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SSD要進(jìn)入PB級(jí)時(shí)代?或?qū)⒃谖磥硎陜?nèi)的某個(gè)時(shí)候?qū)崿F(xiàn)

2023-05-23 來源:全球半導(dǎo)體觀察
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關(guān)鍵詞: SSD 三星電子 芯片

得益于固態(tài)存儲(chǔ)的性能優(yōu)勢(shì),SSD(固態(tài)硬盤)應(yīng)用十分廣泛。除了生活中常見的筆記本電腦外,SSD還應(yīng)用于車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。


目前,消費(fèi)級(jí)SSD常見容量包括256GB、512GB、1TB、2TB、4TB這幾種,企業(yè)級(jí)SSD容量則更大一些,可達(dá)16TB、32TB、64TB、甚至128TB。

這并不是SSD容量的“天花板”,未來存儲(chǔ)廠商還將讓SSD容量突破300TB,甚至達(dá)到1024TB。


SSD狂飆:未來十年單顆容量可達(dá)1PB

近日,三星電子對(duì)外表示,預(yù)計(jì)在未來十年單顆SSD的容量可達(dá)1PB(1024TB)。


三星表示物理縮放技術(shù)、邏輯縮放技術(shù)和封裝技術(shù)的日益成熟,加速推動(dòng) 3D NAND 的發(fā)展,預(yù)計(jì)未來十年單顆 SSD 容量可高達(dá) 1PB。

三星表示新技術(shù)將進(jìn)一步減少 NAND 閃存單元尺寸、增加層數(shù),讓每一層能夠存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)。

三星在過去幾年推動(dòng) SSD 技術(shù)的落地,2016 年率先量產(chǎn) 15.36TB 的 SSD;在 2017 年又推出基于 3D TLC 的 30.72TB 產(chǎn)品。

三星還在 2019 年展示了 64TB SSD,然后在 2021 年展示了基于 3D QLC NAND 的 128TB 原型 SSD,但這些設(shè)備尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。

其中,物理縮放技術(shù)包括三種技術(shù),分別為橫向/垂直收縮(一種減少每個(gè)存儲(chǔ)單元大小的方法)、垂直堆疊技術(shù)(一種添加更多WL堆棧的方法,從而增加內(nèi)存單元的數(shù)量)、電池在外圍技術(shù)(一種減少硅面積的方法,把外圍電路放在存儲(chǔ)單元下面),用于提高性能和降低成本,以響應(yīng)應(yīng)用程序和系統(tǒng)處理需求的變化。

邏輯縮放技術(shù),例如QLC技術(shù)——涉及到尋找在單個(gè)單元中存儲(chǔ)更多比特的方法,以便SSD可以保存更多的數(shù)據(jù),同時(shí)保持輕便和緊湊。QLC技術(shù)可以使每個(gè)設(shè)備每個(gè)單元存儲(chǔ)4位,相比TLC存儲(chǔ)密度提高33%。

封裝技術(shù)是開發(fā)高容量產(chǎn)品的關(guān)鍵,三星已經(jīng)有能力批量生產(chǎn)32Die堆疊封裝(32 die-stack packaging)。

無獨(dú)有偶,另一家存儲(chǔ)相關(guān)廠商Pure Storage也在積極探索更高容量SSD。今年3月初,該公司表示,到2025-2026年,公司將推出300TB NVMe SSD。他們計(jì)劃使用定制的SSD主控搭配3D NAND閃存,用于FlashArray系統(tǒng),并在定制的FlashBlade操作系統(tǒng)上運(yùn)行。



邁向PB級(jí)容量,PLC與千層NAND Flash大有可為?

隨著數(shù)據(jù)中心等新型技術(shù)與應(yīng)用不斷發(fā)展,海量存儲(chǔ)需求下,大容量SSD成為發(fā)展大勢(shì)。業(yè)界預(yù)測(cè),本世紀(jì)30年代時(shí),PLC閃存與千層堆疊可能會(huì)成為PB級(jí)SSD的主流之選,閃存顆粒與堆疊技術(shù)重要性將進(jìn)一步凸顯。


閃存顆粒

SSD由主控芯片、閃存顆粒與緩存顆粒組成,閃存顆粒在SSD中負(fù)責(zé)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),占據(jù)了SSD 70%-80%的成本,并對(duì)SSD性能有決定性影響??梢哉f,要實(shí)現(xiàn)SSD更強(qiáng)的性能、更大的容量,閃存顆粒是關(guān)鍵。

