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深圳市增正科技有限公司

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產(chǎn)品列表

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4FHE3D4HA-GUCL 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4FHE3D4HM-MFCJ 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4FHE3D4HM-MHCJ 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3UH5H50AM-JGCR 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3UH7H70AM-JGCR 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U6E3S4AA-MGCR 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UCE3Q4AA-MGCR 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3UH5H50AM-JGCL 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3UH7H70AM-JGCL 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3UHAHA0AM-AGCL 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 556FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U6E3S4AA-MGCL 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封裝

價格：電微13928429281

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UBE3D4AA-MGCL 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封裝

價格：電微13928429281

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