過去近兩年來，受消費電子市場需求疲軟等因素影響，存儲芯片產(chǎn)業(yè)游進入庫存過剩、訂單減少、價格暴跌的“寒冬”。三星、美光、SK海力士、鎧俠等存儲芯片大廠紛紛減產(chǎn)、去庫存，但市場行情是否筑底眾說紛紜，整體產(chǎn)業(yè)回暖的跡象亦不明顯。

然而，在生成式AI對算力需求的帶動下，2023年初以來高帶寬內(nèi)存(HBM)在整個存儲芯片產(chǎn)業(yè)中可謂“這邊風(fēng)景獨好”。目前，三星、SK海力士、美光等存儲芯片大廠均在布局與搶占這一細分市場利好。


三星等巨頭帶頭減產(chǎn)

近來 NAND 閃存客戶需求低迷，三星電子此前計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備，并暫停存儲芯片第六代 V-NAND 成熟型制程報價。

此前據(jù)外媒 BusinessKorea 報道，在市場需求未明顯好轉(zhuǎn)的情況下，三星電子和 SK 海力士正面臨不小的壓力，庫存依舊處在高位，下半年考慮將繼續(xù)減產(chǎn)。

而據(jù)外媒引用供應(yīng)鏈消息表示，今年第三季度 DRAM 芯片的平均價格將延續(xù)下跌態(tài)勢，環(huán)比跌幅 5%，超出此前預(yù)期的 3%。

外媒稱，存儲行業(yè)人士表示，芯片制造商的存儲芯片庫存下跌速度，沒有他預(yù)料的那么快，庫存過剩問題可能延續(xù)至 2024 年上半年，目前第四季度交貨價格比預(yù)期要差。

而當下產(chǎn)業(yè)預(yù)估的情況是“存儲芯片價格明年年初會上漲”，不過外媒表示，若價格跌勢未能按預(yù)期扭轉(zhuǎn)，相關(guān)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品“漲價的時間點將不可避免地延后”。


減產(chǎn)之后就是漲價

順應(yīng)存儲芯片價格走出底部的定律，減產(chǎn)后的下一步就是漲價了，各大存儲芯片原廠上半年財報都虧怕了，進入下半年賽局要開始拿回發(fā)球權(quán)。

三星旗下負責芯片業(yè)務(wù)的裝置解決方案事業(yè)部（Device Solutions）上半年財務(wù)擴損擴大，分析師預(yù)測DS部門全年虧損恐怕會來到百億美元，之前宣布大減產(chǎn)后，近期鐵了心調(diào)漲存儲芯片的價格。尤其時間來到下半年，快要年度打考績了，再不做出點成績（漲價），恐怕飯碗不保。

手機市場復(fù)蘇緩慢，讓科技業(yè)渡過艱辛的一年。近期供應(yīng)鏈逐漸釋出PC、手機的終端需求都有走出谷底的征兆，縱使需求升溫緩慢，但最糟的時間希望已經(jīng)過去。因此，手機、消費性電子大廠經(jīng)歷漫長的庫存消化后，部分零部件、芯片庫存開始有備貨需求，一些動作慢的廠商已經(jīng)發(fā)現(xiàn)：買不到便宜芯片了！

供應(yīng)鏈表示，這幾個月來包括手機品牌廠、存儲模組廠的采購都輪流去韓國談NAND Flash價格，韓國大廠先發(fā)制人表示，減產(chǎn)后供需缺口達20%~30%，如果沒有在7月前簽約，現(xiàn)在才來追加貨源只能接受漲價。

據(jù)了解，OPPO和vivo最緊張，小米、傳音已經(jīng)從其他非韓渠道確保了NAND Flash供貨，這也看出來這一波NAND Flash漲價是上游原廠忍了很久后的大動作調(diào)漲。另外，一些嗅覺敏銳的模組廠已經(jīng)偷偷提高庫存水位，買了一些低價芯片先囤著等漲價。

不過，因為這一波景氣壞太久了，很多人看手機真正大規(guī)模復(fù)蘇要到2024年，因此現(xiàn)在是上游原廠拉抬價格賣力表演，逼迫品牌廠的采購接受漲價，而部分品牌大廠仍是抱持遲疑態(tài)度也是可以理解。

HBM風(fēng)景獨美

今年初以來，ChatGPT突然爆火，帶動了AI大模型的快速增長，使得具備高帶寬和低功耗特性的HBM成為處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜計算任務(wù)的理想選擇。據(jù)悉，2023年開年后，三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加，價格也水漲船高，HBM3規(guī)格DRAM價格甚至上漲5倍。

