2022年，智能手機(jī)、PC等消費(fèi)電子市場(chǎng)需求放緩，供需失衡之下，庫(kù)存持續(xù)上升，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不可避免受到嚴(yán)重影響。

TrendForce表示，DRAM價(jià)格自年初以來(lái)就一路走跌，下半年合約價(jià)每季跌幅更超過(guò)10%，顯見(jiàn)需求市場(chǎng)的嚴(yán)峻；閃存市場(chǎng)同樣呈現(xiàn)供過(guò)于求的狀態(tài)，導(dǎo)致第三季wafer價(jià)格跌幅達(dá)30%-35%，預(yù)計(jì)第四季NAND價(jià)格持續(xù)下探。

Gartner此前觀點(diǎn)表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)疲軟期至少將持續(xù)到2023 年，預(yù)計(jì)明年的半導(dǎo)體收入將下降2.5%左右。而存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的下滑勢(shì)頭會(huì)更大，可能突破10%。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）給出的預(yù)測(cè)更為悲觀。其表示，受到存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)急劇冷凍所拖累，2023年的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將萎縮4.1%至5570億美元，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)則將出現(xiàn)17%的降幅。

市場(chǎng)的供過(guò)于求強(qiáng)烈推動(dòng)了存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)入下行周期，存儲(chǔ)芯片的頭部廠商正努力跨越“寒冬”。

在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)陣陣寒意再次涌上心頭之際，我們來(lái)回顧一下存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展歷程，以求從中汲取經(jīng)驗(yàn)，反哺行業(yè)發(fā)展。

以史為鏡，可以知興替。

DRAM發(fā)展至今已經(jīng)有50多年了，這50年來(lái)DRAM行業(yè)中的“王朝”早已幾經(jīng)更迭。一切開(kāi)始于1966年，IBM的羅伯特·登納德博士成功研發(fā) MOS 型晶體管+電容結(jié)構(gòu)的 DRAM 存儲(chǔ)。

兩年后，英特爾出現(xiàn)了，它的研究小組不斷的解決生產(chǎn)工藝中的缺陷，在1970年成功量產(chǎn)劃時(shí)代的C1103。憑借著DRAM的量產(chǎn)，英特爾成為了一家擁有有1000名員工，年收入超過(guò)2300萬(wàn)美元的產(chǎn)業(yè)新貴。

IBM也在當(dāng)年就宣布其新推出的大型計(jì)算機(jī)中使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器替代以往的磁芯，DRAM市場(chǎng)也變得潛力無(wú)限。

70年代像是一個(gè)分水嶺，DRAM的王朝開(kāi)始更替，上半場(chǎng)入場(chǎng)的英特爾，到了下半場(chǎng)變成了Mostek。Mostek 推出的 MK4116 采用了 POLY-II（雙層多晶硅柵工藝），容量達(dá) 16K，大獲成功，占領(lǐng) 75%的 DRAM 市場(chǎng)。

后來(lái)由于資本市場(chǎng)的惡意收購(gòu)，加上Mostek也決策失誤，管理層動(dòng)蕩及技術(shù)人員流失。值得注意的是，1978年四個(gè)離職的Mostek員工在一間昏暗的地下室創(chuàng)立了美光。

1980年，日本VLSI聯(lián)合研發(fā)體，研制成功 64K DRAM，已成功趕上美企 DRAM 研發(fā)進(jìn)度。后來(lái)日本存儲(chǔ)不斷提升，引起美國(guó)主意并且遭到打壓。1986年，日本與美國(guó)之間DRAM之戰(zhàn)結(jié)束，美日簽署《美日半導(dǎo)體協(xié)議》。

后來(lái)，DRAM迎來(lái)了第一次大蕭條。


第一次大蕭條：1996-1998年

1993年美國(guó)逐漸從石油危機(jī)的沖擊中走出，多家美國(guó)半導(dǎo)體公司業(yè)績(jī)大漲，僅在兩年內(nèi)美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了17%和14%的增長(zhǎng)。在半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)下，行業(yè)內(nèi)許多廠商開(kāi)始擴(kuò)張，1995年和1996年，全球有超過(guò)50條新的晶圓廠生產(chǎn)線的增加。

