日前國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)之一宣布DDR5內(nèi)存取得了重大突破，這對于國產(chǎn)芯片來說無疑是又一個重大突破，將加快國產(chǎn)存儲芯片替代進(jìn)口芯片。

據(jù)悉國產(chǎn)存儲芯片新推出的LPDDR5內(nèi)存顆粒的容量和讀取速度都提升了50%，達(dá)到12GB、6400Mbps，功耗也降低了30%；針對服務(wù)器等產(chǎn)品的特殊需求，新款LPDDR5內(nèi)存內(nèi)置糾錯碼等技術(shù)，可以實(shí)時糾錯，確保數(shù)據(jù)安全，增強(qiáng)穩(wěn)定性。

存儲芯片主要有NAND flash存儲芯片和DDR內(nèi)存芯片，這兩種存儲芯片，國內(nèi)都有企業(yè)研發(fā)成功，并達(dá)到了世界領(lǐng)先水平，其中NAND flash存儲芯片在去年率先量產(chǎn)了全球最先進(jìn)的232層技術(shù)。

國產(chǎn)存儲芯片在技術(shù)水平方面的快速提升，滿足了手機(jī)、PC和服務(wù)器對先進(jìn)存儲芯片的需求，這次的國產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存也迅速獲得了幾家國產(chǎn)手機(jī)的認(rèn)可，并已展開測試，預(yù)計很快就將搭載于手機(jī)上提供給消費(fèi)者使用。

存儲芯片是國產(chǎn)芯片當(dāng)中取得突破的重要芯片種類之一，并且已達(dá)到了全球先進(jìn)水平，這對于國產(chǎn)芯片來說具有重要意義，尤其是國產(chǎn)存儲芯片成立于2016年，僅僅7年時間就達(dá)到了世界先進(jìn)水平，證明了中國確實(shí)有足夠豐富的人才和技術(shù)可以快速縮短乃至趕超全球芯片技術(shù)水平。

存儲芯片這幾年同樣受到了芯片設(shè)備進(jìn)口的困擾，不過兩大存儲芯片企業(yè)竭力解決困難，利用現(xiàn)有的芯片設(shè)備實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)的芯片技術(shù)，這讓外國同行相當(dāng)驚訝，中國芯片行業(yè)的創(chuàng)新力實(shí)在太驚人。

隨著中國存儲芯片的發(fā)展，全球存儲芯片行業(yè)都感受到巨大的壓力，因?yàn)橹袊侨蜃畲蟮拇鎯π酒袌?，國產(chǎn)存儲芯片大舉替代進(jìn)口芯片，導(dǎo)致韓國的存儲芯片出口暴跌，美國存儲芯片企業(yè)美光連續(xù)虧損，美光僅是今年上半年年就巨虧42億美元。

這幾年中國的芯片行業(yè)已在太多芯片種類上打破了空白，近期有手機(jī)企業(yè)就表示推出的5G手機(jī)有九成芯片采用了國產(chǎn)芯片，存儲芯片當(dāng)然也是實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)芯片替代的種類之一。

如今國產(chǎn)芯片替代率已提升到三成以上，隨著國產(chǎn)芯片替代的推進(jìn)，中國的芯片進(jìn)口穩(wěn)步減少，今年前三季度中國的芯片進(jìn)口量同比減少14.6%，芯片進(jìn)口額減少600多億美，這已導(dǎo)致美國芯片蒙受了巨額的損失，至少四家美國芯片企業(yè)出現(xiàn)虧損。

隨著國產(chǎn)芯片取得突破，美國芯片不僅大幅降價，還積極為中國市場定制相應(yīng)的芯片，他們都擔(dān)憂中國芯片取得突破后，將失去中國市場，就連此前態(tài)度強(qiáng)硬的美光也在近期派出高官訪華，希望恢復(fù)與中國企業(yè)的合作，繼續(xù)對中國銷售存儲芯片。

事實(shí)證明了只要中國芯片堅持自主創(chuàng)新，真正實(shí)現(xiàn)自主研發(fā)，國產(chǎn)芯片具有替代進(jìn)口的芯片的能力，海外芯片就會迅速放下身段，降價求售，而不是如此前那樣吊起來賣，還賣得死貴，這樣的事實(shí)將促使中國芯片持續(xù)加強(qiáng)自主研發(fā)，打破海外芯片的壟斷。