光刻膠是一種具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料，外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體。涂在硅晶圓上，作為抗刻蝕層保護(hù)襯底表面。

當(dāng)光刻機(jī)的光線照射至涂了光刻膠的硅晶圓上時(shí)，光刻膠就會(huì)發(fā)生變化，再經(jīng)過后續(xù)的刻蝕等工序之后，電路圖就會(huì)留在硅晶圓上了。

所以光刻膠在芯片制造中至關(guān)重要，同時(shí)光刻膠與芯片的工藝、光刻機(jī)的光線也是對(duì)應(yīng)的。

目前從市場(chǎng)來(lái)看，光刻膠分為g線、i線、KrF、ArF、EUV這么5種，對(duì)應(yīng)著不同的芯片工藝和光刻機(jī)的技術(shù)。

具體按照工藝來(lái)劃分的話，g線、i線主要用于250nm以上工藝，KrF一般用于250nm-130nm工藝，ArF一般用于130nm-14nm，而EUV用于EUV光刻工藝，主要用于7nm以下工藝。

從全球市場(chǎng)來(lái)看，光刻膠主要被日本廠商壟斷，特別是EUV光刻膠，目前全球僅日本廠商能夠生產(chǎn)。

2021年市場(chǎng)數(shù)據(jù)為：在g線/i線、KrF、ArF、EUV光刻膠市場(chǎng)中，日本企業(yè)的市占率分別為61%、80%、93%，100%，總體份額超過75%。

而之前有媒體報(bào)道稱，韓國(guó)廠商被日本卡脖子后，奮發(fā)圖強(qiáng)，也能夠生產(chǎn)EUV光刻膠了，但實(shí)際在市場(chǎng)上，還沒有具體見到。

而中國(guó)在光刻膠上面，高度依賴進(jìn)口，按照機(jī)構(gòu)給出的數(shù)據(jù)，目前在EUV光刻膠上，中國(guó)自給率為0，不過目前國(guó)內(nèi)也生產(chǎn)不了7nm及以下的芯片，沒有EUV光刻機(jī)，也用不上EUV光刻膠。

而在ArF這種用于130nm-14nm芯片光刻膠上，國(guó)產(chǎn)的自給率約為1%，99%需要進(jìn)口。不過近日有媒體報(bào)道稱，國(guó)產(chǎn)的ArF光刻膠已經(jīng)有突破了，南大光電已經(jīng)開發(fā)了多款A(yù)rF光刻膠在下游客戶處驗(yàn)證，制程覆蓋28nm~90nm，這算是巨大的驚喜了。

而用于250nm-130nm工藝的KrF光刻膠，國(guó)產(chǎn)自給率約為5%，也就是說還有95%要進(jìn)口，不過這一塊也不需太過于擔(dān)心，國(guó)產(chǎn)缺的是產(chǎn)能以及市場(chǎng)份額，不是技術(shù)，國(guó)外卡不住脖子。

在比較落后的g線、i線光刻膠上面，國(guó)產(chǎn)率超過20%了，畢竟這種技術(shù)門檻不高，之所以沒達(dá)到100%國(guó)產(chǎn)，原因更多的還是產(chǎn)能影響，不是技術(shù)。

可見發(fā)展中國(guó)芯，光刻膠也是需要突破的，EUV暫且不提，國(guó)內(nèi)暫時(shí)也用不上。但是ArF光刻膠，它是用于14nm-130nm的光刻膠，是當(dāng)前最重要的光刻膠之一了，也是國(guó)內(nèi)最需要的光刻膠，我們可不能被國(guó)外卡住了脖子，你覺得呢？