然而到了1996年，由于Windows 95開(kāi)啟的辦公自動(dòng)化和個(gè)人電腦加速趨勢(shì)的反彈，個(gè)人電腦市場(chǎng)迅速進(jìn)入調(diào)整階段，半導(dǎo)體行業(yè)需求開(kāi)始迅速萎縮，行業(yè)的瘋狂擴(kuò)張最終導(dǎo)致1996年DRAM的供應(yīng)過(guò)剩。德州儀器和IBM也分別在1998年與1999年，凄慘的退出了DRAM市場(chǎng)。

1999 年是內(nèi)存界的大變年，排名世界第三的韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體與LG合并，2001年從現(xiàn)代集團(tuán)完成拆分，將公司名改為海力士（Hynix Semiconductor Inc）；同年美光完成收購(gòu)德州儀器內(nèi)存部門(mén)。


第二次大蕭條：2001年

2001年，迎來(lái)了DRAM的第二次大蕭條。2001年全球DRAM產(chǎn)值將僅有140億美元，比2000年的290億美元縮水了一半多。

看當(dāng)時(shí)DRAM的價(jià)格變化，頗為戲劇。以PC100 64M DRAM為例，在當(dāng)年三月下旬跌至前三季的最低點(diǎn)5.2美元后，其后即扶搖直上，至7月14日達(dá)到8.96美元的高點(diǎn)。在九月又開(kāi)始直線下滑，直至跌破廠商之平均成本3.5美元底線。

2001年DRAM蕭條的原因有兩方面。一方面，美國(guó)資本市場(chǎng)(尤其是那斯達(dá)克市場(chǎng))自2000年三月網(wǎng)絡(luò)泡沫破滅后持續(xù)疲軟，導(dǎo)致高科技產(chǎn)品需求不振；另一方面，由于2000年中下游廠商大量囤貨，但需求未增，降低庫(kù)存的壓力下更行削弱對(duì)DRAM的實(shí)質(zhì)需求。

2001年的蕭條導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)狼藉滿地，NEC英國(guó)半導(dǎo)體廠將于2002年4月停產(chǎn)DRAM，并裁撤1260名員工；東芝也因2001年度其芯片業(yè)務(wù)虧損近1500億日元，宣布裁員10%，并且退出DRAM事業(yè)。


第三次大蕭條：2007-2009年

到了2008年，DRAM遇到了第三次大蕭條。

2008 年 7 月，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究專家 Malcolm Penn 曾展望稱，盡管 DRAM 一年半以來(lái)跌跌不休，但其他每個(gè)產(chǎn)品大類(lèi)近期均表現(xiàn)上佳，甚至當(dāng)時(shí)預(yù)計(jì)2009年半導(dǎo)體市場(chǎng)增速將高達(dá)兩位數(shù)。許多半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士都在期盼著“光輝歲月”的回歸。然而百年難得一見(jiàn)全球金融海嘯的到來(lái)，打破了專家們的預(yù)期，在全球金融休克下，半導(dǎo)體同樣無(wú)法置身事外。

終端消費(fèi)的萎靡，促使PC等設(shè)備廠商消減DRAM訂單，并且加快清理庫(kù)存物料，而存儲(chǔ)廠商為了自救，同樣開(kāi)始降價(jià)拋售DRAM。這就造成了DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)出現(xiàn)了“踩踏”行情，價(jià)格連續(xù)崩盤(pán)、深度擊穿廠商的現(xiàn)金成本。

猶如多米諾骨牌，價(jià)格擊穿現(xiàn)金成本后，使得存儲(chǔ)半導(dǎo)體廠商不得不啟動(dòng)大規(guī)模減產(chǎn)，當(dāng)年9月，晶率先宣布將 DRAM 產(chǎn)量削減 10-15%。眾多大廠同樣跟進(jìn)，產(chǎn)線改建、新建等資本支出計(jì)劃被叫停，自救失敗的奇夢(mèng)達(dá)于 2009 年 1 月正式宣布申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。

第四次大蕭條：2011-2012年

發(fā)展到2011年，DRAM再次迎來(lái)了蕭條時(shí)期，DRAM的合約顆粒價(jià)格跌幅達(dá)58%，現(xiàn)貨價(jià)格跌幅更高達(dá)70%。由于DRAM顆粒價(jià)格跌幅過(guò)大，甚至已跌破現(xiàn)金成本，爾必達(dá)率先宣布減產(chǎn)開(kāi)第一槍，緊接著其他DRAM廠也跟進(jìn)下宣布減產(chǎn)，減產(chǎn)幅度高達(dá)21%。

