眾所周知，目前國內(nèi)最先進(jìn)的芯片制造工藝是14nm，但是這個(gè)14nm是利用國外的設(shè)備實(shí)現(xiàn)的，比如是ASML的光刻機(jī)，美國應(yīng)用材料、泛林等的設(shè)備來實(shí)現(xiàn)的。

如果使用全套國產(chǎn)設(shè)備/技術(shù)，目前國內(nèi)連28nm工藝都實(shí)現(xiàn)不了，有業(yè)內(nèi)人士稱全套國產(chǎn)設(shè)備，估計(jì)實(shí)現(xiàn)28nm都得3-5年才行，當(dāng)然這種推測(cè)真假就不清楚了。

所以這種形勢(shì)下，就讓美國看到了機(jī)會(huì)，想要鎖死中國芯在14nm工藝，因?yàn)檫@樣中國就必須得向美國購買先進(jìn)芯片，這樣美國除了獲得經(jīng)濟(jì)利益外，還能夠達(dá)到一些政治目的。

而為了鎖死這個(gè)14nm工藝，美國也找出了其中的破綻，比如ASML的光刻機(jī)，日本的尼康也能替代，尼康的浸潤式光刻機(jī)，至少可以達(dá)到7nm，佳能在研發(fā)的NIL光刻機(jī)，可以達(dá)到5nm。

另外東京電子的半導(dǎo)體設(shè)備，可以替代美國應(yīng)用材料、泛林的設(shè)備，于是美國拉上了荷蘭、日本一起來封堵。

美國拳頭大，荷蘭、日本不得不聽美國的，所以ASML、尼康等縱有萬般不愿意，也得乖乖的登上美國的“賊船”，一起加入制裁陣營。

我們當(dāng)然不愿意鎖死在14nm工藝啊，那如何應(yīng)對(duì)呢？有沒有方案，其實(shí)從現(xiàn)在的情況來看，中芯等廠商，已經(jīng)做好了準(zhǔn)備。

首先全產(chǎn)業(yè)鏈突破，這是必須項(xiàng)，從光刻機(jī)到半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體設(shè)備，EDA等等，努力突破，追上國際先進(jìn)水平，沒有短板，也就沒有脖子了，讓美國怎么卡？

但這個(gè)需要非常長(zhǎng)的時(shí)間，且難度相當(dāng)大，畢竟目前全球沒有一個(gè)國家，能夠搞定半導(dǎo)體的全部產(chǎn)業(yè)鏈，美國不行，所以還是未知數(shù)。

但從另外一個(gè)角度來看，如果中國在一些關(guān)鍵領(lǐng)域達(dá)到領(lǐng)先水平，可以卡美國脖子，那么相互牽制，就不存在誰卡誰了，就平衡了，所以這條路一定要走。

其次，是換道來超車，既然在硅基芯片這條路上，要追上對(duì)方難，我們就換方向啊。

比如光子芯片，量子芯片，碳基芯片等，這些目前國內(nèi)都在研究，且并沒有落后，基本是處于世界前列的，但說真的，目前離真正大規(guī)模應(yīng)用，也一樣有蠻遠(yuǎn)的路要走，急不得。

目前最為現(xiàn)實(shí)的，應(yīng)該是Chiplet這樣的先進(jìn)封裝技術(shù)，以及一些的架構(gòu)、新的工藝設(shè)計(jì)等，用14nm這樣的工藝，也能夠?qū)崿F(xiàn)7nm甚至5nm這樣的性能出來。

比如華為曾經(jīng)申請(qǐng)的芯片堆疊專利等，用相對(duì)不那么先進(jìn)的工藝，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝的性能，會(huì)是未來很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，中國芯努力的方向。

此外就是加大對(duì)成熟芯片的產(chǎn)能投入，目前像中芯、華虹已經(jīng)在做了，大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)28nm工藝的產(chǎn)能，畢竟國內(nèi)的芯片需求非常大，先進(jìn)工藝暫時(shí)搞不定，那么就擴(kuò)大成熟芯片產(chǎn)能，拿下更多的市場(chǎng)，積攢更多的能量，最終來進(jìn)行突破。