2022年成為半導(dǎo)體景氣度分水嶺，A股行業(yè)上市公司業(yè)績(jī)的高歌猛進(jìn)狀態(tài)戛然而止。據(jù)證券時(shí)報(bào)記者最新統(tǒng)計(jì)，2022年半導(dǎo)體行業(yè)上市公司整體營(yíng)收規(guī)模或出現(xiàn)2009年以來(lái)首次縮減，全行業(yè)去庫(kù)存緩慢推進(jìn)中。

不過(guò)，隨著晶圓廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)以及國(guó)產(chǎn)自主可控進(jìn)程加速，半導(dǎo)體設(shè)備公司業(yè)績(jī)維持高速增長(zhǎng)，分立器件以及半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)的毛利率穩(wěn)步提升。


半導(dǎo)體行業(yè)營(yíng)收增速下降

截至記者發(fā)稿，申萬(wàn)半導(dǎo)體上市公司披露2022年年報(bào)，營(yíng)業(yè)收入規(guī)模合計(jì)實(shí)現(xiàn)約3827億元，同比下降約4%，成為2009年以來(lái)首次下降；歸屬母公司股東凈利潤(rùn)（簡(jiǎn)稱(chēng)凈利潤(rùn)）合計(jì)518億元，同比下降約兩成。

今年一季度，半導(dǎo)體行業(yè)盈利尚未出現(xiàn)根本改觀(guān)。已經(jīng)披露一季報(bào)的上市公司中，不足三成公司實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)。個(gè)股中，芯原股份凈利潤(rùn)去年實(shí)現(xiàn)4.55倍增長(zhǎng)，但一季度同比下降近23倍，成為業(yè)績(jī)變動(dòng)幅度最大個(gè)股；相比，盛美上海凈利潤(rùn)以同比29倍增速問(wèn)鼎，其次是滬硅產(chǎn)業(yè)和拓荊科技，分別增長(zhǎng)近8倍和超5倍。

分板塊看，去年半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體制造凈利潤(rùn)規(guī)模同比增長(zhǎng)。其中，半導(dǎo)體設(shè)備彰顯了極強(qiáng)抗周期增長(zhǎng)特性，整體凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)接近七成。板塊個(gè)股中，拓荊科技凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)超四倍增長(zhǎng)至3.69億元，芯源微、盛美上海、華海清科、長(zhǎng)川科技等實(shí)現(xiàn)了翻倍增長(zhǎng)。

作為A股半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，北方華創(chuàng)去年凈利潤(rùn)增長(zhǎng)1.18倍至23.53億元，并且預(yù)計(jì)今年一季度實(shí)現(xiàn)盈利5.6億元~6.2億元，同比增長(zhǎng)171.24%~200.3%，增速將進(jìn)一步提升。


全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額再創(chuàng)新高

近日，SEMI發(fā)布的《全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)報(bào)告》指出，2022年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備出貨金額相較于2021年的1026億美元增長(zhǎng)5%，創(chuàng)下1076億美元的歷史新高。

雖然2022年中國(guó)大陸的半導(dǎo)體設(shè)備投資額同比放緩5%，為283億美元，但依舊連續(xù)3年成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)連續(xù)第四年穩(wěn)定增長(zhǎng)，排名上升至第二，2022年增長(zhǎng)8%，達(dá)到268億美元。韓國(guó)則因?yàn)榇鎯?chǔ)芯片市場(chǎng)不景氣，三星、SK海力士等廠(chǎng)商的生產(chǎn)放緩，導(dǎo)致設(shè)備銷(xiāo)售額大幅下降14%，為215億美元，排名第三。歐洲的半導(dǎo)體設(shè)備投資卻激增93%，北美增長(zhǎng)了38%。世界其他地區(qū)和日本的銷(xiāo)售額分別同比增長(zhǎng)34%和7%。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“2022年半導(dǎo)體制造設(shè)備銷(xiāo)售額創(chuàng)下歷史新高，源于產(chǎn)業(yè)努力增加所需的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能，以支持包括高性能計(jì)算和汽車(chē)在內(nèi)的關(guān)鍵終端市場(chǎng)的長(zhǎng)期增長(zhǎng)和創(chuàng)新需求?！?/span>

SEMI在《300mm晶圓廠(chǎng)展望報(bào)告》中預(yù)測(cè)，在2021和2022年強(qiáng)勁增長(zhǎng)后，由于內(nèi)存和邏輯元件需求疲軟，預(yù)計(jì)今年300mm晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能擴(kuò)張將放緩。2023年全球晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出預(yù)計(jì)將從2022年創(chuàng)紀(jì)錄的980億美元，同比下降22%，至760億美元，到2024年會(huì)有所復(fù)蘇，同比將增長(zhǎng)21%，至920億美元。


3大半導(dǎo)體設(shè)備機(jī)會(huì)剖析

光刻設(shè)備

也就是光刻機(jī)，是制造芯片的核心裝備之一，用于將掩模版上的電路圖形通過(guò)曝光的方式轉(zhuǎn)移到晶圓上，類(lèi)似于相片的沖印。

由于技術(shù)含量極高，光刻機(jī)也就成為了成本極高，單臺(tái)價(jià)值含量超高的半導(dǎo)體設(shè)備，而且制程越先進(jìn)，價(jià)格越高，關(guān)鍵是全球能生產(chǎn)7nm以下先進(jìn)制程光刻機(jī)，只有荷蘭的阿斯麥公司，獨(dú)此一家，別無(wú)分店，想買(mǎi)人家還不一定賣(mài)。