過去數(shù)月里，HBM乘AI東風(fēng)，市場關(guān)注度大幅上升。據(jù)悉，三星電子、SK海力士等韓國本土存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推動HBM專用線的擴張。兩家公司計劃在2024年年底前投資超過2萬億韓元，使HBM生產(chǎn)線目前的產(chǎn)能增加一倍以上。SK海力士計劃利用利川現(xiàn)有HBM生產(chǎn)基地的清州工廠的閑置空間。三星電子正在考慮擴大位于忠清南道天安市的HBM核心生產(chǎn)線。

另一大存儲大廠美光也很早就嗅到AI應(yīng)用商機，于2019年在中國臺灣成立HBM部門。美光甚至表示，看好2022年至2025年HBM市場年復(fù)合成長率超50%。

當前，HBM市場呈現(xiàn)三足鼎立格局。TrendForce研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士占50%、三星約40%、美光約占10%。

從發(fā)展進程來看，2023-2024年將是AI建設(shè)爆發(fā)期，大量需求集中在AI訓(xùn)練芯片上，勢必推升HBM使用量。預(yù)計2023年，HBM即便在原廠擴大產(chǎn)能的情況下，仍無法完全滿足客戶需求。從各原廠規(guī)劃看，預(yù)計2024年HBM供給位元量將年增長105%。另據(jù)semiconductor-digest預(yù)測，到2031年，全球高帶寬存儲器市場預(yù)計將從2022年的2.93億美元增長到34.34億美元，在2023-2031年的預(yù)測期內(nèi)復(fù)合年增長率為31.3%。


巨頭領(lǐng)跑，HBM3時代來臨

2013年，SK海力士將TSV技術(shù)應(yīng)用于DRAM，在業(yè)界首次成功研發(fā)出HBM。

隨后，SK海力士、三星、美光等存儲巨頭在HBM領(lǐng)域展開了升級競賽。2020年，另一家存儲巨頭美光宣布加入到這一賽場中來。

JEDEC表示，HBM3是一種創(chuàng)新的方法，是更高帶寬、更低功耗和單位面積容量的解決方案，對于高數(shù)據(jù)處理速率要求的應(yīng)用場景來說至關(guān)重要，比如圖形處理和高性能計算的服務(wù)器。

SK海力士早在2021年10月就開發(fā)出全球首款HBM3，2022年6月量產(chǎn)了HBM3 DRAM芯片，并將供貨英偉達，持續(xù)鞏固其市場領(lǐng)先地位。隨著英偉達使用HBM3 DRAM，數(shù)據(jù)中心或?qū)⒂瓉硇乱惠喌男阅芨锩?/span>

根據(jù)此前的資料介紹，SK海力士提供了兩種容量產(chǎn)品，一個是12層硅通孔技術(shù)垂直堆疊的24GB（196Gb），另一個則是8層堆疊的16GB（128Gb），均提供819 GB/s的帶寬，前者的芯片高度也僅為30微米。相比上一代HBM2E的460 GB/s帶寬，HBM3的帶寬提高了78%。此外，HBM3內(nèi)存還內(nèi)置了片上糾錯技術(shù)，提高了產(chǎn)品的可靠性。

SK海力士對于HBM的研發(fā)一直非常積極，為了滿足客戶不斷增加的期望，打破現(xiàn)有框架進行新技術(shù)開發(fā)勢在必行。SK海力士還在與HBM生態(tài)系統(tǒng)中的參與者（客戶、代工廠和IP公司等）通力合作，以提升生態(tài)系統(tǒng)等級。商業(yè)模式的轉(zhuǎn)變同樣是大勢所趨。作為HBM領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士將致力于在計算技術(shù)領(lǐng)域不斷取得進步，全力實現(xiàn)HBM的長期發(fā)展。

三星也在積極跟進，在2022年技術(shù)發(fā)布會上發(fā)布的內(nèi)存技術(shù)發(fā)展路線圖中，三星展示了涵蓋不同領(lǐng)域的內(nèi)存接口演進的速度。首先，在云端高性能服務(wù)器領(lǐng)域，HBM已經(jīng)成為了高端GPU的標配，這也是三星在重點投資的領(lǐng)域之一。HBM的特點是使用高級封裝技術(shù)，使用多層堆疊實現(xiàn)超高IO接口寬度，同時配合較高速的接口傳輸速率，從而實現(xiàn)高能效比的超高帶寬。

在三星發(fā)布的路線圖中，2022年HBM3技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)，其單芯片接口寬度可達1024bit，接口傳輸速率可達6.4Gbps，相比上一代提升1.8倍，從而實現(xiàn)單芯片接口帶寬819GB/s，如果使用6層堆疊可以實現(xiàn)4.8TB/s的總帶寬。

