SIR468DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/4.3mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SIR468DP-T1-GE3 是一款采用小型化DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOSFET，專為高效能和空間敏感型設(shè)計(jì)而生。該器件在30V的電壓VDSS下穩(wěn)定工作，能提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，充分滿足高電流應(yīng)用的需求。其亮點(diǎn)在于僅4.3mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少能量損耗，提高整體能效。無(wú)論在電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)還是其他大電流負(fù)載控制場(chǎng)合，SIR468DP-T1-GE3 都是理想的半導(dǎo)體元件解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
