美國給三星、SK海力士、臺積電開“后門”,意在打壓中國芯
去年10月份,美國對中國芯開出了史上最嚴禁令,意圖鎖死我們的邏輯芯片制造能力在14nm,DRAM制造能力在18nm,NAND閃存在128層。
但后來,事情脫離了美國的掌控,長存全球首家量產(chǎn)了232層NAND閃存,華為有了麒麟9000S……
于是一年后的今年10月份,美國針對中國芯的禁令,再次升級,這次將眾多的AI芯片禁售,又拉黑了眾多中國芯片企業(yè),還將半導體設備的封鎖,再一次升級。
特別是針對光刻機方面,將DCO值從去年的小于1.5,調(diào)整為小于2.4。于是原來可以銷售的浸潤式光刻機NXT:1980Di,因為DCO值是1.6,現(xiàn)在也無法銷售了。
我們知道浸潤式光刻機,經(jīng)過多重曝光之后,可以最小支持7nm芯片,美國就是擔心這一點,所以干脆將浸潤式光刻機全禁了。
不過,美國對三家公司例外,那就是三星、SK海力士、臺積電,這三家企業(yè)建立在中國大陸的工廠,不受禁令限制,想買什么就買什么,什么高端的設備,都可以買到。
其中三星、SK海力士無限豁免,在目前規(guī)則之下,可以一直采購任何設備。而臺積電暫時只有一年豁免期,即到前年10月份之前,可以隨便買,明年10月份之后怎么辦,暫時還不清楚,也許會繼續(xù)豁免,誰知道呢。
美國為何對這三家企業(yè)豁免呢,其實很簡單,那就是希望這三家企業(yè),在中國大陸境內(nèi),充當美國的打手,打壓中國芯。
三星、SK海力士在中國主要生產(chǎn)DRAM內(nèi)存、NAND閃存,并且產(chǎn)量非常大。
目前中國本土企業(yè)的DRAM 、NAND生產(chǎn)受打擊,高端的很難生產(chǎn),產(chǎn)能不夠,設備受限,發(fā)展也受限。而三星、SK海力士隨便擴產(chǎn),隨便買設備,讓他們快速發(fā)展,那么自然就會擠壓中國本土企業(yè)的生存空間和市場,就達到了美國打壓的目的。
而在芯片制造這一塊的邏輯也是如此。針對浸潤式光刻機都進行封鎖之后,那么我們在缺少浸潤式光刻機、EUV光刻機的情況之下,14nm工藝可能就是一個坎了。
然后臺積電可以隨便擴產(chǎn),隨便購買設備,提高工藝,那么同樣也將擠壓中國本土芯片制造企業(yè)的生存空間,同樣也就達到了美國的目的。
可見,要想真正突破,再也不怕美國卡脖子,最終還是要走一條獨立自主的道路出來,實現(xiàn)供鏈的自主化,只要依賴國外的設備,就有可能被美國各種拿捏,你覺得呢?
