今、明兩年大部分晶圓廠投資集中于晶圓代工和內(nèi)存部門
SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))公布北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨報(bào)告,2021年2月份設(shè)備制造商出貨金額達(dá)31.350億美元,連續(xù)2個(gè)月創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。全球半導(dǎo)體產(chǎn)能供不應(yīng)求,包括IDM廠、晶圓代工廠、內(nèi)存廠等同步拉高資本支出擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)客戶強(qiáng)勁需求,SEMI預(yù)期今年全球半導(dǎo)體設(shè)備投資將創(chuàng)下新高。
根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì),2021年2月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額來(lái)到31.350億美元,較前月增長(zhǎng)3.2%,較去年同期成長(zhǎng)32.0%。
SEMI全球營(yíng)銷長(zhǎng)暨臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示,由于多種終端應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)于半導(dǎo)體有長(zhǎng)期的強(qiáng)勁需求,SEMI看好全球數(shù)字轉(zhuǎn)型將持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備投資的增長(zhǎng)。
今年半導(dǎo)體產(chǎn)能供不應(yīng)求,邏輯IC及內(nèi)存同步缺貨,帶動(dòng)各大廠積極擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)強(qiáng)勁需求。晶圓代工廠及DRAM廠今年投資重點(diǎn)在于擴(kuò)建極紫外光(EUV)產(chǎn)能,包括臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士等已向艾司摩爾(ASML)預(yù)訂EUV曝光機(jī),其中,臺(tái)積電及三星下半年加快3nm晶圓代工產(chǎn)能建置,三星及SK海力士建置1anm DRAM產(chǎn)能。
至于IDM龍頭大廠英特爾已加快自有產(chǎn)能建置,10nm產(chǎn)能今年進(jìn)入量產(chǎn),7nm研發(fā)加速進(jìn)行,預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)始生產(chǎn),2023年擴(kuò)大投片規(guī)模,同樣會(huì)在7nm制程開(kāi)始導(dǎo)入EUV技術(shù),對(duì)EUV曝光機(jī)采購(gòu)亦將逐步擴(kuò)大。
SEMI調(diào)查顯示,今、明兩年大部分晶圓廠投資集中于晶圓代工和內(nèi)存部門。在大幅投資推動(dòng)下,晶圓代工支出預(yù)計(jì)今年將增長(zhǎng)23%達(dá)320億美元,明年預(yù)估持平;整體內(nèi)存支出今年有個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)達(dá)280億美元,同年DRAM將超過(guò)NAND Flash,明年將在DRAM和3D NAND投資推波助瀾之下出現(xiàn)26%的顯著成長(zhǎng)。
SEMI預(yù)期在2020~2022年的三年預(yù)測(cè)期間內(nèi),全球晶圓廠每年將增加約100億美元的設(shè)備支出,最終將于2022年超過(guò)800億美元大關(guān)、達(dá)到836億美元規(guī)模并創(chuàng)下新高。法人看好資本支出概念股直接受惠,包括漢唐、帆宣、信纮科等廠務(wù)工程業(yè)者今年在手訂單續(xù)創(chuàng)新高,設(shè)備及備品供貨商京鼎、弘塑、意德士等同步受惠,對(duì)今年展望抱持樂(lè)觀看法。
