85億美元補貼

當?shù)貢r間3月20日，美國商務部和英特爾簽署非約束性的初步條款備忘錄，擬通過《芯片和科學法案》為英特爾提供85億美元的直接資金補貼和110億美元的聯(lián)邦貸款擔保，以推進其在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的商用半導體項目。其中，英特爾在俄亥俄州的新建晶圓廠將耗資逾200億美元，預計該廠將于2027年或2028年投產(chǎn)。據(jù)悉，俄亥俄州的工廠將生產(chǎn)人工智能芯片。


格芯獲15億美元補貼

當?shù)貢r間2月19日，美國政府表示，將向Global Foundries（格芯）提供15億美元資金，以支持其在紐約州馬爾他興建新廠，并擴大當?shù)嘏c佛蒙特州伯靈頓（Burlington）既有的生產(chǎn)規(guī)模。此外，政府還將提供給格芯16億美元的貸款，最終帶動投資在120億美元左右。


微芯獲1.62億美元補貼

當?shù)貢r間1月4日，美國商務部宣布，向Microchip Technology（微芯）提供1.62億美元的政府補貼，以提高該公司芯片和微控制器（MCU）的產(chǎn)量。據(jù)悉，該筆補貼將分為兩個部分，第一部分約為9000萬美元，用于擴建Microchip Technology在美國科羅拉多州的一家制造工廠，第二部分約為7200萬美元，用于擴建在美國俄勒岡州的一家工廠。


全球半導體產(chǎn)業(yè)格局出現(xiàn)新變化

全球半導體供應鏈呈現(xiàn)高度專業(yè)化，不同地區(qū)在不同領域具有優(yōu)勢。

比如，總部在美國的公司在芯片設計、核心IP、EDA方面處于領先地位；美歐日企業(yè)在設備領域領先；中國大陸、日本、中國臺灣、韓國在半導體材料方面領先；韓國、中國臺灣企業(yè)在先進芯片制造領域領先；組裝、測試和封裝 （ATP）主要集中在中國大陸和臺灣。

供應鏈的全球整合特性使區(qū)域專業(yè)化成為可能，使每家專業(yè)公司都能進入全球市場。但地理集中也造成了脆弱性，預計未來將呈現(xiàn)顯著的地域多元化，主要從晶圓制造和封測兩個領域開始。報告認為考慮到成本壓力，封測組裝企業(yè)不太可能將總部設在美國，除非是在新晶圓廠附近的一些先進封裝設施。

中國臺灣企業(yè)已經(jīng)宣布計劃在島上新建7座晶圓廠。臺灣芯片制造龍頭臺積電還與索尼、電裝、豐田合作，提高日本熊本工廠的制造能力。中國大陸正在深圳、天津和上海進行新的晶圓廠投資。

日本芯片制造創(chuàng)企Rapidus在北海道的新工廠建立了先進的2nm芯片生產(chǎn)線。韓國宣布了一項投資471億美元的計劃，在京畿道的一個大型芯片集群建造16座新晶圓廠。

從2020年到2023年底，僅是在美國就宣布了80個新的半導體制造項目，預計將創(chuàng)造5萬個直接新增就業(yè)崗位。

歐洲在新產(chǎn)能方面進行了大量投資，自2020年以來宣布了7項重大晶圓廠投資。產(chǎn)能的大部分正在德國東部建設，包括英特爾在馬格德堡的投資，以及臺積電與歐洲領先半導體制造商在德累斯頓共同投資建設新工廠。

在法國南部，格芯已經(jīng)與意法半導體合作，在克羅萊投資31億美元建造了一家晶圓廠。波蘭也準備設立一家新的英特爾先進封裝工廠。

報告預計從現(xiàn)在到2032年，各地區(qū)之間將有大量投資流動。

大力投資于前沿技術可以使一個地區(qū)在創(chuàng)新的前沿競爭，但不會完全反映在每月的晶圓開工量上；另一方面，投資于成熟制程，允許一個地區(qū)在短期內實現(xiàn)更多的金錢和就業(yè)價值，風險是在需求可能固定或減弱的部分創(chuàng)造過剩的產(chǎn)能。

先進邏輯的投資模式已經(jīng)在全球范圍內變得更加分散，中國臺灣和韓國公司在美國、歐洲和日本的投資明顯增加。

先進的邏輯產(chǎn)量將從2022年幾乎100%分布在韓國和臺灣，到2032年將超過40%分布在這些地區(qū)以外。

2022年，美國沒有生產(chǎn)任何先進的邏輯芯片。到2032年，美國將生產(chǎn)近30%的工藝小于10nm的邏輯芯片。

當計劃中的晶圓廠投入使用時，歐洲和日本也將生產(chǎn)約12%的10nm以上的芯片。

在10至22nm范圍內的邏輯工藝方面，日本將從頭開始發(fā)展5%的市場份額，而中國大陸的份額將從6%增加到19%。大于或等于28nm的邏輯將保持良好的分布，大多數(shù)區(qū)域的份額變化很小。

中國大陸的份額增幅最大，從2022年的33%上升到2032年的37%。

在其他制程技術中，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）仍將高度集中在韓國，但美國的份額將從3%增加到9%，增長了3倍。

NAND內存的地理集中度將會提高。到2032年，韓國的市場份額預計將從30%上升到42%，日本和韓國合計將占到約75%的容量。

離散、模擬和光電子芯片（DAO）將保持良好的分布，所有主要地區(qū)的參與份額將達到5%或更高。