存儲芯片價格開始轉(zhuǎn)折的信號

自去年十月份起，DRAM存儲芯片和NAND閃存芯片的價格已呈現(xiàn)出連續(xù)的回升態(tài)勢。此外，DRAM價格已連續(xù)第三個月上漲。

據(jù)去年第四季度的市場觀察，Mobile DRAM的合約價格預(yù)計將有13%至18%的季度漲幅。

來自存儲器模塊廠商的消息指出，諸如三星電子、SK海力士、美光等主要的存儲芯片制造商，正計劃在今年第一季度將DRAM的價格上調(diào)15%至20%。

TrendForce集邦咨詢的最新研究顯示，DRAM產(chǎn)品的合約價格自2021年第四季度開始下跌，并連續(xù)下跌了八個季度，直至2023年第四季度開始回升。

集邦咨詢預(yù)測，今年第一季度DRAM的合約價格將有約13%至18%的季度漲幅，而NAND Flash的漲幅則為18%至23%。

進(jìn)入第二季度，DRAM與NAND Flash的合約價格季度漲幅預(yù)計將收窄至3%至8%。

第三季度，由于市場傳統(tǒng)旺季的到來，DRAM與NAND Flash的合約價格季度漲幅有望同步擴(kuò)大至8%至13%。

在第四季度，若供應(yīng)商能夠有效地維持控產(chǎn)策略，預(yù)計漲勢將持續(xù)，DRAM的合約價格季度漲幅約為8%至13%，而NAND Flash的合約價格季度漲幅則預(yù)計為0%至5%。

在DRAM市場中，DDR5和HBM滲透率的提升將進(jìn)一步推高整體平均售價，從而擴(kuò)大合約價格的環(huán)比漲幅。

據(jù)預(yù)測，全球DRAM市場規(guī)模在2024年有望達(dá)到874億美元，同比增長88%。

內(nèi)存廠商重大利好讓巨頭大漲

根據(jù)TrendForce的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2023年第四季度全球DRAM產(chǎn)業(yè)總營收達(dá)到174.6億美元，相較于前一季度增長了29.6%。

在前六名的DRAM廠商中，所有公司在2023年第四季度的營收環(huán)比均實現(xiàn)了正增長，并且增長幅度普遍較大。

三星電子的DRAM營收在2023年第四季度達(dá)到了79.5億美元，較前一季度增長了超過50%，成為三大原廠中增長最快的公司。

這主要得益于1α nm制程DDR5芯片的出貨量大幅提升，使得服務(wù)器DRAM的出貨量環(huán)比增長超過60%。

預(yù)計隨著下半年的旺季到來，需求將較上半年明顯增加，產(chǎn)能也將持續(xù)提升至第四季度。

對于SK海力士而言，2023年第四季度的營收增長至55.6億美元，較前一季度增長了20.2%。

這一增長主要歸因于HBM和DDR5的價格優(yōu)勢，以及來自高容量服務(wù)器DRAM模組的盈利，這使得其平均銷售單價環(huán)比增長了17%—19%。

在產(chǎn)能規(guī)劃上，SK海力士正在積極擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，并增加投片量。隨著HBM3E的量產(chǎn)，相關(guān)先進(jìn)制程的投片量也將持續(xù)上升。

美光在2023年第四季度的表現(xiàn)相對較弱，其出貨量和平均銷售單價均環(huán)比增長了4%—6%，營收達(dá)到了33.5億美元，較前一季度增長了8.9%。

在產(chǎn)能規(guī)劃上，美光的投片量呈現(xiàn)出回暖趨勢，并計劃后續(xù)積極增加其先進(jìn)制程1β nm的產(chǎn)能比重，用于生產(chǎn)HBM、DDR5和LPDDR5(X)。

南亞科在2022年第四季度的出貨量有所下滑，但由于合約價的下跌，該季度營收下滑了30%。然而，在2023年第四季度，該公司的營收環(huán)比增長了12.1%，達(dá)到了2.74億美元。