當(dāng)前SSD閃存顆粒主要是NAND Flash,根據(jù)電子單元密度的差異,NAND Flash可分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,這五種閃存顆粒每單元可存儲(chǔ)的信息是層層遞進(jìn)的,以主流TLC為例,其又可被稱作三層式存儲(chǔ),成本低,質(zhì)量、讀寫速度以及壽命可以滿足普通消費(fèi)者需求,因而被廣泛應(yīng)用于SSD市場(chǎng)。

TLC之后是QLC——四層式存儲(chǔ),具有存儲(chǔ)密度大、成本低的優(yōu)勢(shì),三星128TB原型SSD就是基于QLC打造。

相比TLC,PLC在相同的空間內(nèi)帶動(dòng)SSD容量的進(jìn)一步擴(kuò)大。去年8月,Solidigm展示了全球首款正在研發(fā)的PLC SSD,其表示,在相同的空間內(nèi),使用PLC SSD存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量可增加25%,可以用來解決固態(tài)存儲(chǔ)未來的成本、空間和能耗等問題。該款SSD將首先用于數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品,具體發(fā)布和上市時(shí)間待定。

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,NAND Flash容量逐步提升,因此,部分業(yè)界人士看好PLC在PB級(jí)SSD中的應(yīng)用。不過,從SLC到PLC,容量雖然提升,但性能、可靠性、壽命并未隨之優(yōu)化,PLC SSD的商用落地,仍需要解決上述問題。


閃存堆疊

閃存堆疊技術(shù)對(duì)SSD容量同樣也至關(guān)重要,3D NAND Flash的出現(xiàn),比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲(chǔ)空間,滿足了業(yè)界日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,因而成為主流。

目前3D NAND Flash已經(jīng)突破200層,大廠方面,三星第8代V-NAND層數(shù)達(dá)到了236層,采用TLC閃存;美光232層NAND Flash已經(jīng)量產(chǎn)出貨;鎧俠和西部數(shù)據(jù)近期宣布,推出218層3D NAND閃存。

此外,SK海力士238層NAND Flash計(jì)劃于今年上半年量產(chǎn),該公司采用的是4D架構(gòu)方式。

未來存儲(chǔ)廠商將持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)NAND Flash,美光232層之后,計(jì)劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品;鎧俠與西數(shù)兩家公司2032年之前還將陸續(xù)推出200層以上、300層以上、400層以上與500層以上閃存技術(shù);SK海力士在近期的ISSCC會(huì)議上,展示了300層堆疊第八代3D NAND Flash存儲(chǔ)器原型,計(jì)劃兩年內(nèi)上市;三星則計(jì)劃在2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash,此舉也將助力三星之后推出1PB SSD。

3D NAND Flash層數(shù)堆疊前景美好,但與PLC一樣,層數(shù)不斷提高的過程中,也面臨不少挑戰(zhàn)。比如時(shí)間成本,隨著層數(shù)的增加,生產(chǎn)時(shí)間成本隨之上升;再比如良率問題,層數(shù)的增加,對(duì)良率也會(huì)形成嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。


給力的國(guó)產(chǎn)廠商

對(duì)于我們廣大消費(fèi)者而言,大家應(yīng)該也能發(fā)現(xiàn)這些年固態(tài)硬盤越來越便宜了。過去的內(nèi)存條,被大家戲稱為“金條”,很多人都表示難以忘記那8GB內(nèi)存1000塊錢的時(shí)代,甚至那時(shí)的廠商們經(jīng)常有“失火”漲價(jià)的??稍蹅儑?guó)產(chǎn)廠商比如長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)成技術(shù)突破后,將固態(tài)硬盤的價(jià)格硬生生地打下來了。比如在某多多,致鈦2TB的硬盤400多元就能拿下。相比當(dāng)時(shí)同規(guī)格一千多的硬盤,消費(fèi)者自然是義無反顧地支持國(guó)產(chǎn)了。

其實(shí)這種事發(fā)生也不是一次兩次了,各種家電產(chǎn)品、顯示器、手機(jī)……我們都享受到了由國(guó)產(chǎn)廠商帶來的物美價(jià)廉的產(chǎn)品。就連大家熟知的華為,在通信行業(yè)中也被其它海外同行所敵視(因?yàn)槿A為將通信行業(yè)各種產(chǎn)品報(bào)價(jià)向下打了一截)。

所以說,低價(jià)的優(yōu)質(zhì)國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品,在一定程度上也倒逼了其它廠商降價(jià)售賣商品。