眾所周知，目前用于芯片制造的前道光刻機，從最開始的G線光刻機，發(fā)展到現(xiàn)在的EUV，已經(jīng)有了6代，EUV就是第6代。

而在這之前有5代，分別對應不同的工藝。其中DUV光刻機中又包含了三代，分別是KrF、ArF、ArFi三種。

如下圖的所示，這是6代光刻機，其光源波長，以及支持的最小芯片制造情況。

目前國內(nèi)能夠制造的是ArF光刻機，也稱之為干式光刻機，采用193nm波長的光源，最高可以用于65nm的芯片制造。

而ArFi光刻機，也稱之為浸潤式光刻機，采用水為介質(zhì)，193nm波長的光源，經(jīng)過一層水后，等效為134nm波長的光源，可以用于7nm的芯片制造。

目前能夠生產(chǎn)EUV光刻機的廠商就一家，那就是ASML。而能夠生產(chǎn)ArFi光刻機的廠商，全球就兩家，一家是ASML，一家是尼康。

目前ASML在售的浸沒式光刻機主要有三大型號：NXT:2050i、NXT:2000i 和NXT:1980Di。

而ASML前段時間有公告稱，NXT:2000i及之后的浸沒式光刻系統(tǒng)將會受到出口限制。這也意味著，NXT:1980Di 仍將可以出口。

NXT:1980Di的分辨率在38nm左右，每小時的生產(chǎn)晶圓數(shù)量為275wph。

那么這臺光刻機，能支撐到什么工藝制程，就是38nm了么？其實并不是的，38nm是指一重曝光。而通過多重曝光，依然可以支持到7nm左右。

按照媒體的報道稱，臺積電的第一代7nm工藝就是基于 NXT:1980Di 實現(xiàn)的，后來才升級為EUV 7nm工藝。

只不過多重曝光后，步驟更為復雜，成本更高，良率可能也會有損失，但實現(xiàn)7nm是沒有問題的。

不過大家要注意的是，芯片制造涉及到幾十上百種材料，幾百種設備，幾千道工序，還有各種技術(shù)、軟件等等。

光刻機只是其中關(guān)鍵之一，擁有EUV光刻機，或者說擁有支持7nm工藝的光刻機，并不代表就能夠?qū)崿F(xiàn)7nm工藝，還需要各種設備、技術(shù)、軟件、材料都達到7nm才行，任何環(huán)節(jié)缺一不可。

所以就算擁有能生產(chǎn)7nm工藝芯片的光刻機，我們也未必能夠制造出7nm芯片，這個大家要清楚，別具盯著光刻機一項。