存儲芯片市場迎來大超預(yù)期的新一輪上升期，行業(yè)巨頭美光科技的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)全面飄紅，預(yù)示今年存儲市場供不應(yīng)求。美光科技的財(cái)報(bào)顯示，當(dāng)季業(yè)績不僅全面超過預(yù)期，而且未來業(yè)績指引也超預(yù)期。更關(guān)鍵的是，美光在展望中明確強(qiáng)調(diào)今年存儲市場將供不應(yīng)求，這一消息直接推動了美股美光科技盤后大漲18%。

美光作為全球存儲三巨頭之一，其景氣度就是全球存儲產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。存儲芯片受供需關(guān)系驅(qū)動，是科技領(lǐng)域最典型的周期品。目前，上一輪周期已經(jīng)于2023年下半年見底，存儲價(jià)格已經(jīng)持續(xù)上漲，2024年將全面開啟存儲的新一輪上升期。

而AI大周期的新需求驅(qū)動將使新一輪存儲周期彈性更大，無論是服務(wù)器、手機(jī)還是PC，AI對這三塊的需求都是爆發(fā)式驅(qū)動。

利好傳來，三星電子欲漲價(jià)

在半導(dǎo)體行業(yè)中，最重要的方向莫過于存儲器，幾乎所有常見的電子設(shè)備都需要使用存儲器，因此應(yīng)用端涉及消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、高新科技等領(lǐng)域。

而半導(dǎo)體存儲芯片中DRAM（即常說的內(nèi)存）和NAND Flash（閃存的一種）是最主流的半導(dǎo)體存儲器，有機(jī)構(gòu)稱這兩種在存儲芯片市場規(guī)模中的占比超過95%。

TechInsights的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至2024年2月16日的一周，DRAM銷售額同比增長79%。預(yù)計(jì)2024全年，全球DRAM芯片銷售額將增長46%，達(dá)到780億美元。

據(jù)悉，受益于需求的激增，存儲芯片的價(jià)格也在持續(xù)上漲。

DRAM Exchange預(yù)計(jì)在供給控制持續(xù)以及需求緩步復(fù)蘇下，2024年第一季DRAM環(huán)比漲幅13%-18%，NAND環(huán)比漲幅18%-3%。

在公司層面，據(jù)韓媒ChosunBiz報(bào)道，三星電子計(jì)劃在今年3月至4月期間，與主要移動端、PC端、服務(wù)器端客戶重新協(xié)商價(jià)格，目標(biāo)漲價(jià)15%至20%。

作為全球存儲芯片龍頭，三星電子的漲價(jià)也被視為是行業(yè)回暖的標(biāo)志性信號。

山西證券3月18日發(fā)布研報(bào)稱，受益生成式AI需求增長及消費(fèi)電子年終出貨，2023年四季度起全球半導(dǎo)體及細(xì)分產(chǎn)業(yè)陸續(xù)回溫。需求端，2023年四季度手機(jī)、PC市場同比均有復(fù)蘇，2024年1月全球半導(dǎo)體銷售額同比增幅達(dá)2022年5月以來最高水平。供給端，下游庫存陸續(xù)回歸正常水位，受益AI相關(guān)布局需求存儲芯片價(jià)格漲勢強(qiáng)勁。

德邦證券近期曾指出，DRAM需求受多因素催化，價(jià)格有望持續(xù)逐步上漲。NAND客戶需求轉(zhuǎn)強(qiáng)而總體供給下降，從而推動價(jià)格上漲趨勢。模組端，鎧俠根據(jù)市場靈活調(diào)整產(chǎn)能，預(yù)計(jì)存儲產(chǎn)品售價(jià)將不斷改善。


大廠競相追逐

HBM3e將于今年迎放量周期

目前，高帶寬存儲器HBM（High Bandwidth Memory）已經(jīng)從HBM、HBM2、HBM2E，發(fā)展至HBM3、HBM3E。存儲大廠擴(kuò)產(chǎn)重心主要在HBM3以及HBM3e產(chǎn)品上。

