眾所周知，中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，最全球第一家量產(chǎn)232層3D NAND閃存的廠商，其量產(chǎn)的時(shí)間早于美光、三星、SK海力士等。

而基于其232層3D NAND閃存制造的SSD，在性能上已經(jīng)超過(guò)了美光、三星、SK海力士的產(chǎn)品，可以說(shuō)長(zhǎng)江存儲(chǔ)，是國(guó)內(nèi)少有的在半導(dǎo)體領(lǐng)域上，超過(guò)美國(guó)的中國(guó)企業(yè)。

不過(guò)后來(lái)的故事，大家也清楚了，技術(shù)太先進(jìn)，把美國(guó)嚇住了，于是將長(zhǎng)江存儲(chǔ)拉入了“實(shí)體清單”，對(duì)一些先進(jìn)設(shè)備進(jìn)行了限制。

事實(shí)上我們很清楚，長(zhǎng)江存儲(chǔ)能夠?qū)崿F(xiàn)突破，一方面是自己的Xtacking（也稱之為“晶棧”）技術(shù)很牛，將讀、寫兩塊分開(kāi)了，這屬于創(chuàng)新性的架構(gòu)。

另外一方面，還是依賴了美國(guó)的技術(shù)，比如美國(guó)的KLA Corp. ( KLAC ) 和泛林集團(tuán) ( Lam Research Co., LRCX ) 等，就為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層工藝提供了設(shè)備以及技術(shù)支持。

而一被列入“實(shí)體清單”后，先進(jìn)的設(shè)備無(wú)法購(gòu)買，原本合作的美國(guó)廠商，也暫停了對(duì)已安裝設(shè)備的支持，暫停了新設(shè)備的安裝調(diào)試，還暫時(shí)撤出他們?cè)隈v廠的員工。

導(dǎo)致長(zhǎng)江存儲(chǔ)新產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)陷入了困境，產(chǎn)能一下子提升不起來(lái)。這會(huì)造成什么后果，當(dāng)然是錯(cuò)過(guò)通過(guò)技術(shù)搶占市場(chǎng)的窗口期，而這也是美國(guó)的目的。

因?yàn)槿绻袊?guó)存儲(chǔ)廠商技術(shù)先進(jìn)，產(chǎn)能又不斷的提升，那還有美國(guó)廠商什么事？當(dāng)然是要打壓下來(lái)，然后讓中國(guó)廠商的產(chǎn)能無(wú)法提升，這樣無(wú)法占領(lǐng)市場(chǎng)，那么當(dāng)美國(guó)廠商技術(shù)上來(lái)了，就能夠占領(lǐng)了市場(chǎng)，那時(shí)候就無(wú)所謂了，美國(guó)打壓的就是這個(gè)窗口期。

果然，后續(xù)來(lái)了，近日韓國(guó)存儲(chǔ)廠商SK海力士第 70 屆 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上，展示了最新300 層堆疊第8代 3D NAND Flash的原型。

這種存儲(chǔ)芯片，堆疊超過(guò) 300 層，容量為 1Tb（128GB），具有20Gb/mm2 單位容量，最大數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到 194 MB/s，比上一代高出18%。

而存儲(chǔ)密度提升一倍，就意味著成本要大幅度降低，這種芯片一推出，明顯會(huì)比長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層 3D NAND更有競(jìng)爭(zhēng)力。

而美光也表示，很快要推出300層以上堆疊的3D NAND閃存芯片，時(shí)間預(yù)計(jì)在今年年底，或明年上半年，至于大規(guī)模推出市場(chǎng)，可能會(huì)在2024年下半年去了。

很明顯，美國(guó)打壓中國(guó)存儲(chǔ)芯片的目的，部分實(shí)現(xiàn)了，就是想讓我們就算研發(fā)出新技術(shù)，也要錯(cuò)過(guò)這個(gè)領(lǐng)先的窗口期，從而無(wú)法提升市場(chǎng)規(guī)模，最終高端市場(chǎng)就還是美系廠商或美國(guó)盟友的。