據(jù)Yole分析報(bào)道，全球主要市場(chǎng)的汽車(chē)電氣化正在加速。到 2028 年，全球輕型 (LD) 汽車(chē)市場(chǎng)將達(dá)到 9300 萬(wàn)輛，xEV 的市場(chǎng)份額將達(dá)到 53.5%。在各種電氣化技術(shù)中，BEV 在 2022 年至 2028 年間以 19.1% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率領(lǐng)先市場(chǎng)，而同期 xEV 的總體年增長(zhǎng)率為 14.1%。

在一些電氣化領(lǐng)先的國(guó)家，內(nèi)燃機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始崩潰。例如，在中國(guó)，NEV（新能源汽車(chē)，包括 BEV、PHEV 和 FCEV）的份額從 2021 年的 13.4% 躍升至 2022 年的 25.6%（整個(gè)汽車(chē)市場(chǎng)）。因此，擁有大量 ICE 產(chǎn)品組合的原始設(shè)備制造商已經(jīng)開(kāi)始失去市場(chǎng)。

由于采取了持續(xù)的成本削減措施，所有電源轉(zhuǎn)換器的總市值將在 2028 年達(dá)到290億美元，2022 年至 2028 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 12.2%。

在支持電氣化趨勢(shì)的過(guò)程中，xEV 的功率器件市場(chǎng)將達(dá)到98億美元，受到 SiC MOSFET 模塊的大力推動(dòng)，到 2028 年僅此一項(xiàng)就價(jià)值55億美元。

特斯拉正在極力推動(dòng)與 ICE 的成本平價(jià)。它聲稱可以大大減少昂貴的 SiC 使用，并詳細(xì)分析了可能的場(chǎng)景。以比亞迪為首的中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)品牌緊隨其后，該品牌最近以與同行品牌內(nèi)燃機(jī)相同的價(jià)格推出了 C 級(jí) PHEV。

電氣化不僅僅限于乘用車(chē)。在“最后一英里交付”中越來(lái)越多地采用電動(dòng)輕型商用車(chē)需要特定型號(hào)與乘用車(chē)或中型商用車(chē)協(xié)同作用。一個(gè)新的生態(tài)系統(tǒng)正在快速發(fā)展。

新一波消費(fèi)電子廠商，如小米、索尼，可能還有蘋(píng)果，正在加入這場(chǎng)游戲。這可能會(huì)為現(xiàn)有的一級(jí)供應(yīng)商創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)，部分抵消 EV OEM 增加內(nèi)部制造的趨勢(shì)。


碳化硅“動(dòng)搖”IGBT地位

在2018年特斯拉將碳化硅應(yīng)用到其Model 3車(chē)型中以前，新能源車(chē)中一直使用的功率IC是IGBT。彼時(shí)，IGBT是新能源車(chē)電控系統(tǒng)的核心組成部分，被譽(yù)為新能源車(chē)的“心臟”。但隨著特斯拉用48顆碳化硅芯片取代原有的84顆IGBT后，碳化硅在新能源車(chē)中的應(yīng)用加速，隨著800V高壓的到來(lái)，IGBT在新能源車(chē)中的核心地位開(kāi)始被動(dòng)搖。

據(jù)Qorvo高級(jí)現(xiàn)場(chǎng)支持工程師周虎介紹，碳化硅之所以在新能源汽車(chē)中更被看好，源于其獨(dú)有的技術(shù)特性。碳化硅器件導(dǎo)通后的特性類(lèi)似于電阻，且導(dǎo)通阻抗相比硅基IGBT更低，其損耗模型為P=I2*R，在較小功率或較小電流應(yīng)用中，其損耗小于IGBT，因此碳化硅的這一優(yōu)點(diǎn)更符合小型轎車(chē)的應(yīng)用場(chǎng)景。而且碳化硅的熱傳遞性非常好，且絕緣能力強(qiáng)，這些特性非常適合高功率的應(yīng)用。除此之外，碳化硅器件的開(kāi)關(guān)頻率可以做得更高，有利于減小磁性器件的匝數(shù)并減小體積，也有利于減小濾波電容和母線電容的用量。可以幫助客戶減小系統(tǒng)尺寸并減少成本，提高功率密度。

目前，業(yè)界為了兼容全級(jí)別車(chē)型快充功能開(kāi)始推動(dòng)800V電氣架構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)在功率相同的情況下，通過(guò)抬高電池電壓，減少流過(guò)的電流，減少發(fā)熱損耗，以提高汽車(chē)的續(xù)航里程。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所教授級(jí)高級(jí)工程師鈕應(yīng)喜介紹，750V以下的應(yīng)用場(chǎng)景中，硅基IGBT和碳化硅功率器件性能差距不大，二者存在的競(jìng)爭(zhēng)主要來(lái)自成本。但由于IGBT在高壓場(chǎng)景中性能會(huì)下降很多，800V高壓的應(yīng)用場(chǎng)景成為適用高電壓環(huán)境碳化硅的主要“秀場(chǎng)”，大大動(dòng)搖了IGBT的地位。

車(chē)用功率器件成香餑餑

TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2022到2026年SiC、GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率將分別達(dá)到35%與61%。而當(dāng)電動(dòng)汽車(chē)對(duì)于快速補(bǔ)能以及更為優(yōu)越的動(dòng)力性能需求愈加迫切之后，預(yù)計(jì)2023年將有更多車(chē)企提前將SiC技術(shù)引入主逆變器，其中高可靠性、高性能、低成本SiC MOSFET作為競(jìng)逐關(guān)鍵點(diǎn)。

德州儀器、英飛凌、Microchip、Wolfspeed、安森美等廠商擴(kuò)產(chǎn)的另一大重點(diǎn)，則是模擬芯片。

對(duì)于周期性較弱、產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)的模擬芯片行業(yè)而言，在當(dāng)下半導(dǎo)體行業(yè)周期下行時(shí)期，其市場(chǎng)表現(xiàn)也相對(duì)穩(wěn)定，從模擬芯片大廠德州儀器、ADI、英飛凌、安森美2022年財(cái)報(bào)可知，上述廠商市場(chǎng)情況較為穩(wěn)定。

從未來(lái)發(fā)展看，受益于5G通信的發(fā)展，5G手機(jī)出貨量的增長(zhǎng)和基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)完善，通信領(lǐng)域的發(fā)展將會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)模擬IC的發(fā)展。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估2023年5G市場(chǎng)可達(dá)145億美元，至2026年可望上升到370億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)到11.0%，期間主要受元宇宙相關(guān)應(yīng)用帶動(dòng)，進(jìn)一步刺激5G網(wǎng)絡(luò)需求。

由上可知，半導(dǎo)體行業(yè)周期性明顯，車(chē)用功率器件以及模擬IC或是下一階段的香餑餑。