ASML曾表示全球5納米以下的工藝必需它的EUV光刻機，誰也無法替代它的地位，然而如今卻有廠商表示可以繞開EUV光刻機生產先進工藝，嚇壞了ASML。

在光刻機行業(yè)，除了ASML之外，其實還有日本的尼康和佳能，尼康已研發(fā)成功浸潤式光刻機，不過它的光刻機技術與ASML存在較大差距，這也導致尼康難以與ASML競爭。

佳能則認識到在光刻機市場已很難與ASML競爭，選擇了另辟蹊徑發(fā)展新的芯片制造設備，那就是NIL納米壓印技術，該項技術在幾年前就已取得突破，并被日本鎧俠用于生產存儲芯片。

不過此前NIL技術只能用于生產10納米以上的工藝，去年佳能表示量產了10納米的NIL工藝，近期佳能更表示5納米的NIL工藝也已突破，預計到2026年實現(xiàn)2納米的NIL工藝。

相比起采用EUV光刻機生產5納米以下的先進工藝，NIL工藝的成本可以降低三成到五成，越先進的工藝成本就比ASML更低，這已獲得了業(yè)界的認可，近期SK海力士就采用了NIL工藝，這是日本廠商之外第一家采用佳能NIL設備。

中國芯片行業(yè)對此相當感興趣，由于ASML受制于美國無法對中國出售EUV光刻機，中國芯片行業(yè)一直都在研發(fā)自己的光刻機，同時探尋研發(fā)繞開EUV光刻機芯片制造技術。

ASML曾聲言即使給中國圖紙，中國也無法生產出光刻機，然而近期華為推出了一款5G手機mate60Pro，據(jù)稱采用了國產的浸潤式光刻機，這是國產芯片制造設備的重大進步。

隨著中國在芯片設備方面的重大突破，中國在繞開EUV光刻機的芯片制造技術上預計也將取得重大進展，畢竟已有日本的NIL工藝作為指引，可以預期中國將很快研發(fā)出無需EUV光刻機的先進工藝。

佳能的NIL工藝正在大舉搶占ASML的市場，畢竟它的生產成本更低，在如今美光、三星等存儲芯片業(yè)務虧損嚴重的情況下，有助于降低成本的NIL工藝將很快風行。

至于最大客戶臺積電由于3納米工藝表現(xiàn)不佳，它已停止采購EUV光刻機，還將多臺生產線上的EUV光刻機停產；另一大客戶Intel出現(xiàn)巨虧，Intel 4生產線放緩量產，更不會采購EUV光刻機。

幾個大客戶都在減少乃至停止采購，還面臨佳能搶占市場，這讓ASML相當擔憂自己的前景，如此僅剩下的大市場--中國市場就備受ASML關注，但是正如上述中國在浸潤式光刻機方面已取得突破，無需EUV光刻機的技術也在推進，留給ASML的時間已經不多了。

于是今年三季度ASML趕緊大舉對中國出售光刻機，它公布的業(yè)績顯示今年三季度從中國市場獲得的收入高達46%，較去年的低谷8%增長了4倍多，可見ASML對于搶占中國市場多么迫切。

現(xiàn)實證明ASML的光刻機生意已很難長久，它也表示第二代EUV光刻機將是它最后一款光刻機，光刻機業(yè)務將走到盡頭，中國這個超級大市場將是它的最后紅利，爭取中國市場已是它最后的選擇。