分析指出2023年中國(guó)占全球芯片產(chǎn)能的比例已達(dá)到24%，美國(guó)占全球的芯片產(chǎn)能則進(jìn)一步下滑至接近11%，顯示出美國(guó)這幾年掏出500億美元以及拉攏臺(tái)積電和三星赴美設(shè)廠都未能改變美國(guó)在芯片制造行業(yè)的衰落。

美國(guó)早幾年就逐漸認(rèn)識(shí)到芯片制造產(chǎn)能轉(zhuǎn)移將對(duì)美國(guó)芯片的發(fā)展不利，為此美國(guó)宣布推出500多億美元芯片補(bǔ)貼計(jì)劃，促使美國(guó)本土的Intel、美光等加速擴(kuò)張芯片工廠，同時(shí)還施壓臺(tái)積電和三星同意赴美設(shè)廠。

然而臺(tái)積電和三星赴美設(shè)廠后，卻發(fā)現(xiàn)被美國(guó)擺了一道，美國(guó)承諾的巨額芯片補(bǔ)貼最終只分別給予臺(tái)積電10%、三星13%份額，還不足他們赴美設(shè)廠投資額的一成，而且隨后美國(guó)給出的芯片補(bǔ)貼細(xì)則更是讓這些芯片制造企業(yè)不愿接受這部分芯片補(bǔ)貼。

另一方面臺(tái)積電、三星赴美設(shè)廠后，發(fā)現(xiàn)美國(guó)制造芯片的成本增加幅度不是五成，跟隨臺(tái)積電赴美設(shè)廠的產(chǎn)業(yè)鏈人士指出在美國(guó)制造芯片可能比中國(guó)臺(tái)灣高出三倍，而且美國(guó)還找不到足夠的芯片制造技術(shù)人才，又不許臺(tái)積電從中國(guó)臺(tái)灣輸送太多的芯片制造技術(shù)人才，導(dǎo)致他們的工廠量產(chǎn)進(jìn)程緩慢。

臺(tái)積電和三星的遭遇自然也在美國(guó)芯片企業(yè)身上有所反映，Intel最先進(jìn)的Intel 4工廠就沒(méi)有設(shè)立在美國(guó)，而是設(shè)立在愛(ài)爾蘭，這都導(dǎo)致美國(guó)的芯片制造產(chǎn)能回升緩慢，直接導(dǎo)致的結(jié)果就是美國(guó)占全球芯片產(chǎn)能的比例繼續(xù)下降。

與美國(guó)形成鮮明對(duì)比的則是中國(guó)，中國(guó)從早幾年開(kāi)始決定大舉發(fā)展芯片制造，在面臨美國(guó)阻撓ASML等先進(jìn)芯片設(shè)備商給中國(guó)供應(yīng)先進(jìn)設(shè)備的情況下，中國(guó)決定先發(fā)展成熟工藝，由此大舉建設(shè)數(shù)十座芯片工廠。

2016年中國(guó)的芯片產(chǎn)能已超越美國(guó)，2020年中國(guó)的芯片制造產(chǎn)能占全球的份額已達(dá)到16%，而美國(guó)占的比例則下滑至12%，顯示出中國(guó)大舉擴(kuò)張芯片制造產(chǎn)能已取得成效，目前中國(guó)已建成的芯片工廠達(dá)到40多座，還有20多座在建設(shè)中。

在芯片制造產(chǎn)能快速擴(kuò)張的同時(shí)，中國(guó)在芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)也是遍地開(kāi)花，在存儲(chǔ)芯片、模擬芯片、射頻芯片等行業(yè)打破了空白，這些芯片都可以10納米以上工藝生產(chǎn)，而中國(guó)已量產(chǎn)的工藝都能滿足要求，這也進(jìn)一步支持了中國(guó)芯片產(chǎn)能的擴(kuò)張。

隨著中國(guó)芯片制造產(chǎn)能的上漲，中國(guó)制造的成本優(yōu)勢(shì)開(kāi)始發(fā)揮威力，去年下半年以來(lái)中國(guó)芯片制造企業(yè)開(kāi)出極具競(jìng)爭(zhēng)力的代工價(jià)格，由此促使三星、臺(tái)聯(lián)電、力積電等被迫跟進(jìn)降價(jià)，可以看出中國(guó)大舉擴(kuò)張芯片制造產(chǎn)能給全球芯片行業(yè)帶來(lái)的巨大影響。

美國(guó)掏出500多億美元本意是為了擴(kuò)張芯片制造產(chǎn)能，同時(shí)提升工藝水平，然而如今看來(lái)都未能實(shí)現(xiàn)目的，芯片產(chǎn)能落后于中國(guó)，先進(jìn)工藝水平仍然跟不上臺(tái)積電和三星，這讓美國(guó)芯片都頗為不好看，凸顯出美國(guó)芯片行業(yè)越來(lái)越不長(zhǎng)進(jìn)了，而中國(guó)芯片則依托于現(xiàn)有的設(shè)備實(shí)現(xiàn)了快速升級(jí)。