眾所周知，中國(guó)大陸在半導(dǎo)體領(lǐng)域，鮮有技術(shù)很先進(jìn)的企業(yè)。有幾家很牛的企業(yè)也就是達(dá)到了全球同等水平，比如華為海思在芯片設(shè)計(jì)水平上，中微半導(dǎo)體在刻蝕機(jī)上，與全球頂尖企業(yè)處于同一水平。

但要說某一家企業(yè)的技術(shù)，是全球最強(qiáng)的，領(lǐng)先于其它所有對(duì)手，好像還真不太說得上來。

不過，在2022年4季度，中國(guó)大陸就有了這么一家企業(yè)，他的技術(shù)是全球最先進(jìn)的，超過了所有對(duì)手，也是大陸唯一一家在半導(dǎo)體領(lǐng)域，超過美國(guó)，全球領(lǐng)先的廠商。

這家企業(yè)就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)，因?yàn)樗侨蚴准伊慨a(chǎn)232層堆疊3D NAND閃存的廠商，像美光、SK海力士、三星、鎧俠等全球最牛的存儲(chǔ)芯片巨頭，都沒有量產(chǎn)，只是PPT產(chǎn)品而已。

與邏輯芯片不一樣，邏輯芯片的工藝是進(jìn)行微縮，比如5nm、3nm、2nm，誰的工藝最小，那么技術(shù)最先進(jìn)。

閃存芯片的制造邏輯又不一樣，根據(jù)閃存廠家的測(cè)試，在做到15nm 工藝之后，再提升工藝，NAND 閃存的可靠性就會(huì)斷崖性下跌，所以一味縮小工藝肯定是不行的。

于是廠商們換了一種思路，既然平面微縮不行，那就是進(jìn)行3D疊加，搞成立體結(jié)構(gòu)，上下堆疊結(jié)構(gòu)，這也就是3D NAND閃存的由來。

而232 層 NAND 閃存，就是指疊了 232 層的 NAND 閃存結(jié)構(gòu)。

而在上、下堆疊的結(jié)構(gòu)技術(shù)上，三星叫做V-NAND ，東芝和閃迪則是用 BiCS 。。。長(zhǎng)江存儲(chǔ)鉆研出了自己的獨(dú)家 3D 堆疊技術(shù)，叫做Xtacking 。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking與其它廠商的技術(shù)，有一點(diǎn)區(qū)別，那就是讀寫單元和存儲(chǔ)單元是分開的，不在同一顆晶圓上，然后再利用線路把這兩部分連接起來。

這有什么好處？可以根據(jù)讀取、存儲(chǔ)特性的不同，用不同的工藝來制造，比如讀取的可以工藝更先進(jìn)一步，讀取速度快，而存儲(chǔ)單元可以用成熟的一點(diǎn)的藝，來保證穩(wěn)定性，相互不影響。

于是業(yè)界評(píng)價(jià)稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC） 的 Xtacking 技術(shù)有望成為 2022 年最具顛覆性的技術(shù)之一，也因?yàn)檫@個(gè)技術(shù)，使得長(zhǎng)江存儲(chǔ)這家成立僅7年的中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)，迅速的成長(zhǎng)為巨頭，超過了三星、美光等企業(yè)，全球領(lǐng)先。

也正因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存太先進(jìn)了，讓美國(guó)忌憚了，于是美國(guó)將長(zhǎng)江存儲(chǔ)也拉入了實(shí)體清單（ Entity list ）。

這樣的情況，勢(shì)必會(huì)影響長(zhǎng)江存儲(chǔ)的發(fā)展速度，比如無法對(duì)最新一代量產(chǎn)的232層3D NAND產(chǎn)品進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，進(jìn)而導(dǎo)致錯(cuò)過利用先進(jìn)技術(shù)，搶占市場(chǎng)的時(shí)間窗口，從而讓美光等企業(yè)追上來。

不過，既然長(zhǎng)江存儲(chǔ)能夠7年就成為全球技術(shù)最強(qiáng)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，那么就算被打壓了，我們也相信長(zhǎng)江存儲(chǔ)一樣會(huì)崛起，并且?guī)?dòng)更多的企業(yè)在半導(dǎo)體領(lǐng)域崛起，你覺得呢？