近日，全球最牛的光刻機廠商ASML通過官網(wǎng)發(fā)布了關于光刻機管制的一些細節(jié)。

其中ASML明確指出，TWINSCAN NXT：2000i及之后的浸沒式光刻系統(tǒng)，已經(jīng)不能出口到中國了，而TWINSCAN NXT：2000i之前的光刻機不受影響。

這意味著除了EUV光刻機外，以前不受限的DUV光刻機，也受到限制了。

浸潤式光刻機是什么光刻機？還是采用193nm光源的光刻機，但浸潤式的光刻機，在硅晶圓上，會加一層水作為介質，而193nm的光源，經(jīng)過水之后，會進和地折射，然后就等效于134nm的光源，這樣精度更高。

所以這種浸潤式光刻機，可以被用于45-7nm先進制程芯片的制造，當然主要還是用于14-45nm工藝，在7nm工藝時，更多還是用EUV光刻機。

目前ASML浸潤式的光刻機主要有三種型號，分別是TWINSCAN NXT:2050i、TWINSCAN NXT:2000i 和TWINSCAN NXT:1980Di。

前面兩種是先進的，買不到了，中國還能買到的浸潤式光刻機，只有TWINSCAN NXT:1980Di，這也應該是接下來很長一段時間內，中國能夠買的最先進的光刻機了。

那么問題來了，買了這一臺光刻機后，我們能夠用它來制造幾納米的芯片？

據(jù)官網(wǎng)的數(shù)據(jù)，TWINSCAN NXT:1980Di的分辨率是大于等于38nm,數(shù)值孔徑是1.35NA，每小時可以生產275片晶圓。

那么是不是意味著它能生產的芯片最高是38nm？并不是的，事實上通過多重曝光，依然可以支持到7nm左右。只不過，這樣步驟更為復雜，良率可能會很低，導致成本過高，一般的晶圓廠不會這么干。

目前這臺浸潤式光刻機，普遍用于14nm及以上的芯片制造，很少用于14nm以下的芯片制造，但逼到極限了，也是能使用在14nm以下的。

另外，既然只能買到這樣的光刻機，那么我們能不能不買這個，就用國產的算了？

那肯定也是不行的，目前國產的光刻機，最先進的是上海微電子的SSA600/20，其分辨率是90nm，較TWINSCAN NXT:1980Di的38nm，還相差很遠。

這臺SSA600/20據(jù)稱最多只能達到45nm制程，所以還是需要進口ASML的TWINSCAN NXT:1980Di。

只是目前形勢已經(jīng)非常嚴峻了，畢竟DUV也開始被限了，要是接下來連TWINSCAN NXT:1980Di也不賣了，只能買到干式光刻機，那問題就真的嚴重了，連成熟工藝都會受影響了，所以國產光刻機，真的要加油，否則后果真的會非常嚴重。