5月18日消息，三星在去年12月發(fā)布了全球首款傳輸速率高達7.2Gbps的12nm級DDR5 DRAM內(nèi)存芯片，今天，三星正式宣布已大規(guī)模量產(chǎn)12nmDDR5DRAM芯片。

根據(jù)三星官方的說法，該12nm DDR5 DRAM芯片采用了新的高介電（high-k）材料，以增加電池電容，并進一步改善關鍵電路特性專利設計技術達成。結合先進的多層極紫外 (EUV) 光刻技術，新型 DRAM 具有業(yè)界最高的芯片密度，可將晶圓生產(chǎn)率提高 20%（即同樣的一片晶圓，由于單個芯片尺寸縮小，因此可以多生產(chǎn)20%的芯片）。同時，該DRAM芯片傳輸速率高達7.2Gbps，并且能耗相比上一代的DRAM還要低23%。

三星表示，其12nm DDR5 DRAM憑借卓越的性能和能效，能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能驅動系統(tǒng)等領域可持續(xù)運營的基礎。