內(nèi)存價(jià)格暴跌，三星逆勢增資擴(kuò)產(chǎn)拿下蘋果中國閃存供應(yīng)，價(jià)格戰(zhàn)開打？
關(guān)鍵詞： 消費(fèi)電子 智能手機(jī) 三星電子
三星電子在西安的一個(gè)三期NAND閃存項(xiàng)目，進(jìn)入了蘋果智能手機(jī)NAND閃存供應(yīng)鏈。此前，三星電子已是蘋果公司最大的DRAM芯片供應(yīng)商。
但是，提價(jià)10%很可能并非三星電子的主要訴求。從各種跡象看，三星將于年內(nèi)開啟其閃存大幅降價(jià)的大幕。從逆勢增資擴(kuò)產(chǎn)，到大幅降價(jià)，個(gè)中原因，不問可知。
全球智能手機(jī)內(nèi)存市場第一季度的收入額為115億美元，收入排名前三的企業(yè)分別為三星、SK海力士和美光。其中，三星和SK海力士均為韓國企業(yè)，兩者的收入合計(jì)占市場7成，遙遙領(lǐng)先美光等來自其他國家的企業(yè)。
1、新增10臺(tái)EUV光刻機(jī)
由于內(nèi)存價(jià)格暴跌，美光、SK海力士兩家內(nèi)存廠商都已經(jīng)大幅削減了投資，降低了產(chǎn)能，然而三星作為內(nèi)存一哥不為所動(dòng)，不僅不打算減產(chǎn)，甚至還在擴(kuò)大投資，明年新增至少10臺(tái)EUV光刻機(jī)，用于生產(chǎn)最新的12nm級內(nèi)存芯片。
三星在韓國的內(nèi)存工廠主要是位于平澤市的晶圓廠，其中P3晶圓廠目前的產(chǎn)能是每月2萬片晶圓，三星已經(jīng)計(jì)劃擴(kuò)大投資，增加內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備，將產(chǎn)能提升到每月7萬片晶圓。
在這些設(shè)備中，最重要的就是EUV光刻機(jī)了，三星從14nm級別的內(nèi)存芯片開始引入EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。
當(dāng)然，上EUV工藝的代價(jià)也不是沒有，EUV光刻機(jī)單價(jià)10億元以上，產(chǎn)量也不如傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)，意味著初期成本會(huì)比較高。
按照三星的計(jì)劃，2023年的P3晶圓廠將新增至少10臺(tái)EUV光刻機(jī)，主要用于量產(chǎn)此前發(fā)布的12nm級DRAM內(nèi)存芯片。
2、逆勢增資：三星心路人知
受低迷的存儲(chǔ)芯片市場影響，三星電子利潤受到打擊，但三星電子半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)卻沒有停滯。
據(jù)英國市場追蹤機(jī)構(gòu)Omdia統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至2021年，三星在DRAM市場份額為42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND閃存方面，截至2022年Q2，三星電子擁有33.9%的市場份額，位列全球第一；通過收購Intel NAND Flash閃存業(yè)務(wù)，SK海力士組建了新公司Solidigm，市場份額升至19.9％，緊隨三星電子之后排名第二。
值得一提的是，三星電子在NADA閃存市場獲得全球第一的市場地位，源自在2006-2009年一系列NADA閃存詭譎風(fēng)云中三星的逆勢增資擴(kuò)張。
這是一次極為成功的逆勢“加倉”之后的驚人逆襲。三星電子在行業(yè)低迷期擴(kuò)大投資規(guī)模，最終擊敗當(dāng)時(shí)市場份額領(lǐng)先于三星電子的對手，比如德國奇夢達(dá)、日本“國家隊(duì)”爾必達(dá)和東芝。
這次成功經(jīng)驗(yàn)，充分解釋了三星電子再次遇到行業(yè)低迷期，為何仍敢于逆勢增資擴(kuò)產(chǎn)的信心迷局。
2022年，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期，存儲(chǔ)市場占據(jù)半導(dǎo)體約30%的比例，故受到較大行業(yè)下行影響：包括三星電子、美光和SK海力士在內(nèi)的多家存儲(chǔ)廠商均出現(xiàn)虧損。
