盡管半導(dǎo)體行業(yè)從 2022 年底開始放緩，但臺積電的晶圓出貨量仍實現(xiàn)增長。該公司去年出貨了 1530 萬片 12 英寸等效晶圓，年增長率為 7.7%。此外，代表先進芯片制造技術(shù)（7 納米以下）的晶圓比例占總組合的 53%，而 2021 年占總晶圓出貨量的 50%。

總體而言，臺積電的出貨量占全球所有非內(nèi)存半導(dǎo)體產(chǎn)品的近三分之一，即30%，其份額增加了4%。

轉(zhuǎn)向 2 納米或 N2，臺積電表示計劃明年進入該技術(shù)的風險生產(chǎn)，并在 2025 年轉(zhuǎn)向量產(chǎn)。最初將在臺灣的新竹和臺南市生產(chǎn)。

深入研究 N2 的性能，臺積電表示，新芯片將在類似于 N3E 工藝的功率水平下提供高達 15% 的性能提升。N3E 是臺積電 3 納米節(jié)點的高級變體，該公司計劃在今年下半年開始量產(chǎn)該技術(shù)。以與 N3E 相似的速度，N2 將提供高達 30% 的功耗改進 - 這一指標無疑將吸引臺積電最大的 Apple MacBook 系列處理器客戶。

2nm的競爭格局

臺積電表示，N2 將使用納米片晶體管，最初將在臺灣的新竹和臺南市生產(chǎn)。

臺積電的競爭對手三星代工廠認為，向納米片的轉(zhuǎn)變將給該公司帶來重大的技術(shù)限制，這可能會限制其成功提高產(chǎn)量的能力。

5月4日在KAIST（韓國科學(xué)技術(shù)院），三星設(shè)備解決方案部門總裁 Kye Hyun Kyung承認三星的代工技術(shù)“落后于臺積電”。他解釋說，三星的 4nm 技術(shù)比臺積電落后大約兩年，而其 3nm 工藝則比臺積電落后大約一年。

不過他補充認為，由于三星已經(jīng)開始使用 GAAFET（或納米片）制造芯片，他的該公司比臺積電有優(yōu)勢，可以使其在五年內(nèi)趕上TSMC。

三星可能在未來五年內(nèi)跑贏臺積電的想法，源于三星打算從 3nm 制造工藝開始使用 Gate All Around（GAA）技術(shù)。相比之下，臺積電在3nm制程仍使用FinFET技術(shù)，要到2nm才會采用GAA技術(shù)，三星則是在3納米就已經(jīng)使用GAA技術(shù)，但整體良率（合格率）不如臺積電，因此無法順利彎道超車。