不過目前ASML也遇到了技術(shù)瓶頸，那就是采用13.5nm波長的EUV光刻機，就算到2025年推出全新的0.55數(shù)值孔徑的全新一代High－NA極紫外光刻機，其極限可能也在2nm。

而ASML的首席技術(shù)官Martin van den Brink近日表示，High－NA可能是EUV光刻機的極限，代表著2nm可能就是EUV光刻機的盡頭了，1nm以下可謂難如登天。

而只要光刻機技術(shù)無法前進(jìn)，芯片工藝就無法前進(jìn)，摩爾定律就真的死了，所以全球的廠商們，都在想方設(shè)法，用其它技術(shù)來挑戰(zhàn)EUV光刻機。

一方面是為了搶ASML的市場，另外一方面則是為摩爾定律續(xù)命。

近日美國公司Zyvex Labs表示，他們推出了亞納米分辨率的光刻系統(tǒng)Zyvex Litho 1，分辨率可以達(dá)到0.768nm，大約是兩個硅原子的寬度，并且制造出了0.768nm的成品芯片。

這就突破了EUV光刻機的極限了，并且使用的是不同于EUV的光刻技術(shù)，采用的是EBL電子束光刻方式。

不過目前這種技術(shù)的缺點是產(chǎn)量很低，無法大規(guī)模制造芯片，但至少代表了一個技術(shù)方向，說不定未來技術(shù)改進(jìn)，能夠大規(guī)模制造芯片了呢？

而俄羅斯，之前則公布了另外一種技術(shù)，那就是基于X射線的無掩膜式光刻。

這種技術(shù)與EUV光刻機，有兩種不同之處。一是采用X射線，波長介于0.01nm至10nm之間，比13.5nm的極紫外線波長更小，從而精度更高。二是無掩膜，直接操縱X射線進(jìn)行光刻，不需要提前制作掩膜。

不過俄羅斯目前并沒有制造出成品芯片，也沒有突破EUV光刻機的極限，還只是一個理論方向。

接下來就看ASML、美國、俄羅斯們的技術(shù)前進(jìn)了，看誰能夠真正突破EUV光刻機的極限，突破2nm制程，接檔EUV光刻機，讓摩爾定律能夠繼續(xù)成立。

當(dāng)然，我們也更希望中國的廠商們，能夠成為突破EUV技術(shù)極限中的一員，畢竟我們已經(jīng)被光刻機卡住太久的脖子了，急需突破。