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傾舉國(guó)之力也要發(fā)展半導(dǎo)體,日本希望借這類芯片重回巔峰

2024-02-02 來(lái)源:賢集網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 芯片 臺(tái)積電

隨著臺(tái)積電熊本晶圓廠將在2月24日開(kāi)幕,2024年多座日本或外資半導(dǎo)體制造商在日本新建的晶圓廠將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。市場(chǎng)人士表示,這將刺激日本國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的成長(zhǎng)和發(fā)展,提高日本的半導(dǎo)體制造能力。


日本加碼半導(dǎo)體投資

周五,據(jù)媒體報(bào)道,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布將推出總計(jì)2萬(wàn)億日元(合130億美元)的補(bǔ)貼,以推動(dòng)該國(guó)芯片行業(yè)的投資和生產(chǎn),來(lái)加強(qiáng)日本在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位。



這筆資金將用于加快日本設(shè)計(jì)和制造下一代芯片以及人工智能模型,日本將為高端元件、芯片設(shè)備、工業(yè)氣體和半導(dǎo)體制造廠商以及工程師培訓(xùn)預(yù)留資金和提供補(bǔ)貼。

這一舉動(dòng)是振興該國(guó)經(jīng)濟(jì)廣泛藍(lán)圖的一部分。尖端芯片作為從人工智能到自動(dòng)駕駛等未來(lái)關(guān)鍵技術(shù)的核心,目前日本正試圖在政策層面來(lái)吸引外部投資者對(duì)該國(guó)尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)的投資。

在經(jīng)歷了數(shù)十年的衰落之后,日本正試圖重新奪回芯片行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。日本承擔(dān)了臺(tái)積電熊本工廠近一半的成本,同時(shí)正在就支持第二家工廠進(jìn)行談判;日本準(zhǔn)備提供約15億美元,幫助美光科技在廣島的工廠擴(kuò)張,它還資助Rapidus來(lái)制造日本自己的尖端2納米芯片。


2024年多座晶圓廠投產(chǎn)

臺(tái)積電熊本晶圓廠2/24將開(kāi)幕


在熊本縣菊陽(yáng)町,由臺(tái)積電、SONY和日本電裝(DENSO)投資的日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造(JASM)公司,目前正在興建一座12寸晶圓廠,該工廠將采用12/16納米以及22/28納米制程技術(shù),主要生產(chǎn)供應(yīng)車用電子使用的芯片。該晶圓廠預(yù)計(jì)于2月24日開(kāi)幕,預(yù)計(jì)將于2024年第四季開(kāi)始大量生產(chǎn)。

市場(chǎng)人士表示,這一新晶圓廠的開(kāi)發(fā)將使日本邏輯IC制程技術(shù)獲得重大進(jìn)步,從瑞薩電子的40納米制程轉(zhuǎn)向JASM的12納米制程,這被視為日本半導(dǎo)體復(fù)興政策的第一步。對(duì)此,日本政府也為JASM晶圓廠提供4,760億日元(約合32億美元)的資金補(bǔ)助,補(bǔ)助金額占該晶圓廠總支出86億美元的近三分之一。


鎧俠和西數(shù)合資興建12寸晶圓廠

NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器大廠鎧俠(Kioxia)和西數(shù)正合資在三重縣四日市建設(shè)一座12寸晶圓廠。該工廠將于2024年3月準(zhǔn)備量產(chǎn)3D NAND Flash閃存產(chǎn)品。市場(chǎng)人士指出,該晶圓廠將斥資2,800億日?qǐng)A(約18億美元),其中日本政府補(bǔ)高達(dá)929億日元(約6億美元)。至于,位于巖手縣北上的另一家鎧俠和西數(shù)合資工廠,則將于2024年下半年開(kāi)幕。而該計(jì)劃原定于2023年完工,但由于市場(chǎng)狀況不佳,因?yàn)檎麄€(gè)計(jì)劃遭到延后。



瑞薩電子擴(kuò)產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

瑞薩電子預(yù)計(jì)將于2024年推出新的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線,不過(guò),因?yàn)樵摴疚挥谏嚼婵h的甲府工廠于2014年10月已經(jīng)關(guān)閉。因此,為了應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車(EV)功率半導(dǎo)體不斷成長(zhǎng)的需求,該公司承諾斥資900億日?qǐng)A在現(xiàn)有工廠安裝一條12寸晶圓生產(chǎn)線。未來(lái),新生產(chǎn)線將使瑞薩電子能夠增強(qiáng)其IGBT和MOSFET等功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能,并計(jì)劃于2024年達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo)。而對(duì)于瑞薩電子的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)也將獲得日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的補(bǔ)貼支持。