HBM3主要有SK海力士和三星供應(yīng)，從供應(yīng)端情況來看，據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，目前，NVIDIA現(xiàn)有主攻H100的存儲器解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應(yīng)商，然而供應(yīng)不足以應(yīng)付整體AI市場所需。至2023年末，三星以1Znm產(chǎn)品加入NVIDIA供應(yīng)鏈，盡管比重仍小，但可視為三星于HBM3世代的首要斬獲。

TrendForce集邦咨詢調(diào)查指出，2024年第一季，三星HBM3產(chǎn)品也陸續(xù)通過AMD MI300系列驗(yàn)證，其中包含其8h與12h產(chǎn)品，故自2024年第一季以后，三星HBM3產(chǎn)品將會逐漸放量。值得注意的是，過去在HBM3世代的產(chǎn)品競爭中，美光（Micron）始終沒有加入供應(yīng)行列，僅有兩大韓系供應(yīng)商獨(dú)撐，且SK海力士HBM市占率目前為最高，三星將隨著后續(xù)數(shù)個(gè)季度MI300逐季放量，市占率將急起直追。

HBM3e方面，今年以來，市場目光將從HBM3轉(zhuǎn)向HBM3e，預(yù)計(jì)下半年將逐季放量，并逐步成為HBM市場主流。據(jù)悉，英偉達(dá)（NVIDIA）新一代含B100或H200的規(guī)格將為最新HBM3e產(chǎn)品。

從大廠最新動態(tài)來看，SK海力士于3月19日宣布已開始量產(chǎn)高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E，將從3月下旬起向客戶供貨。據(jù)透露，該公司新芯片將首先發(fā)貨給英偉達(dá)，并用于其最新的Blackwell GPU。

美光科技透露在最近一個(gè)季度，公司首次從其新品HBM3E中獲得收入。該公司特別提到，HBM3E將于第二季末供給英偉達(dá)的AI芯片H200 Tensor Core GPU。

三星方面，該公司將于今年上半年開始批量生產(chǎn)HBM3E 12H。TrendForce集邦咨詢表示，由于遞交樣品的時(shí)程較其他兩家供應(yīng)商略晚，預(yù)計(jì)其HBM3e將于第一季末前通過驗(yàn)證，并于第二季開始正式出貨。由于三星HBM3的驗(yàn)證已經(jīng)有了突破，且HBM3e的驗(yàn)證若無意外也即將完成，這也意味著該公司的出貨市占于今年末將與SK海力士拉近差距。

HBM國內(nèi)即將實(shí)現(xiàn)0-1的突破

全球HBM產(chǎn)品被海力士、三星、美光三分天下，目前國內(nèi)僅有長鑫存儲有HBM的實(shí)際樣品，長鑫存儲和通富微電合作，在23年5月成功在通富微電生產(chǎn)出國內(nèi)首批基于3D封裝的HBM顆粒，預(yù)計(jì)今年一季度將有1k顆8Hi 8GB HBM2出貨，此外，還有3家公司在突破HBM的瓶頸，華為在23年10月立項(xiàng)研發(fā)HBM，甬矽電子（688362）也具備HBM的生產(chǎn)能力和設(shè)備，有是一條中試線在運(yùn)行。海光信息在和通富微電做做HBM研發(fā)，生產(chǎn)HBM2E 16GB產(chǎn)品用于海光深算3，進(jìn)度非常快，根據(jù)海光信息官方透露，今年將推出海光深算3，那么HBM2E也將在今年推出。武漢新芯發(fā)布《高帶寬存儲芯粒先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)》招標(biāo)項(xiàng)目，要進(jìn)入HBM市場。

從這兩方面來看，HBM是存儲芯片最先進(jìn)的技術(shù)，也是最具有想象空間的，HMB還有三大利好