華邦在2022年第四季度的營收環(huán)比下滑了30.3%。但在2023年第四季度，其營收環(huán)比增長了19.5%，約為1.33億美元。

力積電在2023年第四季度的營收環(huán)比增長高達(dá)110%。如果將代工營收計入，其合計營收環(huán)比增長了11.6%。

綜合以上六大廠商在2022年第四季度和2023年第四季度的營收對比情況，可以明顯看出市場趨勢的變化。

到了2023年，所有廠商的營收均實現(xiàn)了正增長，并且增長幅度較大，合計達(dá)到了221%。

這一變化反映了DRAM市場的復(fù)蘇和強(qiáng)勁增長態(tài)勢。

2024全年存儲業(yè)務(wù)將會繼續(xù)復(fù)蘇

根據(jù)Yole Group的最新分析報告，由于AI服務(wù)器的需求超越其他應(yīng)用領(lǐng)域，預(yù)計HBM在整個DRAM出貨量中的份額將從2023年的約2%提升至2029年的6%。

雖然HBM的價格遠(yuǎn)高于DDR5，但其收入份額預(yù)計將從2024年的140億美元增長到2029年的380億美元。

Yole Group指出，內(nèi)存供應(yīng)商已增加了HBM晶圓產(chǎn)量，預(yù)估產(chǎn)量從2022年的每月44,000片晶圓(WPM)增長至2023年的74,000 WPM，并有可能在2024年達(dá)到151,000 WPM。

據(jù)預(yù)測，AI PC中的DRAM搭載容量將翻倍，而下一代智能手機(jī)中的DRAM搭載容量將增加50%以上。

到2025年，邊緣AI裝置的DRAM搭載容量將增長6.7%。

三星電子表示，隨著消費電子設(shè)備單機(jī)存儲容量的增加、AI投資的擴(kuò)大以及服務(wù)器需求的逐漸復(fù)蘇等因素，預(yù)計2024年全年存儲業(yè)務(wù)將繼續(xù)復(fù)蘇。

SK海力士看好高性能DRAM的需求增長。該公司計劃于2024年專注于AI用存儲器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，以順應(yīng)高性能DRAM需求的增長趨勢。

同時，SK海力士還將DDR5和LPDDR5等高性能、高容量產(chǎn)品應(yīng)用到服務(wù)器和移動端市場。

美光科技認(rèn)為，2024年消費電子市場需求將回升，并在AI PC和HBM等需求的推動下，存儲器價格將實現(xiàn)強(qiáng)勁增長。

廠商關(guān)注HBM下一代CXL DRAM的技術(shù)

在當(dāng)前以數(shù)據(jù)爆炸為特征的人工智能時代，PCIe等現(xiàn)有計算標(biāo)準(zhǔn)對DRAM模塊的安裝和物理可擴(kuò)展性構(gòu)成了限制。

而CXL則成功解決了這些挑戰(zhàn)，有望推動DRAM市場迎來新一輪的發(fā)展。

隨著人工智能時代的迅速逼近，對于內(nèi)存平臺的需求也愈發(fā)明顯，特別是那些能夠支持快速接口和易于擴(kuò)展的平臺。

相較于傳統(tǒng)接口，CXL的DRAM模塊以其卓越的可擴(kuò)展性脫穎而出，而其他方面的優(yōu)勢同樣顯著。

據(jù)市場研究公司Yole Group于10月12日發(fā)布的預(yù)測報告，到2028年，全球CXL市場預(yù)計將達(dá)到150億美元。

盡管目前僅有不到10%的CPU與CXL標(biāo)準(zhǔn)兼容，但預(yù)計到2027年，全球所有CPU都將實現(xiàn)與CXL接口的兼容。

在CXL市場中，DRAM占據(jù)核心地位。Yole Group預(yù)測，到2028年，將有120億美元，即CXL市場總收入的80%，來自于DRAM。

值得注意的是，SK海力士與美光也認(rèn)識到了CXL的潛力，并已成為CXL聯(lián)盟的會員。

然而，它們在CXL技術(shù)上的進(jìn)展與三星相比仍存在一定差距。

此外，CXL IP的重要性也日益凸顯。據(jù)HTF MI Research預(yù)測，到2029年，CXL IP市場將達(dá)到8.923億美元，復(fù)合年增長率為37.6%。

結(jié)尾：

無論如何，作為典型的周期成長行業(yè)，存儲市場已經(jīng)擺脫了前幾個季度連續(xù)下滑的最壞時刻，正處于新一輪成長的黎明期。