KBL606_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 6A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
描述: 此款半導體器件為KBL封裝的高性能整流橋，專為高電流、低損耗應用設計。其關鍵參數(shù)包括VR最大值600V，確保在中高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作；VF表現(xiàn)為1.1V@6A，意味著即使在滿載電流6A時，其壓降仍控制在極低水平，有效提高能效和降低熱損耗；額定輸出電流IO為6A，提供強大而持久的電力轉換性能。適用于各類電源供應、逆變器等大電流電子設備，是提升系統(tǒng)效能及可靠性的理想組件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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