眾所周知，在芯片的制造過程中，光刻機是最重要且必不可少的一種設備，從成本來看，光刻機占所有芯片制造設備的22%左右。

成本高，占比重還在其次，最重要的是，全球能夠制造光刻機的廠商并不多，也就那么幾家，而用于10nm以下工藝的EUV光刻機，全球只有ASML一家能造。

這問題就嚴重了，意味著所有想生產10nm以下芯片的廠商，必須找ASML買光刻機，買不到的話，在當前的技術條件下，就無法進入到10nm，這才是問題的根本。

因為大家都懂的原因，我們是找ASML買不到EUV光刻機的，所以大家都明白，國產光刻機必須崛起，否則中國芯片產業(yè)無法崛起。

那么問題就來了，目前國內的光刻機水平，究竟什么樣了，與ASML相比，究竟差距有多大？

先說說全球的光刻機格局，目前全球光刻機市場基本都由荷蘭ASML、日本尼康和佳能公司完全壟斷，而國內的上海微電子產的光刻機，市場占有率基本可以忽略，特別是在芯片制造光刻機這一塊，更多用于封測、光刻膠生產等領域。

2022年全球前道光刻機，一共出貨量約為551臺，其中ASML一共出貨了345臺，占比為63%；而佳能出貨量為176臺，占比為32%。尼康僅出貨30臺，占比約為5%。

而中國廠商上海微電子，沒有統(tǒng)計在內，也就意味著遠低于尼康，我們甚至基本可以認為是0。

而7nm及以下的EUV光刻機，只有ASML能生產。尼康的水平是生產浸入式光刻機，標稱精度是28nm，經多重曝光，一般也只用于14nm。

而佳能生產的光刻機，標稱精度是90nm，經多重曝光，最多也只用到65nm左右，這就是這三大光刻機廠商的情況。

而國內最牛的是上海微電子，已公開量產的光刻機標稱精度是90nm，經多重曝光，最多也只用到65nm，與佳能一致，但多重曝光還會導致良率顯著降低，導致成本飆升。

但之前有媒體報道稱，上海微電子已經在生產28nm的光刻機，多重曝光光后生產7nm芯片，預計在2021-2022年交付，但沒具體的報道，所以不能亂說。

所以當前國內明面上的光刻機水平就是90nm，就算多重曝光，最多也就是65nm，考慮到ASML的DUV光刻機是不受限的， 估計沒誰買90nm的，來生產65nm的光刻機。所以，差距真的是非常非常大。

事實上，EUV光刻機一共有10多萬個零件，而ASML有5000多供應商，可見要生產一臺EUV光刻機，真的不容易，但再難，這個關我們也必須沖過去。