在芯片代工領(lǐng)域，三星想要干掉臺積電的目標(biāo)，已經(jīng)提出很久了，最早可以追溯到2009年，當(dāng)時三星就有一個秘密計劃，稱之為Kill Taiwan（干掉臺灣），其實就是干掉臺積電。

而在2015年的時候，其實三星找到了一次機(jī)會，那一年三星在梁孟松的主導(dǎo)下，從28nm跳過20nm，率先量產(chǎn)了14nm FinFET芯片，依靠了臺積電至少半年。

鑒于三星在技術(shù)上確實是越越了臺積電，于是蘋果也將自己的A9芯片，分出一半交給三星代工，采用三星14nm工藝，另外一半則是臺積電16nm，這搞得臺積電壓力山大。

不過后來，隨著A9芯片發(fā)布，大家發(fā)現(xiàn)雖然三星14nm看起來更領(lǐng)先，但實際使用的效能與良率輸給臺積電。

所以到A10時，蘋果還是將訂單給了臺積電，放棄了三星。

事實上，如果三星在10nm時，還能夠領(lǐng)先臺積電，并保持好的功耗等，還是有機(jī)會超過臺積電的，畢竟14nm時已經(jīng)領(lǐng)先了啊。

而在10nm上時，三星也是領(lǐng)先臺積電，率先推出了10nm。但是，可能由于技術(shù)問題，10nm芯片變成了火龍，高通835就是最好的例子。

于是三星超過臺積電的第一次機(jī)會，就這樣失去了，最后到7nm、5nm，三星都在技術(shù)上，不如臺積電。

不過，今年三星又迎來了第二次干掉臺積電的機(jī)會。

在3nm工藝上，三星領(lǐng)先臺積電，再次率先實現(xiàn)量產(chǎn)了，就如當(dāng)初的14nm FinFE工藝一樣。并且三星率先實現(xiàn)了GAAFET晶體管技術(shù)的量產(chǎn)。

按照三星的說法，3nm芯片相比于自己的5nm芯片，性能提升了23％，功耗降低了45％，芯片面積縮小了16％。

而第二代3nm工藝，功耗降低達(dá) 50％，性能提高 30％，面積減少 35％，比第一代又提升很多。

很明顯，三星只要保證良率，在能耗上表現(xiàn)出色，同時產(chǎn)能跟上來，那么這一次是非常有可能干掉臺積電的。

當(dāng)然，3nm還只是開端，更關(guān)鍵的是2nm，畢竟工藝的競爭，一代還不夠，兩代保持住領(lǐng)先，基本上有戲了。

所以為了干掉臺積電，三星還為自己找了一個最強(qiáng)大的盟友，那就是美國，日本將與美國合作，最早于2025年在本土量產(chǎn)2納米芯片。

接下來就看三星能不能好好利用住自己在3nm上領(lǐng)先的優(yōu)勢，再在2nm時把優(yōu)勢擴(kuò)大了，如果能，那么非常有可能真的要把臺積電干掉了。