SK 海力士開發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)
2022-08-03
來源：互聯(lián)網(wǎng)
5889
韓國 SK 海力士（SK Hynix）已經(jīng)開發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片，它可以用于 PC 存儲設(shè)備、智能手機(jī)和服務(wù)器。上周美光也開始出貨 232 層 NAND 閃存芯片。
SK 海力士宣稱新的 238 層芯片是最小的 NAND 閃存芯片，數(shù)據(jù)傳輸速度相比上代產(chǎn)品提升 50%，讀取數(shù)據(jù)消耗的能量降低 21%。SK 海力士準(zhǔn)備于 2023 年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)新芯片。
英特爾 NAND 業(yè)務(wù)被 SK 海力士收購后更名為 Solidigm，它與 SK 海力士合計(jì)占有全球 NAND 閃存市場的 18%，僅次于三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。