一方面是天災(zāi)，日本受到311大地震沖擊，給全球DRAM的產(chǎn)出造成影響，尤其以越后半導(dǎo)體的福島白河廠與SUMCO的山形米澤廠影響最為嚴(yán)重。盡管缺貨的疑慮隨著晶圓廠的復(fù)工消散，但DRAM的價(jià)格仍舊從5月開(kāi)始下滑至年底。

另一方面，隨著制程難度逐步增加，DRAM廠差距逐步擴(kuò)大。三星已逐漸跨入20nm制程，海力士與爾必達(dá)則在2012年積極轉(zhuǎn)進(jìn)30nm制程，一些臺(tái)系廠商仍停留在40nm甚至50nm制程。

盡管普遍得到公共資金支持，但除了多元化經(jīng)營(yíng)的三星電子，絕大多數(shù)廠商也僅能保障勉強(qiáng)維持運(yùn)轉(zhuǎn)，其間爾必達(dá)與中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)廠商如茂德、力晶、南亞合并等傳聞不斷，但雙方均背負(fù)的巨額債務(wù)使這樣的重組幾無(wú)可能。

在第四次的大蕭條中，爾必達(dá)于 2012 年正式破產(chǎn)。


第五次大蕭條：2019年

從2016年中到2018年底，由于產(chǎn)業(yè)的需求與供給端都產(chǎn)生變化，使得DRAM迎來(lái)一輪黃金時(shí)光，價(jià)格不斷飆漲，這當(dāng)然也讓三星、SK海力士及美光三大DRAM廠商都達(dá)到史上最好的營(yíng)收情況。甚至三星曾經(jīng)公布其DRAM毛利率高達(dá)70%。

以2018年第四季來(lái)看，所有供應(yīng)商當(dāng)中以美光(Micron)降價(jià)幅度最大，因此部分偏高的庫(kù)存水位得以適時(shí)去化；而韓系廠因?yàn)榻祪r(jià)幅度較小，導(dǎo)致出貨量萎縮，庫(kù)存持續(xù)累積至2019年第一季將相當(dāng)可觀。

2019年開(kāi)始，DRAM報(bào)價(jià)大幅下滑，全年累計(jì)跌幅超過(guò)五成，其表現(xiàn)之差勁在所有的芯片產(chǎn)品類(lèi)別中排名倒數(shù)第一。


第六次蕭條即將來(lái)臨？

2022年，DRAM產(chǎn)業(yè)被貼上“第六次大蕭條”的標(biāo)簽。DRAM價(jià)格頻頻下降與存儲(chǔ)廠商不容樂(lè)觀的業(yè)績(jī)都彰顯著DRAM進(jìn)入蕭條時(shí)期。不是繁榮就是蕭條，這是存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期以來(lái)的景氣循環(huán)。一旦產(chǎn)能過(guò)剩，DRAM市場(chǎng)幾乎在一夜之間就會(huì)出現(xiàn)供過(guò)于求的情況。

DRAM產(chǎn)業(yè)具備成長(zhǎng)和周期雙重屬性，成長(zhǎng)性是主旋律，有三條關(guān)鍵規(guī)則：第一、DRAM產(chǎn)業(yè)具有周期性屬性；第二、DRAM產(chǎn)業(yè)還具有成長(zhǎng)屬性，而且成長(zhǎng)性是主旋律；第三、當(dāng)DRAM產(chǎn)業(yè)處于波谷時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)最佳的逆周期投資機(jī)會(huì)。

“市場(chǎng)景氣時(shí)，各家吃肉，市場(chǎng)蕭條時(shí)，大廠吃肉。”

行業(yè)深度衰退期，中后部廠商最先面臨生死考驗(yàn)，而體量巨大的頭部廠商則在資金與業(yè)務(wù)調(diào)整上享有更大的空間，甚至在其他廠商被迫裁員、剝離資產(chǎn)、壓縮投資與研發(fā)時(shí)，頭部廠商反而能夠逆勢(shì)“抄底”整合并購(gòu)。

歷史固然不會(huì)簡(jiǎn)單的重復(fù)，但其中揭示的某些規(guī)律仍具有借鑒意義。DRAM廠商需要收緊預(yù)算了。正如Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示“當(dāng)產(chǎn)業(yè)中的每個(gè)人都開(kāi)始說(shuō)這次不會(huì)發(fā)生景氣循環(huán)時(shí)，那就得看緊你的荷包了，因?yàn)檩喌较乱粋€(gè)景氣周期了?！?/span>