FDN339AN_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDN339AN 是一款N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝，專為高效能電子設(shè)計。該器件擁有20V的漏源電壓(VDSS)，能在僅18mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))下，輕松承載高達6A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、快速開關(guān)電路等領(lǐng)域，憑借其卓越的電流承載能力和優(yōu)異的能效性能，成為您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計，提升整體效能的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會員等級：會員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
