美國(guó)東部3月2日下午，英飛凌宣布收購(gòu)氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems，交易總值8.3億美元。GaN Systems 是開(kāi)發(fā)基于氮化鎵的功率轉(zhuǎn)換解決方案的全球技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。公司總部位于加拿大渥太華，擁有200多名員工。

英飛凌首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化鎵技術(shù)正在為支持脫碳的更節(jié)能、更節(jié)能的二氧化碳解決方案鋪平道路。在移動(dòng)充電、數(shù)據(jù)中心電源、住宅太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器等應(yīng)用中的采用正處于轉(zhuǎn)折點(diǎn)，導(dǎo)致充滿活力的市場(chǎng)增長(zhǎng)?；跓o(wú)與倫比的研發(fā)資源、應(yīng)用理解和客戶項(xiàng)目管道，計(jì)劃收購(gòu) GaN Systems 將顯著加快我們的氮化鎵路線圖。按照我們的戰(zhàn)略，合并將通過(guò)掌握所有相關(guān)電源技術(shù)進(jìn)一步加強(qiáng)英飛凌在電源系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，成為它在硅、碳化硅或氮化鎵上。”

GaN Systems 首席執(zhí)行官 Jim Witham 表示：“GaN Systems 團(tuán)隊(duì)很高興與英飛凌合作，在匯集互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上創(chuàng)造高度差異化的客戶產(chǎn)品。憑借我們?cè)谔峁┳吭浇鉀Q方案方面的共同專業(yè)知識(shí)，我們將以最佳方式利用氮化鎵的潛力。將 GaN Systems 的代工走廊與英飛凌的內(nèi)部制造能力相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)最大的增長(zhǎng)能力，以服務(wù)于在廣泛的目標(biāo)市場(chǎng)中加速采用氮化鎵。我為 GaN Systems 迄今為止取得的成就感到非常自豪，并且迫不及待地想與英飛凌一起譜寫(xiě)下一個(gè)篇章。作為一家擁有廣泛技術(shù)能力的集成設(shè)備制造商，英飛凌使我們能夠充分發(fā)揮潛力?！?br style="padding: 0px; margin: 0px auto;"/>
據(jù)了解，GaN Systems成立于2008年，總部位于加拿大渥太華，在英國(guó)、德國(guó)、日本和美國(guó)都設(shè)有辦公室，是一家無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司。其一流的系統(tǒng)設(shè)計(jì)可以凸顯氮化鎵在電源轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中的優(yōu)點(diǎn)。為了克服硅在轉(zhuǎn)化速度、溫度、電壓和電流方面的限制，該公司開(kāi)發(fā)了適用于各種市場(chǎng)的全套氮化鎵功率轉(zhuǎn)化器件。GaN Systems獨(dú)有的專利技術(shù)IslandTechnology?使其比同類(lèi)產(chǎn)品更小、更高效，且同時(shí)克服了成本、性能以及可制造性的挑戰(zhàn)。

GaN systems的氮化鎵結(jié)構(gòu)如下圖：

如圖所示，GaN systems的氮化鎵器件，解決常開(kāi)的 增加型氮化鎵器件的方法，是在Gate與ALGaN之前，加入一個(gè)絕緣柵，使原本常開(kāi)的橫向型器件，變?yōu)榱艘粋€(gè)常閉的器件。這種有點(diǎn)類(lèi)似MOSFET，加Gate極，引入一個(gè)絕緣層去控制 FET的開(kāi)和關(guān)。所以，我們可以看到，這種結(jié)構(gòu)的氮化鎵也是電壓型驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)。cascode結(jié)構(gòu)的電壓型驅(qū)動(dòng)的氮化鎵，是通過(guò)控制一個(gè)小N MOS去控制氮化鎵的開(kāi)關(guān)，而P型柵，雖然也是常關(guān)的氮化鎵器件，雖然也是需要給門(mén)極施加一定的電壓，但是從本質(zhì)上看，P型柵是屬于電流型驅(qū)動(dòng)的氮化鎵。在這一點(diǎn)上，幾種結(jié)構(gòu)的氮化鎵略微有些區(qū)別。

作為一種寬帶隙材料，氮化鎵通過(guò)更高的功率密度、更高的效率和更小的尺寸為客戶提供價(jià)值，尤其是在更高的開(kāi)關(guān)頻率下。這些特性可實(shí)現(xiàn)節(jié)能和更小的外形尺寸，使 GaN 適合廣泛的應(yīng)用。到 2027 年，市場(chǎng)分析師預(yù)計(jì)用于功率應(yīng)用的 GaN 收入將以 56% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)至約 20 億美元。因此，GaN 正在成為功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，與硅和碳化硅并駕齊驅(qū)，并與新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相結(jié)合，例如混合反激式和多級(jí)實(shí)現(xiàn)。2022 年 2 月，英飛凌宣布投資超過(guò) 20 億歐元在馬來(lái)西亞居林新建一座前端工廠，以加倍擴(kuò)大寬帶隙，鞏固其市場(chǎng)地位。