二維層狀半導體材料重要的半導體備選材料。然而，目前的不同成核點成核、晶疇生長拼接方法會在晶疇之間形成晶界，而且不能保證半導體薄膜的覆蓋率，無法制造大面積集成電路。

4月12日消息，北京大學物理學院、納光電子前沿科學中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室葉堉研究員課題組，提出了一種利用相變和重結晶過程，制備晶圓尺寸單晶半導體相碲化鉬(MoTe2)薄膜的新方法。

課題組以該薄膜為溝道材料，結合之前發(fā)展的大面積1T‘/2H/1T’相面內異質結場效應晶體管陣列技術，制備出100%良率器件，并具有很好的電學性能，且其電學性能表現(xiàn)出很好的均一性。

該工作以“Seeded 2D epitaxy of large-area single-crystal filmsof the van der Waals semiconductor 2H MoTe2”為題，于2021年4月9日在線發(fā)表于學術期刊《科學》(Science)上。

北京大學物理學院葉堉研究員為文章通訊作者，博士后徐曉龍為文章的第一作者。北京大學高鵬研究員、陳基研究員、徐萬勁高級工程師，山西大學韓拯教授為本項研究的主要合作者。這一工作得到了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、北京市自然科學基金、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室等支持。