東芝和羅姆半導(dǎo)體合作整合產(chǎn)線發(fā)展功率半導(dǎo)體

東芝和羅姆半導(dǎo)體(ROHM)達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,東芝功率半導(dǎo)體工廠將開(kāi)始與羅姆在宮崎縣國(guó)富市新開(kāi)發(fā)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體工廠進(jìn)行生產(chǎn)整合。羅姆位于國(guó)富市的新工廠將采用8寸SiC晶圓技術(shù),預(yù)計(jì)于2024年底開(kāi)始量產(chǎn),并部分完成工廠建設(shè)。而此次合作預(yù)計(jì)將獲得政府補(bǔ)貼,相當(dāng)于該項(xiàng)目投資的三分之一。


重點(diǎn)發(fā)力功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體作為日本的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域,在被歐美大廠競(jìng)爭(zhēng)和國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體“崛起”態(tài)勢(shì)的雙重?cái)D壓下,榮光漸褪,夾在處于領(lǐng)先地位的西方競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手和正在迅速追趕的中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間。

日本政府顯然已意識(shí)到了問(wèn)題的嚴(yán)重性。

去年5月,日本政府發(fā)布關(guān)于發(fā)展半導(dǎo)體的增長(zhǎng)戰(zhàn)略草案,旨在到2030年前將日本企業(yè)在全球功率半導(dǎo)體的市占由目前20%左右提高至40%。

鑒于這種形勢(shì),日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。∕ETI)也正在采取行動(dòng),旨在通過(guò)推出補(bǔ)貼政策來(lái)克服目前的情況。

近日,日本電子元器件大廠羅姆半導(dǎo)體、東芝發(fā)布聯(lián)合聲明稱,雙方將合作巨額投資3883億日元(約合27億美元),用于聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。

其中,羅姆計(jì)劃將大部分投資2892億日元用于其主導(dǎo)的SiC晶圓生產(chǎn),其計(jì)劃在九州島南部宮崎縣建造一座新工廠。東芝則計(jì)劃出資991億日元,在日本中部石川縣建設(shè)一座尖端的300mm晶圓制造工廠。

據(jù)悉,雙方在功率半導(dǎo)體制造和增加批量生產(chǎn)方面的合作計(jì)劃已得到日本經(jīng)濟(jì)部的支持,雙方將共計(jì)獲得1294億日元(9.02億美元,相當(dāng)于總投資的三分之一)的補(bǔ)貼,以支持其在日本國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

日本經(jīng)濟(jì)大臣西村康稔在新聞發(fā)布會(huì)上表示,日本國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體制造商相互合作,提高日本工業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,這是至關(guān)重要的。其表示,該部一直鼓勵(lì)日本的芯片制造商之間進(jìn)行更多合作。



與國(guó)內(nèi)較為相似的是,中日兩個(gè)市場(chǎng)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能都比較碎片化。日本功率半導(dǎo)體企業(yè)此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,通過(guò)利用政府補(bǔ)貼來(lái)新建功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,兩方作為各自進(jìn)入更細(xì)分的市場(chǎng)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)布局,對(duì)方產(chǎn)品可以充分互補(bǔ)來(lái)提升客戶服務(wù)能力。這對(duì)提振羅姆和東芝的產(chǎn)線產(chǎn)能利用率,進(jìn)一步提高兩家公司的成本、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力會(huì)起到較強(qiáng)的促進(jìn)作用。

有業(yè)內(nèi)專家指出,這點(diǎn)也值得被國(guó)內(nèi)企業(yè)參考。近年來(lái),國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)入了內(nèi)卷時(shí)代,價(jià)格戰(zhàn)、紅海競(jìng)爭(zhēng)等字眼被頻繁提及。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,國(guó)內(nèi)目前晶圓制造環(huán)節(jié)還較為薄弱,存在很多共性問(wèn)題,需要通過(guò)政府政策引導(dǎo)和長(zhǎng)期產(chǎn)業(yè)資金投入來(lái)持續(xù)推進(jìn)研發(fā)和應(yīng)用。

在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求強(qiáng)力釋放趨勢(shì)下,未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)是全球性的競(jìng)爭(zhēng)。無(wú)論是對(duì)于日本還是中國(guó)功率半導(dǎo)體,企業(yè)間強(qiáng)強(qiáng)合作共同把功率半導(dǎo)體市場(chǎng)推向全球舞臺(tái)才是關(guān)鍵。