日本分析了一個(gè)多月:華為麒麟9000S是14nm,不是7nm芯片
眾所周知,自從華為Mate60系列上市后,上面搭載的芯片,就成為了全球科技愛(ài)好者以及科技媒體分析的熱點(diǎn)。
中國(guó)人、美國(guó)人、日本人、韓國(guó)人、歐洲人,都在分析這顆芯片究竟是什么來(lái)頭,有什么秘密。
但一個(gè)多月過(guò)去了,這顆芯片依然是秘密,它是誰(shuí)代工的,多少納米,哪里生產(chǎn)的,什么時(shí)候生產(chǎn)的,都是謎。
其中TechInsights通過(guò)電子顯微鏡進(jìn)行電掃描,得出其晶體管密度是98MTr/mm2,而臺(tái)積電的7nm是97MTr/mm2,三星7nm芯片的晶體管密度為95MTr/mm2。
于是TechInsights認(rèn)為是7nm,不過(guò)也有人不服,表示既然這顆芯片性能能夠?qū)︼j高通驍龍888這顆5nm芯片,那就是5nm的……
而近日,有日本媒體分析后得出,它或許還是14nm工藝的芯片,只是采用了特殊的結(jié)構(gòu),使晶體管密度提升了。
事實(shí)上,我們知道,從14nmFinFET開(kāi)始,芯片是多少納米的工藝,并不是芯片的某一項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù),達(dá)到了7nm。
拿臺(tái)積電的7nm來(lái)說(shuō),臺(tái)積電的7nm工藝時(shí),其接觸柵極間距(Contacted Poly Pitch,CPP)為54nm。
CPP 由柵極長(zhǎng)度 (Lg)、接觸間隔厚度 (Tsp) 和接觸寬度 (Wc) 組成。晶體管密度為97MTr/mm2,沒(méi)有一項(xiàng)是與7nm相當(dāng)?shù)摹?br/>
所以自14nm之后,工藝不一定非得進(jìn)步,只要其性能提升了,或功耗降低了,或晶體管密度提升了,只要達(dá)到一定程度,就可以認(rèn)為納米工藝進(jìn)步了,這就是等效工藝的由來(lái)。
手機(jī)芯片天梯圖
舉個(gè)例子,我原本的14nm工藝,但經(jīng)過(guò)技術(shù)升級(jí),工藝參數(shù)基本沒(méi)變,但生產(chǎn)出來(lái)的芯片其晶體管提升了50%,它還是14nm工藝么?你可以認(rèn)為是14nm,也可以認(rèn)為是7nm,這個(gè)7nm其實(shí)就是這么來(lái)的。
所以日本認(rèn)為它是14nm工藝,也并沒(méi)有大錯(cuò),因?yàn)槠涔に噮?shù)其實(shí)與14nm類(lèi)似,但你認(rèn)為它是7nm,也沒(méi)有錯(cuò),因?yàn)榫w管密度指標(biāo)達(dá)到了7nm,有人認(rèn)為它是5nm,也不算離譜,因?yàn)樾阅苓_(dá)到了5nm。
可見(jiàn),進(jìn)入等效法后,判斷一顆芯片究竟是幾納米,是非常復(fù)雜的問(wèn)題,就看晶圓廠們?nèi)绾蚊?,反正都沒(méi)有一個(gè)正確的判斷標(biāo)準(zhǔn)了,不像以前,柵極距離是多少,就是多少納米,是一一對(duì)應(yīng)的,如今沒(méi)有這個(gè)對(duì)應(yīng)關(guān)系,就看晶圓們?nèi)绾未盗恕?/span>
最直觀的例子,英特爾將它的10nm,命名intel 7,表示這是等效于7nm工藝的,將7nm工藝命名intel 4,這是等效4nm工藝的,就是最佳例子了。
所以它是多少納米,并不重要,我們只要知道,性能不差于高通驍龍5nm的芯片就夠了,接下來(lái)就隨便大家猜了,你覺(jué)得呢?
