臺(tái)積電今年要大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝了，三星也是，兩家還要在2025年左右量產(chǎn)2nm工藝，對(duì)EUV光刻工藝的需求更高，而ASML今年底也會(huì)出貨新款EUV光刻機(jī)NXE:3800E，2nm工藝就靠它了。

ASML是唯一能量產(chǎn)EUV光刻機(jī)的公司，而且迭代了多次，主要是提升能效及產(chǎn)能，目前最新的型號(hào)是NXE:3600D，NXE:3800E計(jì)劃是年底出貨，進(jìn)一步降低EUV光刻的成本。

NXE:3800E光刻機(jī)的曝光能力將達(dá)到30mJ/cm2，WPH每小時(shí)產(chǎn)能大約是195片晶圓，后續(xù)還會(huì)提升到220片晶圓/小時(shí)，產(chǎn)能比當(dāng)前型號(hào)高出30%以上。

至于售價(jià)，NXE:3800E的價(jià)格還沒(méi)有權(quán)威說(shuō)法，但是此前EUV光刻機(jī)就賣到1.5億美元以上，這兩年還有通脹等因素，價(jià)格10億起步是少不了的。

未來(lái)的高NA孔徑EUV光刻機(jī)會(huì)更貴，價(jià)格輕松突破25到30億元之間。

NXE:3800E光刻機(jī)今年底出貨的話，考慮到安裝、調(diào)試及生產(chǎn)的周期，未來(lái)臺(tái)積電、三星會(huì)主要在2nm節(jié)點(diǎn)使用，而高NA孔徑的下一代光刻機(jī)要解決的是1nm及之后的工藝。