外媒報道指早已退休的臺積電前研發(fā)副總林本堅(jiān)接受采訪的時候表示，美國無法阻止中國研發(fā)先進(jìn)工藝，還認(rèn)為中國可以利用現(xiàn)有設(shè)備研發(fā)更先進(jìn)的5納米工藝，他的表態(tài)讓外媒相當(dāng)吃驚。

林本堅(jiān)如此說法在中國的華為研發(fā)出相當(dāng)于7納米工藝的麒麟9000S之后，他認(rèn)為中國芯片行業(yè)展現(xiàn)了顯著的韌性和獨(dú)創(chuàng)性，因此認(rèn)為中國芯片行業(yè)不會局限于7納米工藝，更可能實(shí)現(xiàn)5納米工藝。

林本堅(jiān)被譽(yù)為浸潤式光刻機(jī)之父，當(dāng)年日本壟斷了光刻機(jī)行業(yè)，佳能、尼康合計(jì)占光刻機(jī)市場近八成的市場份額，不過這兩家日本企業(yè)研發(fā)的光刻機(jī)為干式光刻機(jī)，林本堅(jiān)則提出了浸潤式光刻機(jī)。

日本光刻機(jī)企業(yè)基于自己的利益并不認(rèn)同林本堅(jiān)的浸潤式光刻機(jī)技術(shù)，當(dāng)時陷入困境的ASML找上門來，于是臺積電和ASML合作研發(fā)浸潤式光刻機(jī)，2008年ASML的浸潤式光刻機(jī)已取得主導(dǎo)地位，日本的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)由此迅速敗落。

與ASML的合作不僅改變了光刻機(jī)行業(yè)，臺積電也借此實(shí)現(xiàn)了飛躍，芯片制造工藝取得了突破，迅速成為芯片代工行業(yè)的佼佼者，林本堅(jiān)由此被譽(yù)為浸潤式光刻機(jī)之父。

中國芯片行業(yè)這幾年一直受制于光刻機(jī)，在芯片制造的諸多環(huán)節(jié)除了光刻機(jī)之外都已取得宏達(dá)突破，刻蝕機(jī)更已達(dá)到5納米水平，居于全球領(lǐng)先水平。

這些環(huán)節(jié)的突破，證明了中國芯片行業(yè)在技術(shù)方面具有扎實(shí)的基礎(chǔ)，有信心有能力推進(jìn)國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

正是麒麟9000S的發(fā)布，外媒認(rèn)為中國在光刻機(jī)技術(shù)方面取得了重大突破，這對于外媒可謂是震驚的消息，畢竟光刻機(jī)是一款非常復(fù)雜的機(jī)器，ASML的EUV光刻機(jī)需要10萬個部件，需要全球5000家企業(yè)合作，而中國卻能僅靠自己的產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)量產(chǎn)。

美國也試圖借光刻機(jī)卡中國芯片的脖子，拉攏荷蘭阻止對中國出口先進(jìn)的光刻機(jī)，不過隨著華為麒麟9000S的發(fā)布，荷蘭突然在9月份給ASML許可，允許ASML對中國出口更先進(jìn)的2000i光刻機(jī)。

林本堅(jiān)的說法，讓外媒重新認(rèn)識中國芯片產(chǎn)業(yè)，畢竟他對光刻機(jī)的技術(shù)研發(fā)有更深刻的認(rèn)識，作為臺積電前技術(shù)研發(fā)副總更是理解芯片制造過程，他對中國芯片產(chǎn)業(yè)的肯定更有可信性。

光刻機(jī)是現(xiàn)有硅基芯片技術(shù)的重要設(shè)備，硅基芯片技術(shù)由美國主導(dǎo)，中國在硅基芯片技術(shù)上的研發(fā)只能是跟隨，而中國也深刻明白這一點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)彎道超車，中國除了繼續(xù)研發(fā)硅基芯片技術(shù)之外，也在其他芯片技術(shù)方面推進(jìn)，例如小芯片技術(shù)、量子芯片技術(shù)等，近日清華大學(xué)又公布了一項(xiàng)光電模擬芯片（ACCEL），都是中國芯片在新技術(shù)方面的探索。

筆者相信，中國芯片不會永遠(yuǎn)受制于美國技術(shù)，必然在未來開辟芯片技術(shù)新路線，彎道超車有很大的可能性，到那時候中國芯片將突破美國技術(shù)的桎梏，真正形成自己的芯片技術(shù)體系，外媒因此認(rèn)為美國擋不住中國芯片發(fā)展的腳步。