2024年預(yù)計將實現(xiàn)接口速度高達7.2Gbps的HBM3p，從而將數(shù)據(jù)傳輸率相比這一代進一步提升10%，從而將堆疊的總帶寬提升到5TB/s以上。另外，這里的計算還沒有考慮到高級封裝技術(shù)帶來的高多層堆疊和內(nèi)存寬度提升，預(yù)計2024年HBM3p單芯片和堆疊芯片都將實現(xiàn)更多的總帶寬提升。而這也將會成為人工智能應(yīng)用的重要推動力，預(yù)計在2025年之后的新一代云端旗艦GPU中看到HBM3p的使用，從而進一步加強云端人工智能的算力。

存儲芯片將至未至的底部反轉(zhuǎn)或“遲到”兩個季度

值得注意的是，目前存儲芯片行業(yè)似乎正從多角度證實即將觸底反彈，但760億A股龍頭兆易創(chuàng)新股價“依然冷靜”。事實上，將至未至的反轉(zhuǎn)甚至已經(jīng)“姍姍來遲”。近日，市場調(diào)研機構(gòu)Yole Intelligence更新了一份存儲芯片市場的監(jiān)測數(shù)據(jù)報告，在Yole原本的預(yù)測中，全球存儲芯片市場將于2023年第二季度開始復(fù)蘇，但其最新報告指出對于2023年第三季度的存儲芯片市場不用再抱太大的希望，樂觀估計市場將從今年第四季度開始回暖。

不過，預(yù)測存儲市場將在即將到來的第四季度復(fù)蘇的不只是Yole一家。據(jù)臺灣經(jīng)濟日報、科技新報援引美國市場調(diào)查機構(gòu)發(fā)布的最新報告稱，美光、西部數(shù)據(jù)等存儲芯片供貨商認為產(chǎn)品價格已跌到底，開始取消以折扣價提前進行批量交易的模式，甚至開始抬高價格。該調(diào)查機構(gòu)預(yù)計，Q3起，存儲芯片價格下跌幅度將會收窄，部分產(chǎn)品合約價格很可能從Q4起出現(xiàn)上升拐點，不同產(chǎn)品線情況有別，明年有望全面復(fù)蘇。

從市場面的消息來看，DRAM的復(fù)蘇可能相比NAND Flash來得更快一些。TrendForce集邦咨詢最新預(yù)計稱，第三季整體NAND Flash均價持續(xù)下跌約3%-8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0-5%。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫7月25日發(fā)布的文章《存儲芯片的寒風(fēng)，要停了》中指出，DRAM三季度觸底，NAND再等一季。此前有產(chǎn)業(yè)鏈人士表示，三星、SK海力士和美光三大廠商都希望在第三季度拉升DRAM訂單的合約價，目標漲幅7%-8%。不過，由于終端市場沒有看到明顯的復(fù)蘇跡象，因此上下游目前有明顯的拉鋸跡象。NAND方面，近日市場也傳出上游NAND原廠計劃從7月開始調(diào)漲價格的消息。

此外，據(jù)網(wǎng)信辦5月消息，在中國存儲市場“占地不菲”的美光公司未能通過網(wǎng)絡(luò)安全審查，平安證券研報指出，2022年美光在中國大陸的營業(yè)收入為33.11億美元。分析人士指出，倘若美光在中國的業(yè)務(wù)受限，首先受益的自然是利基存儲市場。在技術(shù)壁壘相對較低的利基存儲領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新是成長最快、實力最強的公司。此外，車載存儲龍頭北京君正和國內(nèi)SLC NAND領(lǐng)域龍頭東芯股份有望受益。下游的存儲模組行業(yè)，江波龍和佰維存儲在全球市場也有較強競爭力，其中江波龍的eMMC及UFS產(chǎn)品在全球市場占有率為6.5%，全球第六，國內(nèi)第一；佰維存儲的eMMC及UFS全球市占率2.4%，全球第八，國內(nèi)第二。這兩家公司的主要供應(yīng)商都包括美光。

分析人士指出，雖然存儲芯片下游的庫存壓力還在，但通過主要廠商的動態(tài)以及行業(yè)分析數(shù)據(jù)來看底部就在眼前，為了趕上行業(yè)拐點之后的下一波旺周期，萬潤科技、力源信息、香農(nóng)芯創(chuàng)和國芯科技等眾多廠商跨界布局。不過，分析人士亦指出，就算把國產(chǎn)存儲已有的公司兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份和普冉股份等算上，目前國產(chǎn)存儲產(chǎn)品大都是在SSD模組和NOR Flash層面，很難觸及國際廠商大力推行的高端DRAM等市場，這就導(dǎo)致國產(chǎn)存儲廠商很難享受增量市場的紅利，需要在存儲市場供需中隨波逐流。