認(rèn)清現(xiàn)實(shí),芯片堆疊技術(shù)我們并不先進(jìn),救不了中國(guó)芯
眾所周知,當(dāng)芯片工藝提升,快要達(dá)到極限時(shí),越來(lái)越多的廠商,就另想它法,來(lái)為摩爾定律續(xù)命了。
比如芯片堆疊,Chiplet技術(shù)等,通過(guò)幾塊芯片,整合成一塊,最終在工藝不斷的情況下,達(dá)到性能提升的目標(biāo)。
特別是國(guó)內(nèi),很多人都認(rèn)為,芯片堆疊或Chiplet技術(shù),是我們彎道超車(chē)的方向之一,能夠挽救當(dāng)前工藝暫時(shí)無(wú)法提升的中國(guó)芯。
事實(shí)上,芯片堆疊也好,Chiplet技術(shù)也好,其本質(zhì)是3D封裝技術(shù),那么問(wèn)題就來(lái)了,目前在3D封裝這一塊,究竟誰(shuí)最厲害?誰(shuí)的專利最多?
結(jié)果是很遺憾的,那就是國(guó)內(nèi)的企業(yè)在先進(jìn)3D封裝這一塊,還是落后的,所以大家認(rèn)為的我們可以用芯片堆疊、Chiplet技術(shù)彎道超車(chē),真不現(xiàn)實(shí),因?yàn)閯e人比你更厲害,你怎么彎道上超車(chē)?
先給一個(gè)數(shù)據(jù),這是2021年半導(dǎo)體廠們用于先進(jìn)封裝技術(shù)的資本支出,前5名分別是英特爾、臺(tái)積電、日月光、三星、安可。這5大廠商,貢獻(xiàn)了91%的資本支出。
而國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)電、通富貢獻(xiàn)的資本支出約為9%,還不及英特爾的三分之一。沒(méi)有錢(qián),哪來(lái)的先進(jìn)技術(shù)?
再說(shuō)先進(jìn)技術(shù)這一塊,臺(tái)積電的CoWoS封裝技術(shù)已發(fā)展到第五代,臺(tái)積電已將自身的先進(jìn)封裝技術(shù)整合為了3DFabric技術(shù)平臺(tái),包含臺(tái)積電前端的SoIC技術(shù)和后端CoWoS、InFO封裝技術(shù)。
而三星的先進(jìn)封裝技術(shù),包括I-Cube、X-Cube、R-Cube和H-Cube四種方案。其中R-Cube和H-Cube是2.5D封裝技術(shù),而X-Cube是3D封裝技術(shù)。
英特爾在2014年就有了2.5D封裝技術(shù)EMIB,后來(lái)在2018年又發(fā)布了Foveros 3D封裝技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)芯片的各種堆疊方案。2019年,英特爾又發(fā)布了新的三大先進(jìn)封裝技術(shù),分別為Co-EMIB、ODI和MDIO。
從目前行業(yè)情況來(lái)看,英特爾、三星、臺(tái)積電這三家芯片制造巨頭,才是先進(jìn)封裝的第一梯隊(duì),而封測(cè)廠其實(shí)已經(jīng)慢慢落后為第二梯隊(duì)了。
所以目前在芯片堆疊、Chiplet等技術(shù)上,也是晶圓廠們?cè)陬I(lǐng)先,畢竟制造處于更前端,至于封測(cè)已經(jīng)難以具備前端優(yōu)勢(shì)了,落后于第一梯隊(duì)了。
而芯片堆疊、什么Chiplet技術(shù),其實(shí)就是拼的3D封裝,在這種情況下,你覺(jué)得我們能彎道超車(chē)么?
所以請(qǐng)大家現(xiàn)實(shí)點(diǎn),認(rèn)清自己的差距,努力去追趕,不要總想著某一項(xiàng)新技術(shù)拿出來(lái)彎道超車(chē)。在基礎(chǔ)本來(lái)就弱于別人的情況下,基本是沒(méi)彎道超車(chē)的可能,你覺(jué)得呢?
