美國的目標(biāo)非常明確，那就是鎖死中國大陸18納米以下DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)設(shè)備，128層以上NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備，以及14納米以下邏輯芯片的生產(chǎn)設(shè)備。

而為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，今年美國更是牽手了荷蘭、日本，因?yàn)槿毡?、荷蘭也有很多半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，特別是荷蘭有ASML，日本有尼康這兩大光刻機(jī)巨頭。

所以我們看到，前段時(shí)間ASML表示，浸潤式光刻機(jī)中，TWINSCAN NXT：2000i及之后的浸沒式光刻系統(tǒng)，已經(jīng)賣給中國了，只有TWINSCAN NXT：2000i之前的光刻機(jī)不受影響。

所以一時(shí)之間，網(wǎng)友們都非常擔(dān)心，覺得我們芯片產(chǎn)業(yè)最重要的可能就是卡在光刻機(jī)上面了，因?yàn)閲a(chǎn)的才90nm精度，而浸潤式光刻機(jī)也受限，那么我們可能很長一段時(shí)間，因?yàn)楣饪虣C(jī)的原因要卡在14nm了，除非國產(chǎn)光刻機(jī)有突破。

說真的，關(guān)于光刻機(jī)，其實(shí)大家不必太過于擔(dān)心，不說國產(chǎn)光刻機(jī)突破，僅目前能夠買到的這一臺(tái)光刻機(jī)，就能夠支撐到7nm。

如下圖所示，這是目前ASML三種浸潤式光刻機(jī)的詳細(xì)介紹，里面有具體提到支持的工藝制程。

而TWINSCAN NXT：1980Di是我們能夠買到的，明確指出可以用于10nm以下節(jié)點(diǎn)的批量生產(chǎn)，不說5nm，7nm是沒問題的。

事實(shí)上，從砂子變成芯片，中間需要幾十種材料，幾百種設(shè)備，幾千道工序，光刻機(jī)只是其中最為核心的設(shè)備之一，但并不是說擁有了先進(jìn)光刻機(jī)，就等同于掌握了先進(jìn)工藝。

如果你搞定7nm芯片，需要其它所有的設(shè)備、材料都達(dá)到先進(jìn)的7nm工藝，還需要自己的芯片制造技術(shù)，也達(dá)到7nm工藝，并不是只有7nm光刻機(jī)就行的。

而我們對外依賴的并不僅僅只有7nm光刻機(jī)，還有眾多的材料、設(shè)備，比如光刻膠等等，所以別只把目光盯在光刻機(jī)上，我們要補(bǔ)的課還非常多，別想一口吃成胖子，慢慢來。