結(jié)果就是中國(guó)光刻機(jī)層面的國(guó)產(chǎn)替代需求非常大，但限于技術(shù)差距，國(guó)產(chǎn)替代率又比較低，現(xiàn)在即使想買(mǎi)，也因?yàn)檎卧蛸I(mǎi)不了。

好在國(guó)內(nèi)企業(yè)也在努力的做突破，中科院光電所研發(fā)出 365nm 波長(zhǎng)的近紫外光 DUV 光刻機(jī)設(shè)備。上海微電子已有生產(chǎn)前道90nm制程的光刻機(jī)，后道先進(jìn)封裝光刻機(jī)也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)出貨。

當(dāng)然了，就不說(shuō)要相比阿斯麥了，相比 AMAT，泛林半導(dǎo)體，東京電子等巨頭都還要遙遠(yuǎn)的距離，路漫漫兮。

只是換個(gè)角度思考：自主化程度越低，意味著后續(xù)自主化替代空間越大，在未來(lái)很多年，光刻機(jī)設(shè)備都有足夠大的國(guó)產(chǎn)替代空間。


刻蝕設(shè)備

刻蝕跟光刻環(huán)節(jié)類(lèi)似，主要作用也是轉(zhuǎn)移掩模版上的圖形到晶圓上，很多人搞不清楚差別。

簡(jiǎn)單說(shuō)，光刻機(jī)就是把電路圖描繪至覆蓋有光刻膠的硅片上，而蝕刻機(jī)的作用就是按照光刻機(jī)描繪的電路圖把硅片上其它不需要的光刻膠腐蝕去除，完成電路圖的雕刻轉(zhuǎn)移至硅片表面。

可以簡(jiǎn)單粗暴理解為光刻機(jī)是設(shè)計(jì)者，蝕刻機(jī)是執(zhí)行者，兩者相互配合，最終將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上。

相比光刻機(jī)，蝕刻機(jī)的技術(shù)難度低一些，但同樣具有非常高的技術(shù)含量，而且在整個(gè)半導(dǎo)體體系中，它的價(jià)值含量不比光刻機(jī)低，尤其是隨著 3D NAND 的大發(fā)展，蝕刻機(jī)的設(shè)備的價(jià)值含量越來(lái)越大。

相比光刻機(jī)被死死卡住脖子，蝕刻機(jī)國(guó)內(nèi)已經(jīng)有非常大的突破了，中微公司，北方華創(chuàng)，嘉芯 半導(dǎo)體等企業(yè)，都在行業(yè)里占有一席之地，整體國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到了 20%，未來(lái)國(guó)產(chǎn)化率有望達(dá)到70%以上！未來(lái)的成長(zhǎng)空間依然足夠?qū)拸V。


薄膜設(shè)備

薄膜沉積，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是在半導(dǎo)體的主要襯底材料“硅”上鍍一層膜，當(dāng)然，實(shí)際上不是鍍上去了，反而是從里面生長(zhǎng)出來(lái)的，具體比較復(fù)雜就不展開(kāi)了，總之這也是非常關(guān)鍵的一道工序就對(duì)了。

目前薄膜沉積工藝主要有分三種技術(shù)路線(xiàn)：原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)、化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等，其中ALD又屬于CVD的一種，是目前最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。

薄膜沉積的價(jià)值含量?jī)H次于刻蝕設(shè)備，比光刻設(shè)備還高，國(guó)內(nèi)做這塊的公司主要是北方華創(chuàng)和拓荊科技，其中拓荊科技在 CVD 領(lǐng)域，北方華創(chuàng)在 PVD 領(lǐng)域都已經(jīng)有了一定的市場(chǎng)份額。此外，中微公司，盛美上海，萬(wàn)業(yè)企業(yè)等公司的產(chǎn)品也正在薄膜沉積領(lǐng)域布局，但薄膜設(shè)備整體的國(guó)產(chǎn)化率依然較低，2021 年在 10%左右。

長(zhǎng)期來(lái)看，薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的成長(zhǎng)空間也足夠廣闊。

除了這幾個(gè)重要的環(huán)節(jié)，其實(shí)國(guó)產(chǎn)的設(shè)備廠(chǎng)商，目前已經(jīng)幾乎覆蓋所有的前道環(huán)節(jié)了，這自然要感謝川寶了，是他生生加速了中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的，也給了市場(chǎng)一個(gè)十年級(jí)別的投資方向。

當(dāng)然了，要說(shuō)明的是，半導(dǎo)體設(shè)備，乃至整個(gè)半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)替代化空間毫無(wú)疑問(wèn)是巨大的，但同時(shí)，受限于半導(dǎo)體設(shè)備，以及再上游的半導(dǎo)體材料及零部件的國(guó)產(chǎn)化問(wèn)題和技術(shù)含量，國(guó)產(chǎn)替代化過(guò)程注定是一個(gè)比較漫長(zhǎng)的過(guò)程，很難一蹴而就。