因此，行業(yè)風(fēng)格保守，一眾巨頭也開始收縮業(yè)務(wù)。比如美光計(jì)劃將2023財(cái)年投資額，從2022財(cái)年的120億美元，下調(diào)至70億-75億美元；同時(shí)，還將大幅減少2024財(cái)年的資本支出；SK海力士也在2022年10月宣布，2023年的設(shè)備投資預(yù)算幅度，將比2022年減少超過50%。
但是三星例外，其投資風(fēng)格極為激進(jìn)，這與美光和SK海力士因市場低迷而收縮業(yè)務(wù)規(guī)模的做法，顯得格外與眾不同。
公開消息顯示，三星電子已決定，在2023年提升其存儲(chǔ)器和晶圓廠10%的產(chǎn)能。這些產(chǎn)能也有部分來自中國的三星新投資項(xiàng)目。
三星電子西安三期項(xiàng)目總投資高達(dá)3000億元人民幣。目前，這個(gè)工廠的定位是三星電子NAND閃存半導(dǎo)體的生產(chǎn)基地，與前兩期項(xiàng)目的產(chǎn)能合并后，將占據(jù)三星電子NAND全球總產(chǎn)能的40%。前兩期項(xiàng)目已達(dá)產(chǎn)，每月生產(chǎn)12英寸晶圓量達(dá)25萬張，年?duì)I收高達(dá)1000億元人民幣。
與臺(tái)積電或英特爾均已做出的減產(chǎn)計(jì)劃相比，三星電子同樣屬于逆勢“加倉”。此舉說明三星電子野心極大，既想稱霸存儲(chǔ)器市場，也想在晶圓代工領(lǐng)域反超臺(tái)積電。
除了中國項(xiàng)目，三星電子將對在韓國京畿道平澤市第一工廠（P1）的NAND閃存設(shè)備做升級。
3、手中有糧，心中才能不慌。
三星敢于逆勢大舉增資，底氣來自其擁有的規(guī)模龐大的現(xiàn)金儲(chǔ)備。截至2022年9月底，三星持有約128.8萬億韓元（約合1010億美元）現(xiàn)金，約是其競爭對手SK海力士或美光的10倍。
韓國政府也很給力。韓國在2023年1月3日宣布，計(jì)劃將半導(dǎo)體和電池等戰(zhàn)略技術(shù)資本支出的稅收減免，從8%擴(kuò)大到15%，接近翻倍。
除了想靠技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)能規(guī)模壓制對手，復(fù)制2006-2009年的那次成功逆襲，還有個(gè)重要原因，即三星電子已成功進(jìn)入蘋果NAND閃存供應(yīng)鏈。此事得益于中國本土一家NAND閃存巨頭遇到的眾所周知的技術(shù)限制。
這家中國公司在遭遇技術(shù)約束后，三星電子成為了蘋果公司在中國的NAND存儲(chǔ)芯片替代供應(yīng)商。三星電子位于西安的NAND閃存工廠將為蘋果供應(yīng)NAND閃存。目前，這個(gè)工廠的三期工程將于2月動(dòng)工。
值得一提的是，不久前，三星電子官宣其閃存產(chǎn)品將提價(jià)10%，而部分中國公司已接受這一報(bào)價(jià)。
但是，據(jù)公開報(bào)道顯示，三星電子可能會(huì)于2023年開啟包括NAND閃存在內(nèi)的大幅降價(jià)，以進(jìn)一步提高在全球存儲(chǔ)芯片市場的份額。
對NAND技術(shù)、產(chǎn)能和價(jià)格三者之間關(guān)系的理解，也能從另一個(gè)角度解釋三星電子為何逆勢增資的意圖。
在NAND領(lǐng)域，NAND制造商做的激烈技術(shù)角逐，集中在增加垂直層數(shù)方面。SK海力士和美光都已推出200多層的NAND技術(shù)，但三星認(rèn)為，“重要的不是層數(shù)，而是產(chǎn)能以及專注于提供具有價(jià)格競爭力的更優(yōu)解決方案”。
說是這么說，但三星并沒有放松NAND的技術(shù)迭代，其技術(shù)水平也極為高超。
目前，三星電子生產(chǎn)的第八代V-NAND高達(dá)230層；第9代V-NAND也已在研發(fā)過程中，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)。2030年，三星將推出高達(dá)1000層的V-NAND產(chǎn)品。
鑒于DRAM的對于消費(fèi)電子級的重要性，三星也在重兵布局這個(gè)方向。
為推進(jìn)10nm范圍以外的微縮，三星電子正在開發(fā)圖案、材料和架構(gòu)方面做持續(xù)突破。
2022年底，三星官方透露，其即將推出的DRAM解決方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解決方案。此外，三星計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)亞納米DRAM。
