國產芯片又傳來一好消息!這類存儲芯片實現(xiàn)零的突破
長鑫存儲于11月28日正式推出LPDDR5系列產品,包括12Gb的LPDDR5顆粒、POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。據悉,12GB LPDDR5芯片已在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。
LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設備市場推出的產品,它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產品布局。LPDDR5具有高速、低功耗、高帶寬等優(yōu)勢,可廣泛應用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦等移動設備。長鑫存儲推出的LPDDR5產品系列,將進一步滿足市場對高性能、低功耗存儲器的需求。
據了解,長鑫存儲一直致力于DRAM芯片的研發(fā)、生產和銷售,已形成了完整的產業(yè)鏈。長鑫存儲的LPDDR5產品系列的推出,將進一步提升公司在移動設備市場中的競爭力,為公司未來的發(fā)展注入新的活力。
長鑫存儲推出的LPDDR5產品系列,是公司在移動設備市場的一次重要布局,也是公司在DRAM芯片領域的又一次技術突破。
LPDDR5目前競爭格局
從當前DRAM市場格局看,根據TrendForce集邦咨詢研究顯示,第二季DRAM產業(yè)營收約114.3億美元,環(huán)比增長20.4%,終結連續(xù)三個季度的跌勢。其中三星(39.6%)、SK海力士(30.1%)、美光(25.8%)合計占據超過95%的市場份額。加上南亞科(2%)和華邦電子(0.9%),前五名合計份額達98.4%。
綜合業(yè)界消息,在今年9月末,三星宣布已開發(fā)出一系列低功耗壓縮附加內存模塊 (LPCAMM),該模塊使用 LPDDR5X 內存;11月在中國香港舉行的“2023投資者論壇”上,三星表示將為汽車領域準備新的存儲解決方案,其中便包括新版LPDDR5X。
SK海力士方面,11月13日,該公司正式向客戶供應LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)的16GB(千兆)容量套裝產品,這是迄今為止最快的移動DRAM產品,可實現(xiàn)每秒9.6Gpbs(每秒9.6千兆)的傳輸速度。
美光則于2022年發(fā)布LPDDR5X DRAM,據悉其LPDDR5X-9600采用其最新的1β工藝制造,單顆封裝最大容量16GB,速率相比此前最快的LPDDR5X-8533又提高了12%。
國產差距:落后四年
LPDDR5其實就是DDR5產品的一種,不過這種是低功耗的DRAM存儲器,用于手機、平板等便攜式消費電子產品中。而在所有的DRAM產品中,這種LPDDR產品,占據了約二分之一的市場,因為現(xiàn)在的手機、平板等銷量太大了。
現(xiàn)在的手機、平板都是使用較為先進的LPDDR5產品,之前長鑫存儲只能生產LPDDR4,相對較為落后,所以國內的手機廠商們,大多使用美光、SK海力士、三星的產品,沒有使用國產。
不過,現(xiàn)在當長鑫推出LPDDR5產品后,那么就可以實現(xiàn)國產替代了,所以長鑫也表示,已成功完成了與小米、傳音等國產手機品牌機型的上機驗證。
很明顯,接下來眾多的國產手機,會使用長鑫的內存,進行國產替代了。
中國的智能手機,占了全球60%的市場份額,中國的平板電腦,占了全球40%+的份額,如果這些國產產品,都使用長鑫的內存,將減少多少進口?
不過,雖然長鑫存儲有了突破,但我們還是要正視差距,因為三星在2019年7月份就量產了全球首款12Gb LPDDR5移動DRAM,算下來長鑫落后有4年。
所以我們雖然有突破,但還是要保持低調發(fā)展,畢竟與國外大廠相比,長鑫存儲的依然存在差距,還需要努力。
存儲芯片行情好轉
減產策略仍舊繼續(xù)
雖然雙十一多數(shù)終端產品銷售平淡,但在三大原廠(三星、SK 海力士及美光)大幅減產、控制產出的前提下,存儲芯片現(xiàn)貨漲價趨勢持續(xù),其中 NAND 因虧損較嚴重,漲幅較為明顯。
據中國臺灣媒體《工商時報》,存儲芯片大廠減產保價策略十分奏效,Q4 合約價報價優(yōu)于市場預期,其中 DDR5 上漲 15~20%,DDR4 上漲 10~15%,DDR3 上漲 10%,而原先預估僅 5~10%。同時,NAND 每家平均漲幅至少在 20~25%,漲幅明顯更高。
另外,三星對 DRAM 正常報價,但在 NAND 部分則暫停報價,同時也不出貨,最新報價仍待觀察。
IT之家查詢發(fā)現(xiàn),InSpectrum 最新報價顯示,DRAM 現(xiàn)貨中 4Gb 和 8Gb DDR4 近一周報價基本持平,但近一月報價已上漲 3.03%和 1.97%。
在 NAND Flash 現(xiàn)貨方面,256Gb 周報價基本持平,但和 512Gb TLC Flash 上漲 4.12%,月報價則分別上漲 15.25%和 27.78%。
TrendForce 分析師預計預估,第四季 DRAM 報價將會增長 3~8%,而第三季跌幅為 0~5%;第四季 NAND 報價季增 8~13%,也遠優(yōu)于第三季的跌幅 5~10%。
據稱,三星第四季度 DRAM 減產幅度達 30%,SK 海力士及美光減產幅度達 20%,原廠對 NAND 的減產幅度更高,預計三大供應商減產將持續(xù)至 2024 年中,且資本支出和產出將聚焦于利潤更高的部分,如 HBM 和 DDR5。
